PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor devices
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote A method of RTS noise identification in noise signals of semiconductor devices in the time domain
100%
Stawarz-Graczyk B. , Dokupil D. , Flisikowski P.
|
2010
|
tom Vol. 17, nr 1
95-107
EN
In the paper a new method of Random Telegraph Signal (RTS) noise identification is presented. The method is based on a standardized histogram of instantaneous noise values and processing by Gram-Charlier series. To find a device generating RTS noise by the presented method one should count the number of significant coefficients of the Gram-Charlier series. This would allow to recognize the type of noise. There is always one (first) significant coefficient (c0) representing Gaussian noise. If additional coefficients cr (where r > 0) appear it means that RTS noise (two-level as well as multiple-level) is detected. The coefficient representing the Gaussian component always has the highest value of all. The application of this method will be presented on the example of four devices, each with different noise (pure Gaussian noise signal, noise signal with two-level RTS noise, noise signal with three-level RTS noise and noise signal with not precisely visible occurrence of RTS noise).
2
Content available remote The automatic method for recognition of RTS noise in noise signals
100%
Stawarz-Graczyk B. , Załęski D. , Konczakowska A.
|
2007
|
tom Vol. 14, nr 2
219-228
EN
In the paper the automatic and universal system for identi.cation of Random Telegraph Signal (RTS) noise as a non-Gaussian component of the inherent noise signal of semiconductor devices is presented. The system for data acquisition and processing is described. Histograms of the instantaneous values of the noise signals are calculated as the basis for analysis of the noise signal to determine the number of local maxima of histograms and to evaluate the number of RTS noise levels. The presented system does not need supervisor control of identi.cation results.
3
Content available remote Badania porównawcze właściwości wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy
75%
Rąbkowski J. , Nowak M. , Barlik R.
|
2008
|
tom R. 84, nr 7
17-21
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych procesów zachodzących w układzie testowym złożonym z tranzystora IGBT i diody zwrotnej - diody Schottky’ego z węglika krzemu lub ultraszybkiej diody krzemowej PiN - w szerokim zakresie zmian temperatury złączowych struktur tych przyrządów. Omówiono także oryginalny układ pomiarowy, bazujący na efekcie samopodgrzewania, umożliwiający prowadzenie badań w precyzyjnie określonych warunkach cieplnych testowanych przyrządów.
EN
In the paper investigations of the process appear in the test circuit that has typical structure consist of transistor and anti-parallel diode (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode or ultrafast silicon PiN diode) in the wide temperature range are presented. The original measurement setup based on self-heating phenomena allows to tests at precise thermal conditions of the elements.
4
Wyznaczanie temperatury wnętrza przyrządów półprzewodnikowych sterowanych sygnałem w.cz.
75%
Górecki K. , Zarębski J.
|
2006
|
tom Vol. 47, nr 6
21-24
PL
Przeanalizowano zakres słuszności dwóch uproszczeń stosowanych w literaturze przy obliczaniu wartości temperatury wnętrza elementów półprzewodnikowych sterowanych sygnałem w.cz. Pierwsze uproszczenie polega na zastąpieniu prostokątnego przebiegu mocy wydzielanej w elemencie pracującym impulsowo jego wartością średnią, natomiast drugie dotyczy stosowania mocy całkowitej zamiast mocy czynnej w modelu termicznym elementu, służącym do wyznaczania wartości temperatury wnętrza tego elementu. Wykorzystując skupiony model termiczny, wyprowadzono zależności analityczne opisujące błędy wynikające z obu uproszczeń oraz przedyskutowano otrzymane wyniki, zilustrowane przykładami.
EN
In the paper the estimation of two simplifications used for calculations of the junction temperature of semiconductor devices excited by the high frequency signal are considered. The first simplification is based on the replacing the rectangular pulse train of the power p (t) dissipated in the semiconductor device by the average value of p (t) utilized in the device thermal model at the steady-state. The second simplification concerns replacing the real power by the total power, which is taken into account in the device thermal model at the steady-state. The analytical dependencies describing the errors resulting from the simplifications are proposed and the calculation results are discussed. The theoretical consideration was illustrated by the numerical examples.
5
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
75%
Zarębski J. , Górecki K.
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 10
79-81
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost z półprzewodnikowymi elementami kluczującymi wykonanymi z krzemu oraz z węglika krzemu. Przeprowadzono badania rozważanej przetwornicy, zawierającej krzemowy tranzystor MOS oraz krzemową diodę Schottky'ego, krzemowy tranzystor MOS oraz diodę Schottky'ego z węglika krzemu oraz tranzystor MESFET i diodę Schottky'ego z węglika krzemu. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano warunki pracy przetwornicy boost, przy których zasadne jest stosowanie elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu.
