Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Wpływ dodatku związków organicznych w zawiesinowych kąpielach do niklowania na adsorpcję jonów Ni(II) na cząstkach SiC.

100%

Mromlińska Z. , Waligóra A.

|

1998

|

tom Vol. 46, nr 27

230-233

PL

Przedstawione opracowanie jest częścią pracy nad procesem tworzenia niklowych powłok dyspersyjnych, w celu zastąpienia nimi technicznych powłok chromowych. Celem pracy było określenie wpływu kolejności wprowadzania do badanego roztworu proszku SiC oczyszczonego i nie oczyszczonego oraz związków organicznych: laurylosiarczanu sodu, sacharyny i 2 - butyn - 1,4 - diolu na adsorpcję jonów niklu Ni(II). Badaniami objęto zmienność pH w czasie - kąpieli zawiesinowej.

EN

Presented report is a part of research on the process of nickel dispersion coatings deposition leading to supersede technical chrome coatings. The various sequence of introduction of purified and not purified SiC and organic compounds of sodium laurylsuulphate, saccharin and 2 - butyne - 1,4 - diol. Solution has been analysed with the aim to determine the influence of them on ions Ni(II) adsorption. The pH variation in time suspension bath has been investigated.

2

Wpływ procesu odgazowania na strukturę kompozytów aluminiowych zawierających cząstki węgla szklistego i węglika krzemu

88%

Śleziona J. , Wieczorek J. , Dolata-Grosz A.

|

2006

|

tom Vol. 27, nr 3

665-667

PL

Najczęściej pojawiającym się w trakcie realizacji procesu wytwarzania kompozytu problemem jest jego zagazowanie w stanie ciekłym, powstałe wskutek wprowadzania cząstek i prowadzonego w czasie wprowadzania mieszania. Skutkiem zagazowania zawiesiny kompozytowej jest porowatość gazowa obserwowana w strukturze odlewu. Ponadto często spotykanym problemem są powstające trakcie procesu mieszania aglomeraty cząstek i klastery, powstałe. w wyniku adsorpcji pęcherzy gazowych na powierzchni ceramiki powodują nieciągłość struktury kompozytowych odlewów, a tym samym obniżają właściwości wytwarzanych wyrobów. Porowatość wpływa niekorzystnie przede wszystkim na właściwości mechaniczne wyrobów, obniża odporność korozyjną odlewów wpływa także na wzrost ich zużycia szczególnie w warunkach tarcie technicznie suchego.W pracy przebadano wpływ odgazowania zawiesin kompozytowych, z wykorzystaniem techniki próżniowej na strukturę wytwarzanych odlewów.

EN

Casting methods for manufacturing composite mixtures with utilizing mechanical stirring are regarded to be the most economical in the application and industrial practice. The most frequent problem that is met during the composite suspension producing process is its gassing resulting from the introducing of the particles and stirring conducted during it. The result of the composite mixture gassing is gaseous porosity that can be observed in the cast structure. Furthermore the frequently encountered problem are developing during the mixture process particles’ agglomerates and gas clusters, rising as a result of gas blisters adsorption on the ceramics surface, which cause discontinuity of composite’s casts structure and thereby lowering properties of manufactured products. The porosity has its adverse influence most of all on the mechanical properties of the products, it reduces corrosive resistance of the casts and also results in increasing their wear, especially in dry sliding conditions.In the paper composite mixtures degassing influence on the structure of manufacturing cast with the use of vacuous technology was examined.

3

Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC

75%

Orzyłowski M. , Rudolf Z.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 7

150-154

PL

W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.

EN

The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.

4

Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

75%

Zarębski J. , Bisewski D.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 7

177-180

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystor ów MOS wykonanych z węglika krzemu (SiC). Wykorzystując literaturowy model omawianego tranzystora przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk statycznych i zależności pojemności występujących w badanym tranzystorze od napięć zaciskowych, które porównano z wynikami pomiarów dwóch wybranych typów tranzystorów SiC-MOS. Ponadto zbadano wpływ temperatury na charakterystyki tych tranzystorów.

