PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 35

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  samonagrzewanie
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Elektrotermiczny model tranzystora MESFET
100%
Bisewski D. , Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2012
|
tom No. 71
9--16
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc.. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.
EN
The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.
2
Content available remote Синергетические процессы при формировании очагов самонагревания в деформированном угольном пласте
75%
Булгаков Ю. , Костенко В. , Завьялова E.
|
|
tom T. 7, z. 4
5--13
RU
Установлена возможность протекания синергетических процессов при формировании очагов самонагревания в деформированном угольном пласте, что позволило развить взгляды на механизм формирования последних.
PL
W artykule określono możliwość zachodzenia synergicznych procesów przy formowaniu się ognisk samonagrzewania w deformowanym pokładzie węgla, co pozwoliło poszerzyć poglądy o mechanizmie formowania się samonagrzewania.
3
Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego
75%
Górecki K. , Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
tom Vol. 54, nr 1
22-25
PL
W pracy przedstawiono metodykę opisu transportu ciepła ze struktury półprzewodnikowej elementu elektronicznego do otoczenia. Uwzględniono wielodrogowość transportu ciepła oraz zaproponowano uniwersalną postać modelu termicznego elementu półprzewodnikowego stanowiącego część urządzenia elektronicznego znajdującego się w obudowie. Pokazano postać modeli termicznych elementu półprzewodnikowego z dwoma różnymi systemami chłodzenia oraz zaproponowano sposób wyznaczania wartości parametrów takiego modelu.
EN
In the paper the methodics of description of the heat transport from the interior of semiconductor devices to the surroundings is presented. The universal form of the thermal model of semiconductor device operating in any electronic equipment located inside any box with multipath heat transfer taken into account is proposed. Moreover, the form of the thermal model of the semiconductor device operated with two different cooling conditions is described. For this model also the manner of obtaining the values of parameters of such model is shown.
4
Content available remote Pomiary charakterystyk wybranych diod LED mocy
75%
Górecki K. , Zarębski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2008
|
tom nr 59
50-56
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk wybranych typów diod LED mocy uzyskanych dla różnych warunków ich chłodzenia. Opierając się na uzyskanych wynikach pomiarów, przedyskutowano wpływ samonagrzewania na charakterystyki rozważanych elementów.
EN
This paper presents the results of measurements of characteristics of selected types of the power LEDs, obtained for different cooling conditions. On the basis of the measuring results the problem of the influence of selfheating on the characteristics of the considered devices is discussed.
5
Content available remote Modelowanie charakterystyk wybranych rdzeni ferromagnetycznych
75%
Godlewska M. , Górecki K.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
tom nr 95
99--106
PL
Praca dotyczy modelowania charakterystyk wybranych rdzeni ferromagnetycznych. Przedstawiono wyniki weryfikacji poprawności autorskiego elektrotermicznego modelu rdzenia. Badania przeprowadzono dla czterech różnych materiałów ferromagnetycznych, z których wykonane zostały badane rdzenie. Wyniki symulacji porównano z wynikami pomiarów katalogowych. Uzyskano dobrą zgodność między rozważanymi wynikami.
EN
The paper concerns modelling characteristics of selected ferromagnetic cores. It presents the results of a calculations using authors’ electrothermal model of ferromagnetic cores. The simulations were conducted for four different ferromagnetic materials from which the tested cores were made. The simulation results were compared with the measurement results given in the catalogue sheets. Achieved good agreement between the results of calculations and measurements was obtained.
6
Content available remote Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS
75%
Górecki K. , Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
tom R. 85, nr 4
159-164
PL
W pracy przedstawiono problem wyznaczania wartości parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy oraz zaprezentowano i przedyskutowano wyniki pomiarów ilustrujących wpływ takich czynników, jak rodzaj obudowy, wielkość radiatora, ułożenie przestrzenne badanego tranzystora oraz wydzielanej w nim mocy na rezystancję oraz przejściową impedancję termiczną. Przedstawiono również wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni nieobudowanej struktury tranzystora MOS mocy przy różnych warunkach chłodzenia tego elementu.
EN
In the paper the problem of measurements of the thermal parameters values of MOS power transistors is considered. The results of measurements showing the influence of such factors as the type of the case, the dimensions of the heat-sink, the orientation of the investigated transistor and the dissipated power on the thermal resistance and the transient thermal impedance of the device are presented and discussed. The measurements results of the temperature distribution on the surface of the uncapsulated MOS power transistor chip for different cooling conditions of this device are presented, too.
