Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2010

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwa emiterowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model dyfuzji fosforu w krzemie wykorzystywany do wyznaczania profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej ogniwa słonecznego

100%

Filipowski W. , Waczyński K. , Wróbel E. , Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

tom Vol. 51, nr 5

102-105

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad modelowaniem profilu koncentracji w warstwie emiterowej ogniwa fotowoltaicznego. Prawidłowo uformowany profil koncentracji decyduje o parametrach złącza n + -p, co w konsekwencji wpływa na ostateczną sprawność konwersji fotowoltaicznej. Niemniej ważną właściwością warstwy emiterowej powinna być możliwość wykonania na jej powierzchni elektrody "zbierającej" o dobrej jakości kontaktu metal-półprzewodnik. W związku z tym, w trakcie prac technologicznych, wystąpiła konieczność właściwego doboru parametrów procesu domieszkowania, takich jak: temperatura, czas, rodzaj źródła domieszki, w celu uzyskania pożądanych cech warstwy emiterowej. W niniejszym artykule zostanie zaprezentowany model procesu dyfuzji fosforu w krzemie pozwalający na wyznaczenie profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej struktury fotowoltaicznej.

This paper presents the results of work on calculating the profile of dopant concentration in the emitter layer of solar cell. The emitter formation is one of the crucial steps in the manufacturing process of silicon solar cells. The p-n junction - which owing to the characteristics of light absorption should be formed at a close, strictly specified distance from the cell's surface - is formed at relatively low temperatures and short diffusion times. This article presents the results of the research performed on the model enabling the calculation of the emitter layer profile, using diffusion process parameters only. The measure results of real diffusion layers were compared with the simulation.

Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji

84%

Filipowski W. , Waczyński K. , Wróbel E. , Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

tom Vol. 51, nr 5

60-62

Ogniwa słoneczne należą do przyrządów półprzewodnikowych o bardzo dużej powierzchni. Podczas wytwarzania struktur o tak dużej powierzchni metodą domieszkowania dyfuzyjnego pojawia się problem jej jednorodności. W artykule przedstawiono wyniki badań jednorodności warstwy emiterowej pod kątem rezystancji powierzchniowej. Dokonano porównania jednorodności warstw wytworzonych z wykorzystaniem komercyjnej pasty P101 firmy Soltech i warstw wytworzonych z wykorzystaniem szkliw domieszkowych preparowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej.

Solar cells are semiconductor devices with very large surface area. During production of structures with such a large area by the diffusive doping method raises the problem of homogeneity. This article presents the results of studies on emitter layer homogeneity in terms of surface resistance. A comparison of the homogeneity of layers was carried out using commercial P101 (Soltech) paste and layers produced using spin on glasses prepared in the Institute of Electronics, Silesian University of Technology.