EN

The paper deals with a problem of modelling of MOS transistors made of silicon carbide (SiC). DC characteristics and dependences of transistor capacitances versus voltages calculated using a literature model have been compared with results of measurements of two chosen SiC-MOS transistors. Influence of the temperature on the investigated devices characteristics has been examined.

5

Analiza procesu wytwarzania proszków SiC metodą zol-żel

75%

Biedunkiewicz A. , Figiel P. , Gabriel U. , Sabara M.

|

tom Vol. 31, nr 4

879-883

PL

Przedstawiono problematykę wytwarzania proszków SiC metodą zol-żel. Jako prekursor stosowano Si(OC2H5)4 - TEOS. Produkt hydrolizy i kondensacji, tj. nSiO2 stanowił substrat w procesie redukcji karbotermicznej. Jako reduktor zastosowano węgiel aktywny. Karbotermiczną redukcję prowadzono w argonie w wysokiej temperaturze. Zastosowano następujące techniki badawcze: XRD, TG-DSC-MS. Określono sposob przebiegu procesu, zidentyfikowano produkty pośrednie i końcowe, wyznaczono etapy procesu oraz temperaturowe zakresy ich przebiegu. Wyniki tych badań stanowią podstawę do opracowania technologii wytwarzania węglików krzemu metodą zol-żel w formie proszków.

EN

The range of problems concerning SiC powders manufacturing by sol-gel method has been presented. Si(OC2H5)4 - TEOS was used as precursor. The product of hydrolysis was a substrate in carbothermic reduction process. Active carbon was used as reductant. Carbothermic reduction was carried out under argon at high temperature. The following techniques were applied: XRD, TG-DSC-MS. The ways of process courses were determined, intermediate and final products were identified and the stages of the process along with the temperature ranges of their courses were established. The results of these investigations form the basis for elaboration of technology of silicon carbide powders manufacturing by sol-gel method.

6

Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

75%

Piskorski K. , Przewłocki H. M. , Esteve R. , Bakowski M.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 9

109-114

PL

Wykorzystanie różnych elektrycznych i fotoelektrycznych technik pomiarowych oraz użycie odpowiednich metod obliczeniowych pozwala na uzyskanie informacji na temat wielu parametrów schematu pasmowego badanej struktury MOS. W pracy tej przedstawiono wyniki pomiarów przeprowadzonych na kondensatorach MOS wykonanych na podłożu 3C-SiC(n) różniących się materiałem bramki (Al, Ni oraz Au).

EN

n this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors. consisting of different gate materials: Al. Ni and Au of different thicknesses SiO₂ insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC Many different measurement techniques are employed in order to completely define all parameters of the band diagram of the MOS structure which is the main goal of these investigations.

7

Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki

75%

Piskorski K. , Przewłocki H. M. , Esteve R. , Bakowski M.

|

2012

|

tom Vol. 53, nr 9

48-51

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur metal-SiO₂-SiC uzyskanych na podstawie elektrycznych i fotoelektrycznych technik charakteryzacji. Parametry te, do których należą efektywna kontaktowa różnica potencjałów φMS, wysokość bariery potencjału na granicy metal-dielektryk E BG oraz napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku V FB wykreślone w funkcji współczynnika R, zdefiniowanego jako stosunek obwodu do pola powierzchni bramki badanej struktury, wykazują malejącą tendencję wraz ze wzrostem wartości R. Kierunek tych zmian dowodzi, że wartości lokalne tych parametrów mierzone na rogach bądź krawędziach bramki są mniejsze od tych, mierzonych na jej środku.

EN

In this work studies of some electrical parameters of the MOS structure based on 3C-SiC are presented. The effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage V FB were measured using several electric and photoelectric techniques. Values of these parameters obtained on structures with different gate areas decrease monotonically with increasing parameter R, defined as the ratio of the gate perimeter to the gate area. Such behavior confirmed results obtained on MOS structures on silicon substrate and also supported our hypothesis that the mechanical stress in the dielectric layer under the metal gate causes non uniform distribution of some parameters of MOS structure.