EN
In the paper some results of measurements of the boost converter characteristics including switching semiconductor devices produced from silicon and silicon carbide were presented. The investigations were performed for three converters containing: the silicon MOS transistor and the silicon Schottky diode, the silicon MOS transistor and the silicon carbide Schottky diode as well as the MESFET transistor and the Schottky diode produced from silicon carbide. The obtained results of measurements are discussed.
6
Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
63%
Górecki K. , Zarębski J.
|
2012
|
tom Vol. 53, nr 12
13-15
EN
In the paper paths of the heat flow generated inside a semiconductor structure to the surrounding are considered. On the basis of the literature information, typical construction of semiconductor devices cooling systems are analysed. Apart from this, the results of measurements of the thermal resistance and transient thermal impedance of such devices illustrating the influence of some factors on the value of thermal parameters are discussed. The general form of the device thermal model including the multipath of the heat flow and thermal properties of the elements of the heat flow path is proposed.
PL
W pracy rozważane są drogi przepływu ciepła generowanego w strukturze półprzewodnikowej do otoczenia. W oparciu o informacje literaturowe przeanalizowano typowe konstrukcje układów chłodzących elementów półprzewodnikowych oraz przedstawiono wyniki pomiarów rezystancji termicznej takich elementów ilustrujące wpływ wybranych czynników na wartość tego parametru. Zaproponowano ogólną strukturę modelu termicznego elementu półprzewodnikowego uwzględniającego wielodrogowość przepływu ciepła oraz właściwości cieplne elementów toru przepływu ciepła.
7
Modelowanie szumów RTS
63%
Cichosz J. , Szewczyk A.
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 9
161-163
PL
Przytoczono charakterystyczne parametry szumu wybuchowego RTS (Random Telegraph Signal). Przedstawiono algorytm programowego generatora szumów RTS. Algorytm został wyposażony w możliwość dodawania do wygenerowanych impulsów RTS szumu białego oraz szumu typu 1/f. Przedstawiono przykładowe realizacje wygenerowanych przebiegów.
EN
There are parameters of Random Telegraph Signal (RTS) noise are described in the paper. Also there is the algorithm of software RTS generator. The presented algorithm allows to generate the RTS noise with 1/f noise and white noise components. In the paper the examples of generated process are quoted.
8
Supersieci półprzewodnikowe
63%
Mazurczyk R.
|
2000
|
tom nr 5
144-163
PL
W artykule przedstawiony jest aktualny przegląd wiedzy na temat supersieci półprzewodnikowych - sztucznie wytwarzanych struktur materiałowych, w których jeden z rozmiarów przestrzennych ograniczony jest do pojedynczych nanometrów. Rezultatem takiego ograniczenia jest pojawienie się efektów kwantowych, stwarzających nowe możliwości w konstruowaniu przyrządów elektronicznych. Autor przedstawia także krótko wyniki swoich prac w omawianej dziedzinie.
EN
A brief review of semiconductor superlattices is presented - their definition, basics of theory, types of materials and methods used for their preparation, the most important and unusual electrical and optical properties, which have already found their practical applications. In the last chapter, preliminary results of the studies on superlattices prepared from carbon-germanium films are shown.
9
Kadmowo-tellurowe ogniwa słoneczne
51%
Sibiński M. , Burgelman M. , Lisik Z.
|
2000
|
tom nr 5
164-176
PL
Polikrystaliczne heterozłączowe ogniwa słoneczne na bazie tellurku kadmu należą do jednych z bardziej obiecujących rozwiązań na drodze poszukiwań ekologicznych odnawialnych źródeł energii. W pracy przedstawiono zasady ich działania i wytwarzania jako cienkowarstwowych przyrządów półprzewodnikowych. Omówiono badania, których celem było sprawdzenie przydatności procesu ICSVT do formowania bazy CdTe tych ogniw. Potwierdziły one celowość stosowania tego procesu
EN
Polycrystalline heterojunction cadmium telluride solar cells belong to the ones of most promising solutions as concerns the new renewable ecological sources of energy. In the paper, the principles of both their work and their manufacturing as thin layer semiconductor devices are presented. The investigations aimed to check the usefulness of the new ICSVT process to create the CdTe base layer of the solar cells are reported as well.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.