W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.
EN
The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.