8

Selected mechanical properties of aluminum composite materials reinforced with SiC particles

75%

Kurzawa A. , Kaczmar J. W. , Janus A.

|

2008

|

tom Vol. 8, iss. 2

99-102

EN

This work presents the results of research concerning influence of ceramic particles' content of silicon carbide on selected mechanical properties of type AW-AlCu4Mg2Mn - SiC composite materials. Composites produced of SiC particles with pressure infiltration method of porous preform and subject to hot plastic forming in the form of open die forging were investigated. The experimental samples contained from 5% up to 45% of reinforcing SiC particles of 8÷10žm diameter. Studies of strength properties demonstrated that the best results, in case of tensile strength as well as offset yield strength, might be obtained while applying reinforcement in the amount of 20-25% vol. of SiC. Application of higher than 25% vol. contents of reinforcing particles leads to gradual strength loss. The investigated composites were characterized by very high functional properties, such as hardness and abrasive wear resistance, whose values increase strongly with the increase of reinforcement amount. The presented results of the experiments shall allow for a more precise component selection of composite materials at the stage of planning and design of their properties.

9

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

75%

Łobodziński W. , Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Orzechowski Z. , Kozłowski J. , Wiechowski J.

|

2008

|

tom Vol. 49, nr 12

70-74

PL

Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.

EN

The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.

10

Analiza składu chemicznego węglika krzemu – spójność uzyskiwanych wyników w zależności od stosowanej metodyki pomiarowej

75%

Stec K.

|

2011

|

tom T. 63, nr 3

660-662

PL

W pracy przedstawiono wyniki analiz chemicznych węglika krzemu w zależności od zastosowanej normy. Zaprezentowano wady i zalety poszczególnych metod analitycznych oraz ich występowanie w zależności od stopnia czystości analizowanego SiC. W pracy przeprowadzono również badania materiałów zawierających SiC w tym betonów i scharakteryzowano problemy analityczne wynikające z obecności innych składników ogniotrwałych. Prezentowane wyniki odnoszą się do certyfikowanych materiałów referencyjnych oraz w przypadku betonów na mieszankach certyfikowanych materiałów referencyjnych. W badaniach posługiwano się procedurami opisanymi w normach: PN-86/H-04157 „Materiały ogniotrwałe. Analiza chemiczna węglika krzemu i wyrobów z węglika krzemu”, ISO 9286:1997 „Materiały ścierne i surowce – Analiza chemiczna węglika krzemu” oraz PN-EN ISO 21068 części 1-3:2008 „Analiza chemiczna surowców i wyrobów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu”. W każdym z tych dokumentów próbki surowca SiC i materiały zawierające SiC przygotowywane są w inny sposób, co jak wykazano w istotny wpływa na otrzymywane wyniki. Przedstawiono wyniki jakie uzyskano dla certyfikowanych materiałów odniesienia oraz dla próbek rzeczywistych stosując proponowane w normach metody pomiarowe wraz z omówieniem wpływu zastosowanej metodyki na uzyskiwane wyniki. Szczególna uwagę zwrócono na zawartości krzemu pierwiastkowego często obecnego w surowcach lub materiałach z SiC którego wyniki oznaczania w znacznym stopniu różnią w zależności od stosowanej normy. I tak w przypadku normy PN-86/H-04157 i PN-EN ISO 21068 części 1-3:2008 procedury przewidują obecność pierwiastków metalicznych i uwzględniają tą obecność przy określaniu zawartości krzemu pierwiastkowego, natomiast norma ISO 9286:1997 nie uwzględnia dodatków metalicznych, a wyniki zawartości krzemu pierwiastkowego zawyżone są o możliwą obecność metali. Zastosowanie przedstawionych w normach metodyk analitycznych nie jest wymienne dlatego niezmiernie ważne jest, aby mieć świadomość wpływu metodyki przedstawionej w normie na uzyskiwane wyniki.

