Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Electrical Characteristics of Tin Oxide Films Grown by Thermal Atomic Layer Deposition

100%

Yoon S. Y. , Choi B. J.

|

tom Vol. 65, iss. 3

1041--1044

EN

Tin dioxide (SnO2 ) is an n-type semiconductor and has useful characteristics of high transmittance, excellent electrical properties, and chemical stability. Accordingly, it is widely used in a variety of fields, such as a gas sensor, photocatalyst, optoelectronics, and solar cell. In this study, SnO2 films are deposited by thermal atomic layer deposition (ALD) at 180°C using Tetrakis(dimethylamino)tin and water. A couple of 5.9, 7.4 and 10.1nm-thick SnO2 films are grown on SiO2 /Si substrate and then each film is annealed at 400°C in oxygen atmosphere. Current transport of SnO2 films are analyzed by measuring current – voltage characteristics from room temperature to 150°C. It is concluded that electrical property of SnO2 film is concurrently affected by its semiconducting nature and oxidative adsorption on the surface.

2

Synthesis and characterization of tin oxide nanoparticles via the Co-precipitation method

100%

Tazikeh S. , Akbari A. , Talebi A. , Talebi E.

Materials Science Poland

|

2014

|

tom Vol. 32, No. 1

98--101

EN

The present study illustrates the characteristics and co-precipitation method for synthesis of tin oxide nanoparticles. The tin oxide nanoparticles were produced using tin chloride, Triton X-100 and ammonia precipitators. Structure, size and surface morphology of the tin oxide was studied by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and scanning electron microscopy (SEM). The results show sphere shaped tin oxide nanoparticles without chlorine contamination. The crystallite size determined by the Scherrer formula is about 23 nm. Lattice parameters calculated by Nelson-Riley equation show high quality of crystallization.

3

Thin SnO2 Films Manufactured Via the Sol-Gel and Electrospinning Methods

88%

Matysiak W. , Tański T. , Smok W. , Polishchuk O.

|

tom Vol. 65, iss. 2

761--765

EN

The aim of this work was to produce a thin SnO2 film by a technique combining the sol-gel method and electrospinning from a solution based on polyvinylpyrrolidone and a tin chloride pentahydrate as a precursor. The spinning solution was subjected to an electrospinning process, and then the obtained nanofiber mats were calcined for 10 h at 500°C. Then, the scanning electron microscopy morphology analysis and chemical composition analysis by X-ray microanalysis of the manufactured thin film was performed. It was shown that an amorphous-crystalline layer formed by the SnO2 nanofiber network was obtained. Based on the UV-Vis spectrum, the width of the energy gap of the obtained layer was determined.

4

Thin SnO2 Films Manufactured Via the Sol-Gel and Electrospinning Methods

75%

Matysiak W. , Tański T. , Smok W. , Polishchuk S. , Matysiak W. , Tański T. , Smok W. , Polishchuk S.

|

nr 2

5

Characterization of morphology and optical properties of SnO₂ nanowires prepared by electrospinning

75%

Tański T. , Smok W. , Matysiak W. , Tański T. , Smok W. , Matysiak W.

|

2021

6

Sieciowanie kauczuku chloroprenowego tlenkiem cyny

63%

Smejda-Krzewicka A. , Rzymski W. M. , Kowalski D.

|

tom T. 60, nr 3

186--191

PL

Przedstawiono nową metodę sieciowania kauczuku chloroprenowego (CR) za pomocą tlenku cyny (SnO). Najlepsze właściwości mechaniczne wykazały wulkanizaty usieciowane tlenkiem cyny w ilości 1—2 cz. mas./100 cz. mas. CR (phr), tj. zdecydowanie mniejszej niż ilości ZnO i MgO użyte do standardowego sieciowania CR. Stwierdzono, że wytrzymałość na rozciąganie wulkanizatu CR usieciowanego tlenkiem cyny jest większa niż wulkanizatu CR usieciowanego standardowo. Oznaczone wartości objętościowego pęcznienia równowagowego i stałych elastyczności świadczą o obecności większej liczby wiązań intermolekularnych. Wykazano, że wprowadzenie do mieszanki kauczukowej krzemionki lub sadzy zwiększyło wytrzymałość na rozciąganie wulkanizatu usieciowanego za pomocą 1 phr SnO, natomiast dodanie kaolinu — nieznacznie pogorszyło właściwości mechaniczne wulkanizatów, jednak wyraźnie zmniejszyło ich palność, o czym świadczy większa wartość wskaźnika tlenowego (OI).

