Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wideband amplifier

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications

100%

Krcmar M. , Noether N. , Boeck G.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2007

tom nr 1

8-12

A wideband amplifier up to 50 GHz has been implemented in a 0.25 žm, 200 GHz ft SiGe BiCMOS technology. Die size was 0.7×0.73 mm2. The two-stage design achieves more than 11 dB gain over the whole 20 to 50 GHz band. Gain maximum was 14.2 dB at 47.5 GHz. Noise figure was lower than 9 dB up to 34 GHz and a current of 30 mA was drawn from a 4 V supply. To the author's best knowledge this is the highest gain bandwidth product of a monolithic SiGe HBT amplifier ever reported.

Obliczanie mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB

72%

Modzelewski J.

2014

tom Vol. 55, nr 9

51-54

Przedstawiono metodę obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza liniowego klasy AB w funkcji jego wysterowania. Przyjęto odcinkowo-liniową aproksymację charakterystyki przejściowej tranzystora (dla obszaru dużych prądów, obszaru zakrzywienia i obszaru zatkania. Metoda obejmuje zasady doboru prądu spoczynkowego tranzystorów wzmacniacza klasy AB zapewniające dużą liniowość i sposób obliczania mocy traconej w tranzystorach w funkcji wysterowania. Otrzymane wyniki zweryfikowano drogą symulacji komputerowych wzmacniacza liniowego klasy AB z tranzystorami IRF510 (20W, 1÷3 MHz).

A method of calculating the power dissipated in transistors in the Class-AB linear amplifier versus the amplifier drive level is presented. A piecewiselinear approximation of the transistor transfer characteristic is applied (in the high-current region, in the “knee” region, and in the turn-off region). The method describes how to find the quiescent current of power transistors in the Class-AB amplifier allowing to maximize its linearity and how to calculate the power loss in transistors versus the drive level. This method has been verified by PSPICE simulations of the Class-AB linear power amplifier with IRF510 (20 W, 1÷3 MHz).

Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi

58%

Modzelewski J. , Bartosik A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

tom Vol. 54, nr 9

131-134

Przedstawiono projektowanie, symulacje komputerowe, budowę, regulacje i testowanie przeciwsobnego liniowego wzmacniacza klasy AB o założonej mocy 20 W w paśmie 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi MOSFET powszechnego użytku (IRF510). Uzyskano liniową charakterystykę przejściową i płaską charakterystykę częstotliwościową w paśmie 26-29 MHz, natomiast moc wyjściowa, sprawność energetyczna i wzmocnienie mocy są niższe od oczekiwanych (13,5W, 27% i 14,7dB, odpowiednio).

Design, computer simulations, building, tuning, and testing of linear high-frequency class-AB push-pull power amplifier with switch-mode general-purpose transistors (IRF510) are presented. The assumed output power is 20 W in the 26-29 MHz band. Measured transfer characteristic of this amplifier is linear and its frequency response is flat between 26 MHz and 29 MHz. In contrast, measured output power, efficiency, and power gain are lower than assumed (13,5 W, 27%, and 14,7 dB respectively).