EN

The work presents the results of silicon carbide chemical analyses depending on the applied standard. Advantages and drawbacks of particular analytical methods and their occurrence depending on the degree of purity of the analysed SiC have been presented. The work also presents investigations into SiC-containing materials, including castables, and characterises analytical problems, which result from the presence of other refractory components. The presented results refer to certified reference materials and, in the case of castables, to mixes of certified reference materials. The investigations were based on procedures specified in the following standards: PN-86/H-04157 „Refractory materials. Chemical analysis of silicon carbide and silicon carbide products”, ISO 9286:1997 „Abrasive grains and crude – Chemical analysis of silicon carbide” and PN-EN ISO 21068 parts 1-3:2008 „Chemical analysis of silicon-carbide-containing refractory raw materials and refractory products”. In each of these documents, the samples of SiC and SiC-containing products are prepared in a different way, which has been proved to significantly influence the results. The authors presented the results obtained for certified reference materials and for real samples using the measurement methods proposed in the standards. The effect of the applied methodology on the obtained results has also been discussed. Particular attention has been paid to the content of elemental silicon, frequently present in SiC-containing raw materials and products, whose results of determination differ significantly depending on the standard applied. The procedures contained in PN-86/H-04157 and PN-EN ISO 21068 part 1-3:2008 standards take into account the presence of metallic elements when determining the content of elemental silicon, whereas ISO 9286:1997 standard does not take into consideration metallic additives, and the results of elemental silicon contents are overstated due to a possible presence of metals. Nowadays the use of standards is voluntary; in the case of sale of SiC-containing raw materials and products the standards are reference documents accepted by both parties. It is important to be aware of the influence of methodology presented in the standard on the obtained results.

11

Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC

75%

Adamus Z. , Kuchuk A. V. , Wzorek M. , Barcz A. , Kamiska E. , Piotrowska A.

|

2010

|

tom Vol. 51, nr 9

108-111

EN

Multilayered structure of Ni and Si on n-type 4H-SiC has been annealed in the rapid thermal processing (RTP) in the range of temperatures from 600...1050°C. To study an influence of the RTP on electrical and structural properties of samples several measurement techniques have been applied: current - voltage characteristics were stored, X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), Rutherford backscattering spectrometry (RBS), scanning electron microscopy (SEM), second ion mass spectroscopy (SIMS) and atomie force microscopy (AFM). Electrical measurements revealed a transition from rectifying to ohmic contacts after the RTP at T = 1050°C and the sample exhibits specific contact resistivity of 4.2·10⁻⁴Ωcm² with using the circular transmission line model (CTLM). The structural characterization disclosed a formation of nickel silicide phases after RTP. A reaction between the metallization and the surface is observed after RTP at T = 1050°C what coincides with the appearance of the ohmic contacts.

PL

Wielowarstwowe struktury składające się z niklu oraz krzemu były poddawane wygrzewaniom w szybkich procesach termicznym (RTP) w zakresie temperatur 600... 1050°C. Wpływ metody RTP przeprowadzanej w atmosferach azotu i argonu na własności elektryczne i strukturalne próbek został zbadany przy użyciu następujących technik pomiarowych: pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (/ - V), dyfrakcja rentgenowska (XRD), mikroskopia sił atomowych (AFM), elektronowa mikroskopia transmisyjna (TEM), rozpraszanie wsteczne Rutherforda (RBS), elektronowa mikroskopia skaningowa (SEM), masowa spektroskopia jonów wtórnych (SIMS). Pomiary elektryczne wykazały powstawanie omowych kontaktów po procesie RTP w temperaturze 1050°C. Zastosowanie metody CTLM pozwoliło wyznaczyć rezystywność uzyskanych kontaktów, której najniższa wartość wyniosła 4.2· 10⁻⁴Ωcm². Charakteryzacja strukturalna wykazała tworzenie się krzemków niklu po wygrzewaniu w 600°C. Zwiększanie temperatury wygrzewania skutkuje reakcją metalizacji z podłożem. Proces ten zachodzi jednocześnie ze zmianą własności elektrycznych próbek.

