Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: semiconductor laser diode

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Temperature dependence of turn-on time delay of semiconductor laser diode : theoretical analysis

100%

Ab Rahman M. S. , Hassan M. R.

Opto-Electronics Review

2010

tom Vol. 18, No. 4

458-466

Temperature dependence of the turn-on time delay (ton) of uncooled semiconductor laser diodes biased below and above threshold is analyzed in presence of data pattern effect. We show that even when the laser is biased at or slightly above threshold, the increase in temperature of operation will lead to increase in the threshold carrier (Nth) and consequently the laser diode will be biased below the threshold again and a significant value of ton will be produced. Thus, knowledge about a value of dc-bias current required to achieve zero ton within wide range of temperature degrees is important when considering uncooled laser diode in high-speed optical communication systems. The temperature dependence of ton is calculated according to the temperature dependence of Nth and Auger recombination coefficient (C) and not by the well-know exponentional relationship of threshold current with temperature. The temperature dependence of Nth is calculated according to the temperature dependence of laser cavity parameters. Advanced analytical model is derived in term of carrier density, recombination coefficients and the injection current (Iinj). The validity of proposed model is confirmed by a numerical method. In addition, approximated models are included where under specified assumptions the proposed model reduces to the well-known approximate models of ton. According to our typical values and at a specified value of modulation current, the dc-bias one (Iib) should be increased from Iib = Ith to Iib ≈ 1.25 and 1.5Ith in order to achieve approximately zero ton when the temperature increases from 25°C to 55°C and 85°C, respectively.

Numerical investigation of an impact of a top gold metallization on output power of a p-up III-N-based blue-violet edge-emitting laser diode

100%

Kuc M. , Sarzała R. P. , Stańczyk S. , Perlin P.

Opto-Electronics Review

2015

tom Vol. 23, No. 2

131-136

The effect of modifications in epi-side (top) gold metallization on a thermal performance and on power roll-over of blue-violet III-N-based p-up edge-emitting ridge-waveguide laser diode (RW EEL) was explored in this paper. The calculations were carried out using a two-dimensional self-consistent electrical-thermal model combined with a simplified optical model tuned to a RW EEL fabricated in the Institute of High Pressure Physics (Unipress). Our results suggest that with proper modifications in the III-N-based RW EEL, excluding modifications in its inner structure, it is possible to considerably improve the thermal performance and, thus, increase the maximal output power.

Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej

72%

Kuc M. , Sarzała R. P. , Perlin P.

2014

tom R. 90, nr 9

62-65

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy możliwości zwiększenia mocy wyjściowej uzyskiwanej z krawędziowego lasera azotkowego oraz zaprojektowanych na jego podstawie jednowymiarowych matryc laserowych poprzez zastosowanie wybranych zmian konstrukcyjnych. Dwuwymiarowy elektryczno-cieplny model numeryczny został skalibrowany dla danych eksperymentalnych otrzymanych dla lasera pracującego z falą ciągłą w temperaturze pokojowej wykonanego w laboratorium Instytutu Wysokich Ciśnień UNIPRESS Polskiej Akademii Nauk. Przeprowadzone obliczenia miały na celu określenie wpływu na optyczną moc wyjściową modelowanych przyrządów takich parametrów konstrukcyjnych, jak: szerokość chipu laserowego, grubość podłoża, grubość warstwy złota w kontakcie elektrycznym typu p, liczba i rozstawienie emiterów w matrycy laserowej.

This paper presents calculation results of performance of III-N-based laser diode and its arrays (bars) with various package modifications. We adjusted our 2D thermal-electrical model to room-temperature continuous-wave operating characteristics of nitride-based edge-emitting laser fabricated in the Laboratory of Institute of High Pressure Physics. The impact of chip width, substrate thickness, thickness of p-type gold electrode, number of emitters and emitter-to-emitter distance on output power limits of nitride laser diode is investigated.