Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon wafer

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania nad mechanicznym i chemicznym pocienianiem termicznie połączonych płytek krzemowych

100%

Piątkowski B. , Zabierowski P. , Miros A.

tom T. 30, nr 3

51-59

Przeprowadzono badania nad mechanicznym i chemicznym pocienianiem termicznie łączonych płytek krzemowych metodą pocieniania w procesie szlifowania mechanicznego oraz trawienia alkalicznego i kwaśnego.

The invesitgation of the mechanical and cheimcal thinning of the top wafers to the desired thickness was done. The method of thinning in lapping process and in alkali and acid etchant was investigated.

Correction of the electric resistivity distribution of Si wafers using selective neutron transmutation doping (SNTD) in MARIA nuclear research reactor

100%

Tarchalski M. , Kordyasz A. J. , Pytel K. , Dorosz D.

tom Vol. 57, No. 3

363-367

The result of the electric resistivity distribution modification in silicon wafers, by means of selective neutron transmutation doping (SNTD) method in the MARIA nuclear research reactor at Świerk/Otwock (Poland) is presented. Silicon wafer doping system has been fully designed for the MARIA reactor, where irradiation took place. The silicon wafer resistivity distribution after SNTD has been measured by the capacity voltage (C-V) method. In this article we show first results of this correction technique. The result of the present investigation is that the planar resolution of the correction process is about 4 mm. It is the full width at half maximum (FWHM) of the resistivity distribution produced by thermal neutrons irradiation of Si wafer through a 3 mm hole in the Cd-mask.