Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Thermal stability of SiC MOS transistors

100%

Stepowicz W. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 3

21-23

PL

Węglik krzemu (SiC) jest obecnie intensywnie badanym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do wytwarzania elementów pracujących w wysokich temperaturach, w zakresie dużych częstotliwości oraz dużych mocy. Na rynku są już dostępne takie elementy z tego półprzewodnika jak diody Schottky'ego, diody pin, tranzystory bipolarne, tranzystory MESFET oraz MOSFET. Ograniczenia zakresu bezpiecznej pracy tranzystorów MOS z SiC mają, między innymi, charakter termiczny wynikający z termicznej stabilności tych elementów.

EN

Silicon carbide (SiC) is currently tested and used as a semiconductor destined to design devices operating in high temperature, high power and high frequency regions. Nowadays some SiC devices are available on the market; there are, for example, Schottky and pin diodes. BJTs, MESFETs and recently MOSFET transistors as well. Some limitations of the safe operation area of SiC devices are discussed, and among them the thermal limitation resulting from thermal stability should be taken into account.

2

Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

100%

Zarębski J. , Bisewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 7

177-180

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystor ów MOS wykonanych z węglika krzemu (SiC). Wykorzystując literaturowy model omawianego tranzystora przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk statycznych i zależności pojemności występujących w badanym tranzystorze od napięć zaciskowych, które porównano z wynikami pomiarów dwóch wybranych typów tranzystorów SiC-MOS. Ponadto zbadano wpływ temperatury na charakterystyki tych tranzystorów.

EN

The paper deals with a problem of modelling of MOS transistors made of silicon carbide (SiC). DC characteristics and dependences of transistor capacitances versus voltages calculated using a literature model have been compared with results of measurements of two chosen SiC-MOS transistors. Influence of the temperature on the investigated devices characteristics has been examined.

3

Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE

100%

Zarębski J. , Bisewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 6

96-100

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MOS mocy. Przedstawiono i omówiono wybrane modele i makromodele rozważanego elementu, sformułowane dla programu SPICE. Na przykładzie arbitralnie wybranego tranzystora MOS mocy dokonano oceny dokładności rozważanych w pracy modeli i makromodeli.

EN

The paper deals with a problem of modelling of power MOS transistors. Construction of models and macromodels of considered transistors formulated for SPICE have been presented and discussed. Estimation of accuracy of the models and macromodels of arbitrarily chosen power MOS transistors has been performed.

4

An improved algorithm for finding all the DC solutions of MOS transistor circuits

100%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2003

|

tom Vol. 49, z. 1

1-17

EN

Nonlinear circuits containing MOS transistors, having multiple DC solutions, are considered in this paper. The transistor are represented by original polynomial-type nonlinearities and no piecewise-linear approximation is used. The algorithm of successive contraction, division and elimination is improved by adding a new key procedure for the elimination of some regions including no solution. Numerical examples show the effectiveness of this algorithm both for finding the solutions and determining multi-valued input-output characteristics.

PL

Przedmiotem analizy są obwody zawierające tranzystory MOS o wielu rozwiązaniach DC. Tranzystory MOS są reprezentowane za pomocą modelu opisanego zależnością (1) występującego w programie SPICE na poziomie 1. Model ten został przekształcony do równoważnej postaci (6), (7), której odpowiada struktura analogiczana do modelu Ebersa-Molla tranzystora bipolarnego. Rozpatrywany jest ważny i aktualny problem wyznaczania wszystkich rozwiązań DC, bez stosowania odcinkowo-liniowej aproksymacji funkcji występujących w opisie tranzystorów. Do obliczeń użyto wcześniej zaproponowany algorytm sukcesywnego zawężania, podziału i eliminacji. Kluczowym ogniwem tego algorytmu jest metoda zawężania pewnych obszarów hiperprostopadłościennych zawierających jedno lub więcej rozwiązań i eliminacja obszarów nie zawierających rozwiązań. Głównym osiągnięciem pracy jest metoda eliminacji oparta na idei programowania liniowego. W dowolnym obszarze hiperprostopadłościennym obwód opisano liniowym równaniem macierzowym (8) zawierającym dodatkowe niewiadome. Równanie to przekształcono następnie do postaci (9). Reprezentuje ono układ równań skalarnych z nadmiarowymi niewiadomymi, który nie może być rozwiązany jednoznacznie. Stosując techniki programowania liniowego możliwe jest natomiast sprawdzenie czy analizowany obszar zawiera rozwiązanie. W tym celu sformułowano zagadnienie programowania liniowego w standardowej postaci (29) oraz zastosowano fazę 1 medoty simplex. W przypadku nieistnienia rozwiązania rozpatrywany obszar zostaje wyeliminowany. W przeciwnym razie stosowana jest metoda sukcesywnego zawężania podziału i eliminacji do momentu otrzymania elementarnego hiperprostopadłościanu o krawędziach dostatecznie małych, który utożsamia się z punktem odpowiadającym rozwiązaniu. Zaimplementowanie tej metody prowadzi do znacznego zwiększenia efektywności algorytmu i skrócenia czasu obliczeń. W rezultacie możliwe stało się wyznaczenie wszystkich rozwiązań DC zamieszczonego w pracy układu pokazanego na rysunku 1 zawierającego 28 tranzystorów MOS. Układ ten jest dwukrotnie większy od układów podawanych w światowej literaturze, dla których można obliczyć wszystkie rozwiązania DC przy użyciu alternatywnych metod. Opracowany algorytm umożliwia również skuteczne wyznaczanie wielowartościowych i wielogałęziowych charakterystyk wejściowych i przejściowych bez zniekształceń histerezowych wprowadzanych przez program SPICE. Zilustrowano to na przykładzie przerzutnika Schmitta pokazanego na rys. 2 o charakterystyce przejściowej z rys. 3. Łącznie w pracy zamieszczono trzy przykłady praktycznych układów zawierających tranzystory MOS, o wielu rozwiązaniach DC ilustrujące zaproponowany algorytm.

