Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: transistor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Understanding HVDC/FACTS controller’s sustainable development & comparative analyses of GTO, GCT, IGBT, MTO, ETO, MCT and MOSFET operations

100%

Alshammari B. M. , Masood T. , Chughtai M. T. , Karim S.

2020

tom R. 96, nr 3

111--113

This article presents a comparative study through analyses regarding a number of power electronics devices. Power Electronic devices have innovative contribution to control the electrical power operations with a degree of precision. The GTO normally are not equipped with amplifying gates. The Asymmetric GTOs are inherently equipped with fast recovery diodes across each GTO, for reverse operations based on the that reverse voltage capability is not required for GTOs operations. This also provide techno economic benefits high voltage, voltage drop and current ratings capability. It can sustain against, short and long-time overcurrent.

W artykule przedstawiono analize porównawczą różnych elementów elektronicznych stosowanych w energoelektronice. Analizowano także wpływ właściwości tych elementów na prtacę urządzeń energetyki, takich jak np. sterowniki wysokonapięciowe FACTS.

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3

59%

Pasecki T. , Kośnikowski W.

tom Vol. 46, nr 2-3

50-51

Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.

HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.