Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Direct formation of ZnO nanorods by hydrothermal process: study on its optical properties and electron transport

100%

Mufti N. , Fuad A. , Fibriyanti A. A. , Maryam S. , Kurniawan R. , Taufiq A. , Sunaryono , Rusydi A.

|

tom Vol. 38, No. 1

91--96

EN

We report a new direct fabrication of the ZnO nanorods (NR) by hydrothermal method, in which the preparation of seed layer is eliminated. We show that the tuning of initial temperature rate during the hydrothermal process plays a key role in the structural modification of the ZnO NR. A highly oriented ZnO NR is successfully fabricated by using a low rate of initial temperature. The increase of optical absorption and electron transport was obtained by reducing the diameter and increasing distribution of the ZnO NR on the substrate. Interestingly, an additional absorption from the defects is obtained in the system, which plays an important role in expanding the optical absorption. Our system will provide a favourable characteristic for developing the high-performance optoelectronic devices with high optical absorption and high electron transport.

2

Statistical evaluation of grain boundaries of varistors with modified bismuth oxide

100%

Warycha J. , Mielcarek W.

|

tom Vol. 36, No. 1

145--150

EN

Oxide varistors are made of inhomogeneous material whose properties are determined by active grain boundaries. It is essential that in the microstructure of a varistor only active grain boundaries are present as only such boundaries are involved in the process of conduction. Commercial varistors are characterized by a microstructure with a large amount of electrically inactive areas which include zinc-antimony spinel, bismuth oxide, and pores. Studies on elimination of inactive grain boundaries, which are the intergranular areas rich in reaction products of varistor components and pores, lead to an improvement in the microstructure, thereby improving the electrical properties of the varistor. The results were evaluated using statistical methods, defining the percentage of active grain boundaries in the varistor. Statistical analysis showed that the best results were obtained for a bismuth oxide varistor doped with antimony oxide, containing nearly 100 % conductive grain boundaries in its body.

3

Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych

75%

Chrobak Ł. , Maliński M.

|

tom Vol. 53, nr 12

110-113

PL

W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.

EN

This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomenon of the modulated free carriers absorption.

4

Wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych

75%

Suproniuk M. , Wierzbowski M. , Pawłowski M. , Majda-Zdancewicz E. , Paziewski P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

tom R. 93, nr 10

49--52

PL

W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.

EN

The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.

5

Nowe materiały półprzewodnikowe

63%

Zymmer K. , Berowski P.

Nowa Elektrotechnika

|

2005

|

tom nr 4 (8)

10--11

6

Elektronika wysokotemperaturowa

63%

Lisik Z.

|

tom Vol. 49, z. 2

225-245

PL

Typowy sprzęt elektroniczny jest projektowany do pracy w maksymalnym zakresie temperatur -55C do 125C, nazywany zakresem militarnym (ang. "military range"). W pewnych sytuacjach występuje jednak konieczność wprowadzenia aparatury elektronicznej do otoczenia o znacznie wyższej temperaturze lub też może wystąpić wysoka temperatura wewnątrz przyrządów elektronicznych wywołana efektem samonagrzewania. Stało się to impulsem do zainicjowania badań nad możliwościami konstrukcji takiej aparatury, a ich efektem było wyodrębnienie nowej dziedziny elektroniki, nazwanej "elektroniką wysokotemperaturową" (lub skrótowo HTE od ang "High-temperature electronics"). W pracy skupiono się na przedstawieniu specyfiki tej nowej dziedziny elektroniki. W szczególności, co należy rozumieć pod terminem elektronika wysokotemperaturowa, jakie obszary aplikacji ona obejmuje i jakie jest jej miejsce na rynku. Przedstawiono także jakie nowe problemy są z nią związane i jak one mogą być rozwiązywane, skupiając się w tym przypadku na materiałach półprzewodnikowych, które są kluczowym elementem rozwoju HTE.

EN

The standard electronics equipment is designed to work within the temperature range called the "military range". For some cases, however, one needs to introduce electronics into the environment with higher temperature or the higher inside temperatures caused by the selfheating are required. These needs had became the impulse to start the research how to manufacture such an equipment, which resulted in creation of the new field of electronics called "high temperature electronics" (HTE). The paper is aimed at the introduction of the HTE specifity. In particularly, what this term means, which kinds of application it covers and which place it has on the market. New problems created by the HTE applications and how they can be solved are presented as well, but in this case the interest is limited to the semiconductor materials that are of crucial importance for HTE development.