12

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

75%

Dobrzański L. , Góra K. , Jagoda A. , Kozłowski A. , Stańczyk B. , Przyborowska K.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

16-19

PL

W artykule przedstawiamy opracowanie technologii wysokonapięciowej diody Schottkyego wykonanej z materiału wytworzonego w całości w ITME. Najpierw omówiono problem zakończenia złącza Schottkyego i wykonano numeryczne symulacje zjawiska przebicia diody. Wyniki obliczeń zweryfikowano eksperymentalnie. Następnie wykonano wiele eksperymentalnych partii technologicznych diod o różnym polu powierzchni złącza. Na tej podstawie oszacowano aktualny stan całego cyklu technologicznego wytwarzania wysokonapięciowych przyrządów mocy w ITME od wzrostu monokryształu, przez wzrost warstw epitaksjalnych aż do wykonania przyrządu półprzewodnikowego. Oceniamy, że możemy w chwili obecnej produkować diody mocy o napięciu przebicia 600 V i prądzie przewodzenia 3 A. W najbliższej przyszłości te wartości zostaną ulepszone do poziomu prądu 5... 10 A przy napięciu przebicia 600 V. Na podstawie szeroko zakrojonych badań statystycznych oceniamy poziom uzysku tej działalności na 75%.

EN

We report on development of high-voltage Schottky barrier diode on single crystal SiC wafers and epi-Iayers grown at ITME. The problem of Schottky junction termination extension has been solved using the numerical simulation. The calculated results have been verified by experiment. We have carried out many experiments with diodes of diverse junction areas and have estimated capabilities of our whole technological cycle starting from crystal growth, epi-Iayer growth and finally construction of diode and device processing. We claim that current status of SiC technology at ITME is the following: we can fabricate diodes which exhibit 600 V of breakdown voltage and forward current of 3 A with the yield greater than 75%. We estimate that these values will change in the near future to be 5... 10 A of forward current and 600 V of breakdown voltage at the same yield level.

13

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

75%

Kisiel R. , Guziewicz M.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

26-31

PL

Węglik krzemu (SiC) stał się obiektem szczególnego zainteresowania głównie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać krzem [1]. Półprzewodnikowe przyrządy mocy oparte na węgliku krzemu stają się handlowo dostępne do zastosowań wysokomocowych i wysokotemperaturowych, ale nie przekraczających 250 C. Niezawodność przyrządów z SiC jest ograniczona z jednej strony stabilnością termiczną kontaktów omowych wytworzonych w SiC [2], z drugiej strony materiałami stosowanymi do połączeń struktury SiC z podłożem, a także materiałami i technologiami użytymi do wykonania połączeń elektrycznych obszarów aktywnych struktury z wyprowadzeniami obudowy i samymi materiałami stosowanymi na obudowy przyrządów [3-6]. W celu wykorzystania specyficznych zalet oferowanych przez przyrządy SiC, niezbędnym staje się opanowanie technologii niezawodnych kontaktów omowych oraz opracowanie wysokotemperaturowych materiałów do połączenia z podłożem, zastosowanie odpowiednich technologii montażu oraz technologii zamykania tych przyrządów w obudowy. W artykule [7] przedstawiono rozwiązania, jakie można zastosować do wykonania połączeń ciepIno-mechaniczno-elektrycznych miedzy strukturą SiC, a podłożem z ceramiki alundowej lub z azotku glinu.

EN

Unique properties of SiC lead this semiconductor for applications in new electronic devices operating at high temperatures, high power and high frequencies. There are a few problems related to the production of high temperature SiC devices. Developing of reliable ohmic contacts to SiC structure as well as a wire connection between the SiC ohmic contact and package leads are the serious tasks for today. The stability of Ni and Ti Au ohmic contacts onto n-SiC as well as the electrical and mechanical properties of Au and Al wire connection onto metallic contacts of n-SiC were investigated. The ohmic contact to n-SiC was formed by rapid thermal annealing of Ti film and Au metallization has been applied to form electrical connections using Au wire bonds. Long-term tests of the connections we re performed in air at 400 C. Evaluation of electrical parameters as well as morphology and structure of the Al metallization onto Ti or Ni based ohmic contacts and with Al wire bonding electrical connections show good stability after ageing at 400 C & 300 h. For SiC structures with Au metallization and Au wire bonding only Ti based ohmic contacts fulfilI thermal stability requirements.

