W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.
EN
We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Dokonano przeglądu technik wytwarzania elementów i urządzeń elektronicznych z roztworów i atramentów materiałów organicznych. Zaprezentowano warstwy przewodzące z mieszaniny poli(3,4-dioksyetylenotiofenu) z polistyrenem sulfonowanym (PEDOT/PSS) i ścieżki ze srebra wytworzone na podłożu polimerowym, metodą druku strumieniowego w warunkach przemysłowych. Postęp i ograniczenia w zastosowaniu materiałów organicznych w drukowanej elektronice wykazano na przykładach: tranzystora polowego, diody i tranzystora elektroluminescencyjnego, wytworzonych w warunkach laboratoryjnych.
EN
The review of the techniques for the fabrication of the electronic elements and devices based on organic solutions and inks was done. There was presented the conductive layers of poly(3,4-ethylenedioxythio-phene)/poly(styrenesulfonate) blend (PEDOT/PSS) and silver paths fabricated under industrial conditions on the flexible substrates. The progress and limitations of the organic materials applications for printed electronics were shown based on examples of field effect transistors, electroluminescent diodes and transistors. The presented devices were prepared under laboratory conditions.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.