In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained with the use of the new method with the results obtained with the infrared method.
PL
W pracy zaproponowano nową statoprądową metodę pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS. Przedstawiono koncepcję tej metody i sposób jej realizacji. Przedyskutowano wpływ wybranych czynników na dokładność opracowanej metody. Poprawność metody zweryfikowano przez porównanie wyników pomiarów otrzymanych z wykorzystaniem tej metody z wynikami uzyskanymi przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.