14

Detektor ultrafioletu z węglika krzemu

75%

Dobrzański J. , Grasza K.

|

2006

|

tom Vol. 47, nr 9

20-5

PL

Opisano konstrukcję i technologię pierwszych polskich detektorów ultrafioletu wykonanych na monokrystalicznym węgliku krzemu. Kryształy SiC wyhodowano we własnym laboratorium metodą sublimacyjną. Detektory są diodami Schottky'ego z półprzeźroczystą metalizacją bariery. Diody wykazują bardzo dobre charakterystyki I(V) oraz czułość prądową w zakresie od 0,06 A/W do 0,08 A/W.

EN

We report on development of the SiC UV detector made on a single crystal without epitaxial layers. SiC Crystal was grown in our lab using PVT (Physical Vapor Transport) method. Next we deposit ohmic metal on a whole wafer and annealed it. Schotttky semitransparent metallization was deposited on an opposite side of wafer. Diodes exhibit good I(V) characteristics and a peak responsivity from 0.06 to 0.08 A/W.

15

Badania porównawcze właściwości wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy

75%

Rąbkowski J. , Nowak M. , Barlik R.

|

2008

|

tom R. 84, nr 7

17-21

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych procesów zachodzących w układzie testowym złożonym z tranzystora IGBT i diody zwrotnej - diody Schottky’ego z węglika krzemu lub ultraszybkiej diody krzemowej PiN - w szerokim zakresie zmian temperatury złączowych struktur tych przyrządów. Omówiono także oryginalny układ pomiarowy, bazujący na efekcie samopodgrzewania, umożliwiający prowadzenie badań w precyzyjnie określonych warunkach cieplnych testowanych przyrządów.

EN

In the paper investigations of the process appear in the test circuit that has typical structure consist of transistor and anti-parallel diode (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode or ultrafast silicon PiN diode) in the wide temperature range are presented. The original measurement setup based on self-heating phenomena allows to tests at precise thermal conditions of the elements.

16

Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM

75%

Czerwiński M. , Orzyłowski M.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 7

110-113

PL

Artykuł omawia na wstępie sterowanie prototypowego stanowiska do monokrystalizacji SiC. Ze względu na perspektywę budowy linii produkcyjnej, wyposażonych w tego rodzaju stanowiska, zaprezentowana jest też koncepcja rozwoju systemu sterowania. Jej celem jest komputerowa integracja całej linii z możliwością włączenia jej w dalszej kolejności w komputerowo zintegrowany system wytwarzania (CIM). Jako priorytety przyjęto niezawodność działania linii oraz zwiększanie wydajności i jakości produkcji na bazie analizy zarejestrowanych przebiegów procesów produkcyjnych.

EN

The paper at the beginning describes the control of the prototype system for the growth of SiC crystals. Taking into account the possibility of building of the production line equipped with such systems the conception of control system development is presented also. The aim is computer integration of the whole line with possibility inclusion in computer integrated manufacturing system (CIM). The reliability of the line functioning and increasingy of productivity and quality of the products carried out on the basis of process data collection analysis has been chosen as the priorities.

17

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO₂ wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego

75%

Król K. , Kalisz M. , Sochacki M. , Szmidt J.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 7

93-95

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczących wpływu procesów niskotemperaturowego wygrzewania, stosowanego w procesie otrzymywania tlenku bramkowego do zastosowań w tranzystorze MOS, na właściwości elektrochemiczne warstw SiO₂ wytwarzanych metodą utleniania termicznego. W pracy przedstawiono wzajemne zależności pomiędzy składem chemicznym warstw analizowanym przy pomocy spektroskopu mas jonów wtórnych (SIMS), a właściwościami elektrycznymi kondensatorów MOS, w których funkcję dielektryka bramkowego pełniły analizowane warstwy SiO₂. Wygrzewania przeprowadzono w temperaturze 700 oraz 800° C stosując różne czasy trwania procesu. Najlepsze właściwości elektro-fizyczne interfejsu SiO₂/SiC otrzymano dla warstw wygrzewanych w temperaturze 800° C, natomiast najlepszymi właściwościami objętościowymi, biorąc pod uwagę krytyczne pole elektryczne, charakteryzowały się próbki wygrzewane w temperaturze 700° C. Dodatkowo zbadano wpływ wygrzewania w atmosferach azotowych na właściwości otrzymanych dielektryków.

