Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warunki procesu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Uwarunkowania frettingu jako procesu destrukcji warstwy wierzchniej

100%

Neyman A.

tom nr 3

965-974

Uwarunkowania frettingu jako procesu destrukcji warstw wierzchnich związane są głównie z geometrycznymi warunkami styku, rodzajem i kierunkiem względnego ruchu elementów będących w styku, wartością obciążenia, wartością amplitudy poślizgów na powierzchni styku i wpływem otoczenia (tlen, smary, wilgoć). Rodzaj i kierunek względnego ruchu stykających się elementów decyduje o podziale frettingu na 4 zasadnicze rodzaje: fretting przy ruchu stycznym (tangential fretting), fretting przy ruchu normalnym (radial fretting), fretting przy ruchu obrotowym (rotational fretting) oraz fretting przy ruchu skrętnym (torsional fretting). W zależności od wartości amplitudy i wartości obciążenia rozróżnia się trzy zakresy frettingu: styk z poślizgami na części obszaru (partial slip regime), styk z poślizgami na całym obszarze (gross slip regime), zakres przejściowy (mixed slip regime). Analizę uwarunkowań frettingu uwzględniającą współczesne poglądy przedstawiono w referacie.

Conditions of the fretting as surface degradation process are connected with geometrical contact conditions, kind and direction of relative movement of contacting elements, load value, sliding amplitude value and influence of surrounding atmosphere (oxygen, lubricant, moisture). Kind and direction of relative movement decide on division of fretting on four types: tangential fretting, radial fretting, rotational fretting, torsional fretting. Three fretting regimes are classified depending on load and amplitude of sliding: partial slip regime, gross slip regime and mixed slip regime. Fretting conditions analyse taking into account contemporary views is presented in the paper.

Charakterystyka AFM cienkich warstw SnO2 uzyskanych podczas sputteringu magnetronowego przy wybranych warunkach procesu

51%

Grudniewski T. , Lubańska Z. , Czernik S.

tom z. 62, nr 2

99--106

Mikroskopia sił atomowych (AFM-Atomic Force Microscopy) znajduje obecnie szerokie zastosowanie w dziedzinie charakteryzacji materiałów elektronicznych [1,2]. Oprócz precyzyjnego pomiaru topografii powierzchni z rozdzielczością umożliwiającą obserwowanie warstw atomowych, współczesne urządzenia tego typu oferują wiele dodatkowych możliwości, obejmujących badanie właściwości elektrycznych, magnetycznych jak i zmian zachodzących przy wahaniach temperatury. Jednym z zastosowań może być charakteryzacja otrzymanych warstw na podstawie obserwowanych obrazów struktur oraz powiązanie obserwowanej struktury z parametrami elektro-optycznymi. Szczególnie interesujące są struktury przewodzące prąd, przeźroczyste oraz takie, które absorbują jak najwięcej energii z padającego promieniowania [3-7]. Autorzy w niniejszej pracy wykonali badania metodą mikroskopii sił atomowych (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C – Rys.1.) cienkich warstw SnO2 otrzymanych w procesie napylania w Line 440 Alliance Concept. Postanowiono zbadać zależności pomiędzy topografią warstw a temperaturą procesu napylania, ilością gazów biorących udział w procesie oraz równolegle własnościami elektrycznymi. Starano się odszukać zależności umożliwiające charakteryzowanie parametrów elektro-optycznych warstw SnO2 (uzyskiwanych w różnych temperaturach) w oparciu o obrazy pozyskane techniką AFM. Autorzy uważają, że badania struktur z wykorzystaniem AFM usprawnią dobór procesów napylania celem otrzymania oczekiwanych własności elektrycznych i optycznych. Otrzymane podczas prac rezultaty pozwalają na chwilę obecną skorelować własności elektro-optyczne warstw z ich topografią oraz procesami wytwarzania. Przeprowadzone eksperymenty pozwoliły w fazie finalnej na otrzyanie przezroczystych tlenków SnO2 o zakładanej rezystancji.

Atomic force microscopy is one of the most popular method used in surface imaging. This method allows to measure the surface topography and determine the dimensions of the structures in the subatomic resolution [1]. Due to its properties, it can be applied to the measurement of conductors and semiconductor surfaces prepared in various processes. The experiment is focused on SnO2 and ITO thin layers which can be used as transparent electrodes [2]. The authors are trying to illustrate the correlation between process parameters - creation of semiconductor in magnetron sputtering by different process conditions (temperature and cooling process, gas pressure and composition), surface of the sample and its other electro-optical parameters. The authors of this research performed experiments using atomic force microscope (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C - Fig.1.). SnO2 thin films were prepared in a sputtering system Line 440 Alliance Concept. It was decided to examine the relationship between the topography of the layers and the temperature of the sputtering process, the amount of gas involved in the process and parallel electrical properties. Attempts were made to find a relationship permitting the characterization of the electro-optical parameters SnO2 layer (obtained at different temperatures) based on the obtained AFM images. The authors believe that the study of structures using AFM facilitate the selection process in order to obtain the expected sputtering electrical and optical properties. Results obtained during the work permit at the moment correlate the electro-optical properties of the layers of their topography and manufacturing processes.