Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Effect of Capillary Tip Shape on Deformation and Bondability in Au Wire Bonding

100%

Saiki H. , Marumo Y. , Nishitake H. , Uemura T. , Yotsumoto T.

|

tom Vol. 7, No. 1

119-123

EN

In wire bonding, the optimum shape of the capillary that presses Au ball, the thickness and the deformation resistance of the Al deposited film are important factors for stable bonding. In order to evaluate the optimal bonding conditions and optimize the shape of the capillary, deformation analysis of Au ball and Al deposited film with a thickness of 2-3 mm or less was carried out. The results of the analysis of the material flow of Au ball and Al deposited film indicated that flow patterns were evaluated closely to the actual flow patterns. The deformation resistance and the thickness of the deposited film had a significant influence on the deformation of Au ball. The deposited film functioned as a solid lubricant at the bonding surface. The evaluation method used in this study was effective for determining the optimum conditions of deposited film and the processing temperature, and the optimum shape of capillaries.

PL

Lutowanie drutem srebrnym jest procesem używanym do łączenia elektronicznych układów scalonych z ołowianą ramą. W tym procesie srebrna kulka wychodząca z kapilarnej końcówki jest wciskana przez tą końcówkę w film aluminiowy. Celem optymalizacji procesu jest ograniczenie powierzchni lutu do jak najmniejszej przy zachowaniu odpowiedniej wytrzymałości połączenia. W artykule pokazano wpływ kształtu kapilarnej końcówki na jakość połączenia oraz na odkształcenie srebrnej kulki i filmu aluminium. Typowe kształty kapilarnych końcówek zostały wybrane do badań zmiany warunków lutowania. Najwyższą niezawodność połączenia uzyskano kiedy maksymalny wymiar srebrnej kulki był najmniejszy, to znaczy kiedy objętość związana z obwodem zapadającego się obszaru pod lutem była duża. Wtedy wybrzuszenie na obwodzie połączenia było również duże. Zalety takich połączeń zostały oszacowane.

2

Rozwój zaawansowanych technologii do testowania układów scalonych

86%

Dąbrowiecki K.

|

tom Vol. 62, nr 6

14--19

PL

Artykuł przedstawia ewolucję jednej z najbardziej zaawansowanych technologii testowania płytek krzemowych. Rozwój nowej metody budowy kart testowych w pełni oparty został na technologii MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), w tym wykorzystaniu urządzeń do automatycznego montażu μkontaktorów na ceramicznej podstawie. W artykule omówiono zmiany MicroSpring™ technologii podążającej za wyzwaniami przemysłu półprzewodnikowego i przykłady technologii zaawansowanej do testowania SoC (System on a Chip).

EN

This article presents the evolution of the most advanced silicon wafer test technologies. The development of a new method of probe card construction was fully based on MEMS technology, including the use of devices for automatic assembly of probes on a ceramic substrate. The article discusses the evolution of the MicroSpring™ technology to address the challenges of the semiconductor industry and examples of advanced technology for SoC (System on a Chip) testing.

3

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

72%

Szczepański Z. , Kisiel R.

|

tom Vol. 49, nr 7-8

19-24

PL

Materiały półprzewodnikowe z szeroką przerwą zabronioną posiadają wiele zalet fizycznych, które stwarzają nowe możliwości ich zastosowania w elektronice wysokotemperaturowej i wysokomocowej. Z pośród półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych węglik krzemu stał się najbardziej obiecującym i odpowiednim materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Węglik krzemu jest materiałem najszerzej badanym i najintensywniej rozwijanym i obecnie przyrządy wytwarzane na bazie SiC stały się handlowo dostępne do zastosowań wysokotemperaturowych i wysokomocowych. Niezawodność takich przyrządów jest ograniczona zarówno przez stabilność wysokotemperaturową kontaktów omowych jak i procesy montażu obejmujące zarówno montaż struktur jak i wykonywanie połączeń. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC oraz materiały spełniające stawiane im wymagania wysokotemperaturowe i wysokomocowe. Dokonano przeglądu różnych technologii montażu do zastosowań wysokotemperaturowych oraz opisano procesy montażu stosowane w badaniach własnych. Opisano także kilka wybranych materiałów na podłoża układów, do łączenia struktur oraz na obudowy, które są najodpowiedniejsze do zastosowań wysokotemperaturowych.

EN

Wide bandgap semiconductors have many physical advantages which create their new possibilities for high power and high temperatures applications. From among these materials silicon carbide became the most promising and suitable material for power devices operating at high temperatures. Silicon carbide is the most researched and developed material and therefore power devices based on SiC are now becoming commercially available for high temperature and high power electronic. The reliability of these devices is limited as well by the stability of ohmic contacts at high temperature and assembly processes comprising die attach and interconnections technology. The main attention in this paper is focused on SiC bare die assembly and materials which fulfill high temperatura and high power requirements. There will be described assembly processes used in own researches and made a survey of die attachment processes which fulfill temperatures demands. Also this paper presents a selection of materials for power devices including substrates, packages and bonding materials which are potentially suitable in high temperatures applications. The results of own researches will also be presented

4

Wpływ laserowego przygotowania powierzchni na zgrzewanie ultrakompresyjne drutów dwukomponentowych CucorAl w przemyśle bateryjnym

72%

Bieliszczuk K.

|

2024

|

tom T. 103, nr 11

1324--1326

PL

Przeprowadzono badania wpływu laserowego oczyszczania powierzchni na powtarzalność procesu zgrzewania dwukomponentowego drutu Heraeus CucorAl Plus o średnicy 400 μm w celu określenia konieczności stosowania tego rodzaju przygotowania powierzchni przed procesem zgrzewania. Wcześniejsze badania wykazały znaczący wpływ stanu powierzchni łączonych materiałów na właściwości mechaniczne złącza wykonanego drutem jednokomponentowym wykonanym z wysokiej czystości aluminium.

EN

Welding tests were carried out on laser-cleaned and uncleaned surfaces using a two-component CucorAl wire with a diam. of 400 μm. The obtained joints were subjected to shear tests on a testing machine. Omitting the laser cleaning process before welding had a neg. effect on the stability of the welding process and the qual. of the joint .