7
The electrothermal model of the choking-coil for SPICE
75%
Górecki K. , Detka K.
|
2014
|
tom Vol. 55, nr 1
9-11
PL
W pracy zaproponowano elektrotermiczny model dławika dla programu SPICE. Model ten uwzględnia nieliniowość charakterystyk rdzenia dławika, straty energii w rdzeniu i w uzwojeniach, pojemność uzwojeń, samonagrzewanie w rdzeniu i w uzwojeniach, wzajemne sprzężenia termiczne między rdzeniem a uzwojeniami. Przedstawiono postać opracowanego modelu oraz wyniki obliczeń i pomiarów ilustrujące poprawność tego modelu.
EN
In the paper the electrothermal model of the choking-coil dedicated for SPICE is proposed. This model takes into account nonlinearity of the core of the choking-coil, loss of the energy in the core and in the winding, capacity of the winding, selfheating in the core and in the winding and mutual thermal interactions between the core and the winding. The form of the worked out model and the results of calculations and measurement illustrating its correctness are shown.
8
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
75%
Zarębski J. , Bisewski D. , Patrzyk J.
|
2014
|
tom Vol. 55, nr 10
114-117
PL
W pracy porównano podstawowe charakterystyki statyczne bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu. Oceniono wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na charakterystyki i parametry rozważanych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
In the paper a comparison of static characteristics of bipolar power transistors made of silicon and silicon carbide, is presented. The influence of selfheating phenomenon on the characteristics and parameters of considered transistors is examined.
9
Content available remote PWM controlled electrothermal macromodel dedicated for SPICE
75%
Zarębski J. , Górecki K.
|
2001
|
tom Vol. 47, z. 4
539-551
EN
The paper deals with the problem of electrothermal modelling of PWM controllers for SPICE. A new form of the electrothermal macromodel of SG3525A controller including the dependence of the output pulse width and of the supply current on the voltage error, the supply voltage and the junction temperature is proposed. The parameter values of macromodel have been obtained from measurements. To illustrate the correctness and usefulness of the macromodel, some results of measurements and calculations of SG3525A controller operating in the catalogue test circuit are given as well.
PL
W pracy przedstawiono problem modelowania sterowników PWM na potrzeby analizy z wykorzystaniem programu SPICE z uwzględnieniem samonagrzewania. Zaproponowano nowy elektrotermiczny makromodel sterownika SG3525A firmy STMicroelectronics, uwzględniający zależność szerokości impulsów wyjściowych oraz prądu zasilającego badany układ od napięcia błędu, napięcia zasilania i temperatury wnętrza układu. Wartości parametrów elektrycznych zostały wyznaczone na podstawie pomiarów odpowiednich charakterystyk izotermicznych, natomiast parametry termiczne wyznaczane są z pomiarów wykorzystujących krzywą chłodzenia układu oraz charakterystykę termometryczną dostępnego dla użytkownika złącza p-n. W pracy zamieszczono szereg wyników pomiarów i obliczeń rozważanego sterownika, potwierdzających poprawność i skuteczność zaproponowanego makromodelu.
10
Wpływ wybranych czynników na charakterystyki obcowzbudnych stabilizatorów impulsowych w stanie ustalonym
75%
Górecki K. , Zarębski J.
|
|
tom Vol. 49, nr 10
81-85
PL
W pracy przedstawiono zmierzone i obliczone charakterystyki w stanie ustalonym wybranych stabilizatorów impulsowych, realizujących regulację PWM. Rozważane układy zawierają sterowniki PWM lub regulatory impulsowe oraz dławikowe przetwornice dc-dc. Zwrócono uwagę na wpływ samonagrzewania, doboru tranzystorów i diod oraz wpływ układów zabezpieczających, zawartych w regulatorach impulsowych, na rozważane charakterystyki. W oparciu o analizę uzyskanych charakterystyk podano wskazania praktyczne dla konstruktorów rozważanej klasy stabilizatorów.
EN
In the paper the calculated and measured characteristics at the steady state of the selected switched-mode voltage regulators, realizing PWM control, are presented and discussed. The considered circuits include monolithic PWM controllers or switched regulators and single-inductor dc-dc converters. The influence of: selfheating, the selection of transistors and diodes, and the protection circuits included in the switched regulators on the considered characteristics is illustrated and discussed. On the base of the analysis of the obtained characteristics, some practical remarks for designers of such class of the voltage regulators are formulated.
