W pracy omówiono wpływ zdefektowania sieci krystalicznej siarczku lub tlenku, będącego substratem, na wynik w badaniach typu dominującego zdefektowania metodą markerów. Wykazano, że aby uzyskać racjonalne wyniki w przypadku substratów charakteryzujących się dużym stężeniem defektów punktowych, substraty te powinny być przed procesem „markowania” homogenizowane w stałej temperaturze i przy maksymalnym ciśnieniu utleniacza, przy którym pozostają stabilne. Ponadto, niestechiometria związków powinna być uwzględniona przy pisaniu odpowiednich reakcji chemicznych, w oparciu o które przewiduje się położenie markerów wewnątrz produktu reakcji. Rozważania teoretyczne przedstawione w niniejszej pracy zilustrowane zostały wynikami badań metodą markerów CoS2 i NiS2, narastającymi na silnie zdefektowanych siarczkach Co1-yS i Ni1-yS.
EN
The influence of crystalline lattice disorder of oxide or sulphide, being the substrate in investigations of predominant disorder, on the results obtained using marker method has been studied. It has been shown that the correct results of marker experiments in the case of highly defected ceramic substrates can be obtained, if these substrates before the reaction are submitted to homogenization at constant temperature and under highest oxidant activity under which they remain stable. In addition, in the case of highly defected compounds, the nonstoichiometry must be considered in formulating appropriate chemical reactions, being the basis for anticipating the location of markers in the interior of reaction product. Theoretical considerations presented in this work have been illustrated by the results of predominant disorder, obtained using marker method in CoS2 and NiS2, growing on highly disordered Co1-yS and Ni1-yS.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.