W artykule przedstawiono źródła sygnałów zaburzających przewodzonych powstających w przekształtnikach AC-AC. Rozważa się przekształtniki ze sterowaniem fazowym, grupowym oraz impulsowym. Sygnały zaburzające mogą prowadzić do wadliwej pracy urządzeń telekomunikacyjnych, komputerowych i elektromedycznych, a także zakłócać działanie układów sterowania i zabezpieczeń przekształtników.
EN
Power converter is a source of disturbances strongly influencing an electromagnetic environment. Its operating principle together with its dynamic features is a direct cause of such influence. These disturbances can not only interfere its own control systems based on digital electronics and processors, but its computer control system as well. Discussed phenomena for high power converter can not be eliminated with any kind of special filters which use is often limited or even prohibited for safety reasons. It means that immunity to disturbance of microcontrollers and computer systems cooperating with converters is of primary importance.
Artykuł prezentuje koncepcję budowy, konstrukcji oraz wyniki testów modelu przetwornicy DC/DC typu Buck-Boost o mocy do 1 kW z wykorzystaniem tranzystorów z węglika krzemu (SiC JFET). Przetwornica zaprojektowana została do współpracy z magazynem energii w postaci superkondensatora w układzie stabilizacji napięcia laboratoryjnego wieloźródłowego systemu odnawialnych źródeł energii (OZE). Małe straty przewodzenia oraz mała energia przełączeń tranzystorów Sic JFET umożliwiły zwiększenie częstotliwości pracy kluczy przetwornicy do 500 kHz. Przeprowadzone badania laboratoryjne modelu potwierdziły wysoką sprawność przetwornicy na poziomie 95%.
EN
The paper presents the concept of the design, construction and test results of the voltage DC/DC Buck-Boost Converter up to 1 kW with silicon carbide transistors (SiC JFET). The inverter is designed to work with the supercapacitor energy storage bank as voltage stabilization system in multisource renewable energy sources (RES) laboratory stand. Small conduction losses and low switching energy of SiC JFET transistors make possible to increase the operating frequency of the inverter to 500kHz. Conducted laboratory tests confirmed the high efficiency model of the inverter at 95%.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.