EN

A new method of cross-linking chloroprene rubber (CR) with tin oxide (SnO) is presented. From the viewpoint of the mechanical properties, the optimal SnO contentis between 1 and 2 phr of CR (Table 1, Fig. 1), i.e. definitely less than the amount of ZnO and MgO typically used in CR cross-linking. CR vulcanizate cured with tin oxide demonstrates significantly higher tensile strength than CR cross-linked using a conventional mixture of ZnO and MgO. The determined values of equilibrium volume swelling and Mooney-Rivlin elasticity constants indicate a greater number of intermolecular cross-links. It was found that the incorporation of silica or carbon black into CR leads to an increase in the tensile strength of the vulcanizate crosslinked with 1 phr SnO (Table 2). Although the addition of kaolin to CR cured with SnO results in a slight decrease in the mechanical properties of vulcanizates, it causes a marked reduction of their flammability, as indicated by increase in the oxygen index value (Fig. 2).

7

Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych

51%

Lichograj R. , Olchowik J. M. , Lichograj P. , Czernik S.

|

tom z. 62, nr 2

275--287

PL

Powszechnie wiadomo, iż w oddziaływaniu fotonów z materią może dojść do odbicia, absorbcji i przenikania. W rozwiązaniach fotowoltaicznych, możliwość pomiaru i kontroli tych zjawisk na poziomie badań i produkcji ma kluczowe znaczenie w odniesieniu do ich późniejszej wydajności. Możliwość kontroli grubości warstw w czasie ich nanoszenia metodą napylania magnetronowego, czy też ich redukowania stosując trawienie plazmą, pozwala na dobór optymalnych parametrów optycznych i elektrycznych tworzonych ogniw cienkowarstwowych. W niniejszej pracy trawiono plazmą cienkie warstwy CdTe i SnO2, naniesione we wcześniejszym etapie metodą rozpylania magnetronowego w próżni. Określono parametry technologiczne napylania magnetronowego i trawienia plazmą wpływające na właściwości warstw. Warstwy obrazowano przy użyciu AFM, natomiast pomiary grubości i pomiary współczynnika odbicia dokonano z wykorzystaniem elipsometrii. Przeprowadzone badania wykazały, że trawienie plazmą cienkich warstw w istotny sposób wpływa na zmianę ich refleksyjności (zarówno warstwy półprzewodnika ditlenku cyny jak i tellurku kadmu). Wykazano również ścisły związek użytej mocy i czasu trawienia z redukcją grubości warstwy. Obrazowanie AFM uwidoczniło zmiany w wielkości i ilości ziaren powierzchni trawionych warstw i wzrost ich nieregularności ułożenia, wraz ze zmieniającymi się parametrami procesu. Stwierdzono możliwość całkowitego usunięcia cienkich warstw w procesie trawienia plazmą i w efekcie możliwość uszkodzenia podłoża warstw trawionych co jednak wymaga dalszych badań w tym zakresie.

EN

It is well known that the reaction of photons with matter may lead to reflection, absorption and permeation. In the photovoltaic solutions, the ability to measure and control these phenomena at the level of research and production is crucial in terms of their performance and quality. The ability to control the thickness of the layers at the time of applying magnetron sputtering method or the plasma etching using a reduction allows for selection of the optimum optical and electrical parameters of the formed thin-layer cells. In this study, plasma was digested with thin layers of CdTe and SnO2, deposited by magnetron sputtering in a vacuum. Technological parameters of magnetron sputtering and plasma etching affecting the properties of layers have been specified. The layers were imaged using AFM, and the measurements of the thickness and reflectance measurements were made with the use of ellipsometry. The study showed the plasma etching of thin layers is an important contribution to change their reflectivity (both layers of semiconductors - tin dioxide and cadmium telluride). It was demonstrated the close relationship of the applied power and etching time with the reduction of the layer thickness. AFM imaging revealed changes in the size and number of grains etched surface layers and an increase of their irregular arrangement, together with changing process parameters. The possibility of complete removal of thin layers of plasma etching process, resulting in possible damage to the substrate etched layers has been stated, however, it requires further research in this area.

