Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  transformer amplifier
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Przeanalizowano właściwości obwodu wejściowego przeciwsobnego liniowego wzmacniacza mocy w. cz. klasy AB z transformatorem szerokopasmowym o przekładni 1:1 na linii transmisyjnej w pobliżu jego dolnej częstotliwości granicznej. Wykazano, że w takim obwodzie wejściowym przy dostatecznie małej częstotliwości roboczej przesunięcie fazy między sygnałami sterującymi bramki obu tranzystorów znacząco maleje poniżej 1800 a różnica między ich amplitudami znacznie wzrasta. W przeciwsobnym wzmacniaczu mocy klasy AB takie błędy sterowania są bardzo niekorzystne, gdyż powodują zniekształcenia nieliniowe wzmacnianego sygnału, w szczególności znaczny poziom drugiej harmonicznej.
EN
Properties of the input circuit in the hf linear Class-AB push-pull power amplifier with the transmission-line 1:1 wide-band transformer were analyzed near its lower limit frequency. It was shown that if the operating frequency is sufficiently low then in this input circuit the phase shift between the signals driving the gates of both transistors decreases significantly below 180o and their amplitude difference increases. In the push-pull Class-AB power amplifier this incorrect driving is very harmful because it causes non-linear distortion of amplifying signals, in particular a high level of the second harmonic.
PL
Przedstawiono projektowanie, symulacje komputerowe, budowę, regulacje i testowanie przeciwsobnego liniowego wzmacniacza klasy AB o założonej mocy 20 W w paśmie 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi MOSFET powszechnego użytku (IRF510). Uzyskano liniową charakterystykę przejściową i płaską charakterystykę częstotliwościową w paśmie 26-29 MHz, natomiast moc wyjściowa, sprawność energetyczna i wzmocnienie mocy są niższe od oczekiwanych (13,5W, 27% i 14,7dB, odpowiednio).
EN
Design, computer simulations, building, tuning, and testing of linear high-frequency class-AB push-pull power amplifier with switch-mode general-purpose transistors (IRF510) are presented. The assumed output power is 20 W in the 26-29 MHz band. Measured transfer characteristic of this amplifier is linear and its frequency response is flat between 26 MHz and 29 MHz. In contrast, measured output power, efficiency, and power gain are lower than assumed (13,5 W, 27%, and 14,7 dB respectively).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.