Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: transistor amplifiers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wide bandgap transistor amplifiers for inproved performance microwave power and radar applications

100%

Trew R. J.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2004

tom Vol. 50, z. 4

503-514

The generation of high RF output power, on the order of 100's to 1000's of watts necessary for transmitters for radars and wireless communications systems, remains a difficult challenge for semiconductor devices. RF power devices fabricated from standard semiconductors such as Si and GaAs are limited in the RF output capability by the inherent breakdown voltage of the semiconductor material. Recently, the development of wide bandgap semiconductors, such as SiC and GaN and related heterostructures, offers the potential to fabricate transistors with an order of magnitude improved RF output power compared to traditional devices. The wide bandgap semiconductor transistors offer the potential to fabricate high power transmitters for radars and communications systems, thereby permitting full semiconductor realization of advanced systems. However, the wide bandgap semiconductor devices currently suffer from several physical effects that are limiting the RF performance, and thereby, their application. These limitations are discussed and solutions presented.

Układ polaryzacji tranzystorowego wzmacniacza przeciwsobnego umożliwiający pracę w klasie (A)B

32%

Kristof A.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 11b

40-43

W artykule zaproponowano sposób oraz układ polaryzacji tranzystorów bipolarnych (BJT) pracujących w konfiguracji wzmacniacza przeciwsobnego, dzięki którym możliwa jest praca takiego wzmacniacza w klasie B lub AB. Opisano również wyniki przeprowadzonych wstępnych badań eksperymentalnych i omówiono ważniejsze aspekty praktycznej implementacji zaproponowanego rozwiązania.

In this paper a method and an appropriate circuit of biasing the bipolar transistors (BJT) configured as the push-pull amplifier are proposed, which enable such an amplifier to operate in class B or in class AB. The results of early experimental work are also described, and some essential aspects of practical implementation are briefly discussed.

Tranzystorowy przeciwsobny wzmacniacz mocy z nietypowym układem polaryzacji

32%

Kristof A.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

tom R. 88, nr 11b

44-47

W artykule opisano układ tranzystorowego przeciwsobnego wzmacniacza mocy wykorzystującego nietypowy sposób polaryzacji tranzystorów mocy, umożliwiający pracę tego wzmacniacza w klasie B lub AB. Proponowany sposób polaryzacji polega na prądowym sterowaniu tranzystorami mocy, dlatego nadaje się szczególnie dobrze do współpracy z tranzystorami bipolarnymi (BJT). Przedstawiony układ stopnia mocy może stanowić równoprawną alternatywę dla tradycyjnych rozwiązań opartych o układ komplementarnego wtórnika emiterowego. W pracy wyjaśniono zasadę działania układu oraz przytoczono istotne wyniki przeprowadzonych badań eksperymentalnych (pomiarów), które potwierdzają zarówno możliwość jak i celowość konstruowania wzmacniaczy w oparciu o ten nietypowy i wymykający się tradycji paradygmat.

This paper describes a circuit of the transistor push-pull power amplifier, which utilizes an atypical method of biasing the power transistorstowards the class B or class AB mode of operation. The proposed method of biasing is based on the current drive of the power transistors, and thus it is especially well suited for Bipolar Junction Transistors. The proposed circuit of power stage may be considered as an equivalent alternative to the traditional Complementary Emitter Follower based solutions. The principles of operation of this circuit are explained in this paper, and also the essential results of experimental work (measurements) are shown, which confirm the possibility and desirability of the construction of amplifiersaccording to this atypical and slipping out of the tradition paradigm.