Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tyrystory

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie nowoczesnych elementów energoelektronicznych w układach napędowych

100%

Kołodziej H. , Nowak J.

1999

tom Nr 58

49-54

Artykuł niniejszy jest poświęcony zaworom energoelektronicznym (diodom, tranzystorom i tyrystorom), które są podstawowymi elementami przekształtników oraz pewnym aspektom kompatybilności elektromagnetycznej.

Siedemdziesieciolecie urodzin docenta Stefana Januszewskiego

75%

Nasilowski J.

Wiadomości Elektrotechniczne

1999

tom 67

nr 05

254-255

Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych

63%

Januszewski S.

2000

tom Vol. 41, nr 10

12-24

Omówiono obecny stan rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy od wielu lat dostępnych na rynku. Przedstawiono nowe zmodyfikowane przyrządy takie jak: tyrystory wyłączalne komutowane bramką GCT, tranzystory z bramką o wzbogaconym wstrzykiwaniu IEGT oraz nowa rodziną wysokonapięciowych tranzystorów polowych MOSFET występującą pod różnymi nazwami firmowymi (CooIMOS, suoer junction MOSFET). Przedstawiono stan obecny i dalsze tendy rozwojowe dotyczące energoelektrycznych układów scalonych. Omówiono ostatnie osiągnięcia uzyskane w konstrukcji obudów. Podano informację o nowych materiałach półprzewodnikowych, które są brane pod uwagę dla uzupełnienia krzemu w przyrządach wysokotemperaturowych.

State of the art of power semiconductor devices existing many years on the market is given. New modified devices as gate commutated turn-off thyristors (GCT), injection enhanced gate transistors (IEGT) and new family of high voltage MOSFETs with different names (CoolMOS, super junction MOSFET) are presented. State of the art and further trends dealing with power integrated ciruits are discused. Last developments in the field of device packages are given. Some information on new semiconductor materials taking into account applications in high temperature devices are presented.