EN

We present research results on influence of postoxidation anneal treatment to thermal oxide guality obtained by high - temperature wet oxidation of 4H-SIC for usage in power MOSFET transistors. For proper evaluation of investigated oxides properties both Chemical characterisation methods (SIMS) and electrical methods were utilized. In order to extract electrical properties MOS capacitors ware fabricated using examined dielectric layers as gate dielectric. Postoxidation anneal included low - temperature oxygen treatment in 700° C and 800° C for different times and high - temperature nitridation using wet N₂O and dry N₂ anneal. We have obtained best SiO₂ /SiC properties for longer reoxidation times in 800° C followed by nitridation process, however best volume properties in terms of oxide breaking voltage Ubr value and uniformity characterized samples reoxedized in 700° C followed by nitridation process.

18

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

75%

Zarębski J. , Górecki K.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 10

79-81

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost z półprzewodnikowymi elementami kluczującymi wykonanymi z krzemu oraz z węglika krzemu. Przeprowadzono badania rozważanej przetwornicy, zawierającej krzemowy tranzystor MOS oraz krzemową diodę Schottky'ego, krzemowy tranzystor MOS oraz diodę Schottky'ego z węglika krzemu oraz tranzystor MESFET i diodę Schottky'ego z węglika krzemu. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano warunki pracy przetwornicy boost, przy których zasadne jest stosowanie elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu.

EN

In the paper some results of measurements of the boost converter characteristics including switching semiconductor devices produced from silicon and silicon carbide were presented. The investigations were performed for three converters containing: the silicon MOS transistor and the silicon Schottky diode, the silicon MOS transistor and the silicon carbide Schottky diode as well as the MESFET transistor and the Schottky diode produced from silicon carbide. The obtained results of measurements are discussed.

19

Thermal stability of SiC MOS transistors

75%

Stepowicz W. J.

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 3

21-23

PL

Węglik krzemu (SiC) jest obecnie intensywnie badanym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do wytwarzania elementów pracujących w wysokich temperaturach, w zakresie dużych częstotliwości oraz dużych mocy. Na rynku są już dostępne takie elementy z tego półprzewodnika jak diody Schottky'ego, diody pin, tranzystory bipolarne, tranzystory MESFET oraz MOSFET. Ograniczenia zakresu bezpiecznej pracy tranzystorów MOS z SiC mają, między innymi, charakter termiczny wynikający z termicznej stabilności tych elementów.

EN

Silicon carbide (SiC) is currently tested and used as a semiconductor destined to design devices operating in high temperature, high power and high frequency regions. Nowadays some SiC devices are available on the market; there are, for example, Schottky and pin diodes. BJTs, MESFETs and recently MOSFET transistors as well. Some limitations of the safe operation area of SiC devices are discussed, and among them the thermal limitation resulting from thermal stability should be taken into account.

20

Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych

63%

Hapka A. , Janke W.

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 10

92-95

PL

W pracy badane są charakterystyki DC diod Schottky'ego z węglika krzemu. Charakterystyki izotermiczne, obliczone w oparciu o model dla PSPICE dostarczany przez Cree porównano z charakterystykami zmierzonymi, zamieszczonymi w notach aplikacyjnych Cree. Uwzględniono zależność rezystancji szeregowej elementów od temperatury, niekompletny model PSPICE od producenta uzupełniono o odpowiednie współczynniki. W pracy zamieszczono również charakterystyki DC z uwzględnionym efektem samonagrzewania. Charakterystyki te otrzymano po zastosowaniu nowego modelu.

EN

In the paper, the DC characteristics of SiC Schottky diodes are considered. Isothermal characteristics, obtained with the use of PSPICE model, developed by Cree are compared with the real characteristics. measured by Cree. The dependence of the diode series resistance on the temperature is taken into account, and the adequate coefficients are placed into the incomplete Cree model for PSPICE. The DC characteristics with the self - heating included are also presented in this paper. Mentioned characteristics are obtained with the use of a new, compact model for PSPICE.