11
Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS
75%
Górecki K. , Zarębski J.
|
|
tom Vol. 49, nr 10
78-80
PL
W pracy przedstawiono i przedyskutowano zmierzone przez autorów izotermiczne i nieizotermiczne charakterystyki statyczne tranzystora TrenchMOS. Przedyskutowano wpływ samonagrzewania na przebieg tych charakterystyk oraz skomentowano różnice między tymi charakterystykami a charakterystykami katalogowymi.
EN
In this paper the measured by the authors DC characteristics of TrenchMOS transistors are presented and discussed. The influence of selfheating on these characteristics is shown and the differences between the measured and catalogue characteristics are commented.
12
Wpływ doboru rdzenia dławika na nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy buck
75%
Górecki K. , Detka K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 10
76-78
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych i symulacyjnych dwóch dławikowych przetwornic buck. Rozważane przetwornice różnią się materiałem, z którego wykonano rdzeń dławika. W jednej z nich zastosowano rdzeń proszkowy, w drugiej - rdzeń ferrytowy. W badaniach symulacyjnych wykorzystano model dławika wbudowany w programie SPICE. W oparciu o uzyskane wyniki symulacji i pomiarów wskazano zakresy pracy przetwornicy buck, w których nieliniowości charakterystyk dławika oraz materiał jego rdzenia w istotny sposób wpływają na charakterystyki rozważanej przetwornicy.
EN
In the paper some results of measurements and simulations of two buck converters are presented. In the considered converters different materials are used as the chocking-coil core: the powder and the ferrite cores. In simulations the linear model of the chocking-coil built-in in SPICE are used. On the basis of obtained results of simulations and measurements the ranges of buck converter operation, in which the nonlinearities of chocking-coil characteristics and core material significantly influence characteristics of the considered converter are shown.
13
Content available remote Uśredniony elektrotermiczny model przetwornicy boost uwzględniający nieliniowość dławika
63%
Górecki K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
tom R. 91, nr 5
131-134
PL
W pracy zaproponowano nową postać uśrednionego elektrotermicznego modelu przetwornicy boost dedykowanego do zastosowania w programie SPICE. Do opisu właściwości rozważanej przetwornicy zastosowano opracowany uprzednio przez autora elektrotermiczny uśredniony model klucza diodowo-tranzystorowego oraz nowy uśredniony nieliniowy elektrotermiczny model dławika. Zaprezentowano postać nowego modelu dławika oraz przedstawiono wyniki obliczeń nieizotermicznych charakterystyk rozważanej przetwornicy uzyskanych za pomocą nowego modelu dławika oraz modeli uśrednionych tej przetwornicy znanych z literatury.
EN
In the paper the new form of the average electrothermal model of the boost converter dedicated for SPICE is proposed. To the description of the properties of considered converter the previously elaborated by the author the electrothermal average model of the diode-transistor switch and new average non-linear electrothermal model of the choking-coil are applied. The form of the new model of the choking-coil is presented and some results of calculations of non-isothermal characteristics of considered converter obtained by means of the new model of choking-coil and average models of this converter well-known from the literature, are presented.
14
Content available remote Wpływ mozaiki płytki drukowanej na parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC
63%
Górecki K. , Posobkiewicz K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
tom R. 99, nr 9
209--212
PL
W pracy przeanalizowano wpływ mozaiki dwustronnej płytki drukowanej na własne i wzajemne parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC. Pomiary przeprowadzono dla 9 różnych rozwiązań systemów chłodzenia rozważanych tranzystorów charakteryzujących się różnym rysunkiem mozaiki, różną liczbą i średnicą przelotek, a także konstrukcją zastosowanych radiatorów. Opisano zastosowaną metodę pomiarową i badane płytki testowe. Przedstawiono i przedyskutowano uzyskane wyniki pomiarów parametrów cieplnych.
EN
The paper analyzes the influence of double-sided printed circuit board mosaic on self and transfer thermal parameters of power MOSFETs in D2PAC packages. The measurements were carried out for 9 different solutions of the cooling systems of the transistors under consideration, characterized by different mosaic patterns, different number and diameter of vias, as well as the design of the heat sinks used. The measurement method used and the tested PCBs are described. The obtained results of measurements of thermal parameters are presented and discussed.
15
Content available remote Małosygnałowa elektrotermiczna admitancja wyjściowa tranzystora MOS dla małych częstotliwości
63%
Stepowicz W. J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2008
|
tom nr 59
101-104
PL
W artykule omówiono wpływ zjawiska samonagrzewania oraz inercji termicznej na małosygnałową elektrotermiczną admitancję wyjściową tranzystora MOS w zakresie małych i bardzo małych częstotliwości, w którym można pominąć inercję elektryczną elementu, modelowaną przez odpowiednie pojemności elektryczne. Rozważania teoretyczne zilustrowano wynikami obliczeń charakterystyki amplitudowej i fazowej omawianej admitancji dla typowego tranzystora mocy MOS.