8

Charakterystyka AFM cienkich warstw SnO2 uzyskanych podczas sputteringu magnetronowego przy wybranych warunkach procesu

51%

Grudniewski T. , Lubańska Z. , Czernik S.

|

tom z. 62, nr 2

99--106

PL

Mikroskopia sił atomowych (AFM-Atomic Force Microscopy) znajduje obecnie szerokie zastosowanie w dziedzinie charakteryzacji materiałów elektronicznych [1,2]. Oprócz precyzyjnego pomiaru topografii powierzchni z rozdzielczością umożliwiającą obserwowanie warstw atomowych, współczesne urządzenia tego typu oferują wiele dodatkowych możliwości, obejmujących badanie właściwości elektrycznych, magnetycznych jak i zmian zachodzących przy wahaniach temperatury. Jednym z zastosowań może być charakteryzacja otrzymanych warstw na podstawie obserwowanych obrazów struktur oraz powiązanie obserwowanej struktury z parametrami elektro-optycznymi. Szczególnie interesujące są struktury przewodzące prąd, przeźroczyste oraz takie, które absorbują jak najwięcej energii z padającego promieniowania [3-7]. Autorzy w niniejszej pracy wykonali badania metodą mikroskopii sił atomowych (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C – Rys.1.) cienkich warstw SnO2 otrzymanych w procesie napylania w Line 440 Alliance Concept. Postanowiono zbadać zależności pomiędzy topografią warstw a temperaturą procesu napylania, ilością gazów biorących udział w procesie oraz równolegle własnościami elektrycznymi. Starano się odszukać zależności umożliwiające charakteryzowanie parametrów elektro-optycznych warstw SnO2 (uzyskiwanych w różnych temperaturach) w oparciu o obrazy pozyskane techniką AFM. Autorzy uważają, że badania struktur z wykorzystaniem AFM usprawnią dobór procesów napylania celem otrzymania oczekiwanych własności elektrycznych i optycznych. Otrzymane podczas prac rezultaty pozwalają na chwilę obecną skorelować własności elektro-optyczne warstw z ich topografią oraz procesami wytwarzania. Przeprowadzone eksperymenty pozwoliły w fazie finalnej na otrzyanie przezroczystych tlenków SnO2 o zakładanej rezystancji.

EN

Atomic force microscopy is one of the most popular method used in surface imaging. This method allows to measure the surface topography and determine the dimensions of the structures in the subatomic resolution [1]. Due to its properties, it can be applied to the measurement of conductors and semiconductor surfaces prepared in various processes. The experiment is focused on SnO2 and ITO thin layers which can be used as transparent electrodes [2]. The authors are trying to illustrate the correlation between process parameters - creation of semiconductor in magnetron sputtering by different process conditions (temperature and cooling process, gas pressure and composition), surface of the sample and its other electro-optical parameters. The authors of this research performed experiments using atomic force microscope (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C - Fig.1.). SnO2 thin films were prepared in a sputtering system Line 440 Alliance Concept. It was decided to examine the relationship between the topography of the layers and the temperature of the sputtering process, the amount of gas involved in the process and parallel electrical properties. Attempts were made to find a relationship permitting the characterization of the electro-optical parameters SnO2 layer (obtained at different temperatures) based on the obtained AFM images. The authors believe that the study of structures using AFM facilitate the selection process in order to obtain the expected sputtering electrical and optical properties. Results obtained during the work permit at the moment correlate the electro-optical properties of the layers of their topography and manufacturing processes.