W pracy skupiono się na optymalizacji kluczowych parametrów procesu ALD w wielkoskalowym reaktorze produkcyjnym o rozmiarze 2200 × 1200 mm pozwalającym na jednoczesne pokrywanie warstwą tlenkową 10 tafli szklanych o grubości 4 mm. Optymalizacji poddano procesy wzrostu warstwy Al₂O₃ oraz TiO₂ jako materiałów charakteryzujących się wysoką odpornością na czynniki środowiskowo klimatyczne.
EN
The influence of the precursor dose of the ALD process on the quality of AR and AS layers used in photovoltaic technologies. The focus of the work was on optimizing key parameters of the ALD process in a large-scale production reactor measuring 2200 × 1200 mm, allowing simultaneous coating of 10 glass sheets, each with a thickness of 4 mm, with an oxide layer. The optimization involved the growth processes of Al₂O₃ and TiO₂ layers as materials characterized by high resistance to environmental factors.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.