5

Efekty niedopasowania tranzystorów MOS wykonanych w technologii VLSI

100%

Gryboś P.

Elektrotechnika i Elektronika

|

2003

|

tom T. 22, z. 1

25--35

PL

Praca prezentuje efekty niedopasowania tranzystorów MOS wykonanych w technologii VLSI. Omawiane są przyczyny niedopasowania i sposób modelowania tego efektu. Odpowiednia koncepcja układu elektronicznego, warunki jego polaryzacji oraz staranne wykonane masek układu scalonego pozwalają na minimalizację wpływu efektów niedopasowania na finalne parametry układu. Na przykładzie 64-kanałowego układu scalonego NEURO64 przedstawiono sposób modelowania tego typu efektów z użyciem analizy Monte Carlo, a otrzymane wyniki symulacji porównano z wynikami pomiarowymi układu wykonanego w technologii CMOS 0,7 (mikro)m.

EN

This paper presents mismatch effects of MOS transistors manufactured using VLSI technology. The causes and modelling of mismatch are discussed. Proper concept of electronic circuit, its bias conditions and good layout could minimise the influence of mismatch effects on final parameters of integrated circuit. Evaluation of the matching performance is done for 64-channel integrated circuit using Monte Carlo analysis. The results of simulation are verified by the measurements of NEURO64 integrated circuit from CMOS 0,7 (micro)m.

6

Analiza stałoprądowa układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem

84%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

tom Vol. 45, nr 11

30-33

PL

Rozpatrywane są fundamentalne problemy analizy i projektowania układów elektronicznych o wielu rozwiązaniach DC, zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem. Problemy te dotyczą wyznaczania wszystkich rozwiązań DC oraz charakterystyk typu wejście-wyjście. Opracowano dwuetapową procedurę, polegającą na wstępnym wyznaczeniu rozwiązań z wykorzystaniem "the n-th power law model" tranzystorów MOS oraz algorytmu sukcesywnego zawężania, podziału i eliminacji, a następnie uściśleniu tych rozwiązań, stosując kontrolowaną symulację programem SPICE z użyciem modelu BSIM.

EN

Circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions, are analyzed in this paper. The basic question how to find efficiently all the DC solutions and input-output characteristics are considered. A two-part procedure is described for computing all the DC solutions. This procedure exploits the n-th power law model of MOS transistors and the algorithm of successive contraction, division and elimination to find preliminary solutions, and next the BSIM model to correct them using controlled SPICE simulations.

7

Finding all the DC solutions of MOS transistor circuits described by original nonlinear equations

84%

Tadeusiewicz M. , Hałgas S.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2000

|

tom Vol. 46, nr 3

281-297

EN

A broad class of nonlinear electronic circuits, containing MOS transistors, having multiple operaring points, is considered in the paper. The transistors are represented by a model which is built up in Level 1 of SPICE and is transformed to an equivalent Ebers - Moll type form. The nonlinearities of this model are polynomial type and no piecewise - linear approximation is used. An idea of successive contraction, division and elimination is applied and new contraction procedure is developed. The results are correct to at least three decimal places. Numerical examples of circuits encountered in practice, including a CNN "full range" cell containing 16 MOS transistors, are given. They show effectiveness of this approach.

PL

Obszerna klasa obwodów dynamicznych zawierających tranzystory MOS charakteryzuje się tym, że poszczególne obwody mają wiele punktów równowagi, np. przerzutniki, sieci neuronowe, układy logiczne. Te punkty równowagi są rozwiązaniami modelu DC otrzymanego w wyniku zwarcia cewek i usunięcia kondensatorów. Stąd wynika waęny i aktualny problem wyznaczania wszystkich wymienionych wyżej rozwiązań a następnie identyfikacji tych spośród nich, które są stabilnymi punktami równowagi. W pracy przedstawiono efektywny algorytm obliczania wszystkich rozwiązań obwodów DC, w których tranzystory MOS są reprezentowane za pomocą modelu występującego w programie SPICE na poziomie 1. Wspomniany model został przekształcony do postaci równoważnej o konfiguracji typu Ebersa - Molla. Występujące w modelu nieliniowości są wielomianami. W opisie obwodu nie użyto żadnych, rozpowszechnionych w omawianych zagadnieniach, aproksymacji odcinkowo - liniowych zachowując oryginalne funkcje nieliniowe. Do obliczania wszystkich rozwiązań zastosowano algorytm kolejnych zawężeń, podziału i eleminacji, którego kluczowym ogniwem jest metoda zawężania. Opracowano nową, bardzo skuteczną metodę zawężania i dokonano jej implementacji. Przy założeniu, że utożsamia się rozwiązania (napięcia GS i GD tranzystorów MOS) różniące się mniej niż -310 V algorytm gwarantuje wyznaczenie wszystkich rozwiązań. Przeprowadzone eksperymenty numeryczne obejmujące praktyczne układy MOS potwierdziły efektywność zaproponowanego algorytmu. W pracy przytoczono dwa przykłady obliczeniowe, w tym model komórki sieci neuronowej zawierający 16 tranzystorów MOS.