Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzrost epitaksjalny

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

On prognosis of variation of properties of epitaxial layers by choosing of temperature field during growth

100%

Pankratov E. L.

tom Vol. 20, No. 1

1--6

In this paper, we analyze the influence of the temperature of growth of epitaxial layers during their growth. Conditions are formulated under which the homogeneity of the properties of the epitaxial layers increases. An analytical approach for the analysis of mass and heat transfer is proposed, allowing at the same time to take into account changes in the parameters of processes both in space and in time, as well as nonlinearity of these processes.

W artykule opisano analizę wpływu temperatury na wzrost epitaksjalnych warstw w procesie technologicznym. Sformułowano szereg warunków dla poprawy jednorodności badanych warstw. Wprowadzono analityczne rozwiązanie dla równania transportu masy i ciepła. To rozwiązanie umożliwiło uwzględnienie zmian parametrów procesu zarówno w przestrzeni jak i w czasie. Ponadto przeprowadzone rozwiązanie pozwoliło na uwzględnienie nieliniowości badanego procesu.

Influence of hydrogen volumetric flow rate on temperature distribution in CVD reactor based on epi-growth of SiC

84%

Skibinski J. , Wejrzanowski T. , Teklinska D. , Kurzydlowski K. J.

tom Vol. 95, nr 2

119--125

In the present paper the quantitative relationship between the heat and mass transfer in the Aixtron VP508 hot wall CVD reactor and the epitaxial growth of silicon carbide is determined. The aim of this study was to estimate optimal process conditions for obtaining monocrystalline silicon carbide epi-layers with the most homogenous thickness. Since there are many parameters influencing reactions on the crystal area, such as temperature, pressure, gas flow and reactor geometry, it is difficult to design an optimal process. Detailed 3D modeling was used to gain insight into the process conditions, as it is problematic to experimentally determine the exact distribution of heat and mass transfer inside the reactor during epitaxial growth. Numerical simulations allow one to understand the process by calculating the heat and mass transfer distribution during the epitaxial growth of silicon carbide. The present approach was applied to enhance the performance of the Aixtron VP508 reactor.