Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: układy tranzystorowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metoda wykrywania uszkodzeń parametrycznych w układach tranzystorowych

100%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S. , Sidyk P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

tom Vol. 48, nr 11

31-33

Praca dotyczy badania uszkodzeń wielokrotnych o charakterze parametrycznym w układach tranzystorowych prądu stałego. Przedstawiono nową metodę potestową lokalizacji i identyfikacji uszkodzonych elementów przy ograniczonym dostępie do punktów testowych. W badaniach symulacyjnych uwzględniono silne nieliniowości wprowadzane przez tranzystory bipolarne. Metoda nie stawia bardzo rygorystycznych wymagań w zakresie dokładności pomiarowych. Może być uogólniona na obszerną klasę analogowych układów elektronicznych. Przytoczono przykład liczbowy ilustrujący zaproponowaną metodę i potwierdzający jej skuteczność.

A method for multiple fault diagnosis in DC transistor circuits is developed in this paper. It deals with soft-faults, belongs to the class of simulation after test methods and gets along with strong nonlinearities introduced by the bipolar transistors. The method enables us to identify faulty elements and evaluate their values in the circuits with very limited accessible terminals for excitation and measurement. It does not require very high measurement precision. The method can be generalized to a broad class of electronic circuits. A numerical example illustrates the proposed approach and shows its efficiency.

Wyznaczanie statycznych charakterystyk w układach tranzystorowych z wykorzystaniem symulatora analizy dynamicznej SPICE

100%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

tom Vol. 49, nr 11

170-173

Praca dotyczy wyznaczania charakterystyk statycznych w układach tranzystorowych z wykorzystaniem symulatora SPICE. Można je bezpośrednio obliczać przy użyciu programu HSPICE lub PSPICE, jednak w programach tych zaimplementowana jest bardzo czasochłonna metoda "krok po kroku". Alternatywnym podejściem, zaproponowanym w niniejszym artykule jest zbudowanie pewnego pomocniczego obwodu dynamicznego, stowarzyszonego z danym układem tranzystorowym, którego rozwiązanie czasowe jest takie samo jak poszukiwana charakterystyka. Dysponując tym obwodem można ją efektywnie wyznaczyć przeprowadzając analizę czasową za pomocą np. programu IsSPICE 4. Kluczową sprawą jest tu zbudowanie wspomnianego wyżej pomocniczego obwodu dynamicznego. W niniejszej pracy podano ogólną i systematyczną metodę pozwalającą tworzyć taki obwód. W celu zilustrowania zaproponowanego podejścia zamieszczono przykład liczbowy.

In this paper SPICE-oriented approach is used for tracing some static characteristics of transistor circuits. Although HSPICE and PSPICE are able to find the characteristics, they apply a brute force approach, which leads to time consuming analyses. Therefore this paper proposes an alternative approach based on the idea of creating an auxiliary dynamic circuit, having the transient response which corresponds to the required characteristic. In this way the IsSPICE 4 symulator for transient analysis is used and the characteristics are traced efficiently. This paper brings a systematic method for creating this dynamic circuit. The method is a crucial point of the proposed approach. It is illustrated via a numerical example.

Zastosowanie koncepcji homotopii do analizy DC układów tranzystorowych z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania

84%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

tom Vol. 49, nr 11

140-144

Artykuł dotyczy analizy układów tranzystorowych o pojedynczym rozwiązaniu DC (punkcie pracy) z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Zaproponowano algorytm, którego kluczowym ogniwem jest bardzo efektywna metoda wyznaczania punktu pracy w ustalonej temperaturze, wykorzystując koncepcję homotopii. Zjawisko samonagrzewania jest uwzględnione przy wykorzystaniu elektrycznego analogu termicznego zachowania chipu. Ponadto wprowadzono modyfikację algorytmu umożliwiając skuteczne wyznaczanie charakterystyk termicznych w zależności od temperatury otoczenia. Przytoczono przykład liczbowy ilustrujący proponowane podejście.

This paper is devoted to the analysis of diode-transistor circuits having a unique operating point (DC solution) and offers an algorithm for finding the solution considering the thermal behavior of the chip. The crucial point of the algorithm is a very efficient method for finding the DC solution without thermal constraint based on the homotopy concept. It also exploits a known idea of electrical analog of the chip thermal behavior. Furthermore an algorithm for tracing the characteristic expressing the solution in terms of the ambient temperature, allowing for the thermal behavior of the chip, is developed. A numerical example illustrates all the questions discussed in this paper.