EN
In this paper the influence of the self-heating phenomenon and thermal inertia on the nonisothermal small-signal output admittance of MOS transistors is analyzed. The analysis concerns the very low frequency range, where electrical inertia modeled by electrical capacitances can be neglected. The theoretical considerations are illustrated by the computation results of the amplitude and phase characteristics of the mentioned admittance for a typical MOS transistor.
16
Content available remote Pomiary parametrów cieplnych elementów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu
63%
Zarębski J. , Dąbrowski J. , Bisewski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
tom R. 87, nr 10
29-32
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej i rezystancji termicznej elementów mocy wykonanych z węglika krzemu: tranzystora MESFET oraz diody MPS. Zaproponowano analityczny model opisujący zależność rezystancji termicznej badanych elementów od mocy i temperatury otoczenia.
EN
In the paper results of measurements of the transient thermal impedance and the thermal resistance of the silicon carbide power semiconductor devices, i.e. MESFETs and MPS diodes, are presented. As the result of these measurements, the thermal resistance dependence on both the power dissipated in the investigated devices and the ambient temperature is proposed in the paper.
17
DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs
63%
Górecki K. , Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
tom Vol. 53, nr 12
10-12
EN
In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained with the use of the new method with the results obtained with the infrared method.
PL
W pracy zaproponowano nową statoprądową metodę pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS. Przedstawiono koncepcję tej metody i sposób jej realizacji. Przedyskutowano wpływ wybranych czynników na dokładność opracowanej metody. Poprawność metody zweryfikowano przez porównanie wyników pomiarów otrzymanych z wykorzystaniem tej metody z wynikami uzyskanymi przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.
18
Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
63%
Górecki K. , Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
tom Vol. 53, nr 12
13-15
EN
In the paper paths of the heat flow generated inside a semiconductor structure to the surrounding are considered. On the basis of the literature information, typical construction of semiconductor devices cooling systems are analysed. Apart from this, the results of measurements of the thermal resistance and transient thermal impedance of such devices illustrating the influence of some factors on the value of thermal parameters are discussed. The general form of the device thermal model including the multipath of the heat flow and thermal properties of the elements of the heat flow path is proposed.
PL
W pracy rozważane są drogi przepływu ciepła generowanego w strukturze półprzewodnikowej do otoczenia. W oparciu o informacje literaturowe przeanalizowano typowe konstrukcje układów chłodzących elementów półprzewodnikowych oraz przedstawiono wyniki pomiarów rezystancji termicznej takich elementów ilustrujące wpływ wybranych czynników na wartość tego parametru. Zaproponowano ogólną strukturę modelu termicznego elementu półprzewodnikowego uwzględniającego wielodrogowość przepływu ciepła oraz właściwości cieplne elementów toru przepływu ciepła.
19
Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych
63%
Hapka A. , Janke W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 10
92-95
PL
W pracy badane są charakterystyki DC diod Schottky'ego z węglika krzemu. Charakterystyki izotermiczne, obliczone w oparciu o model dla PSPICE dostarczany przez Cree porównano z charakterystykami zmierzonymi, zamieszczonymi w notach aplikacyjnych Cree. Uwzględniono zależność rezystancji szeregowej elementów od temperatury, niekompletny model PSPICE od producenta uzupełniono o odpowiednie współczynniki. W pracy zamieszczono również charakterystyki DC z uwzględnionym efektem samonagrzewania. Charakterystyki te otrzymano po zastosowaniu nowego modelu.
EN
In the paper, the DC characteristics of SiC Schottky diodes are considered. Isothermal characteristics, obtained with the use of PSPICE model, developed by Cree are compared with the real characteristics. measured by Cree. The dependence of the diode series resistance on the temperature is taken into account, and the adequate coefficients are placed into the incomplete Cree model for PSPICE. The DC characteristics with the self - heating included are also presented in this paper. Mentioned characteristics are obtained with the use of a new, compact model for PSPICE.
20
Content available Effect of Ambient Conditions on Self-Heating Characteristics of a Ni-Cu Sulphide Ore
63%
Ozdeniz A. H. , Kelebek S.
Inżynieria Mineralna
|
2015
|
tom R. 16, nr 2
249--256
EN
Self-heating characteristics of a complex nickel-copper sulphide ore stockpile containing pentlandite, chalcopyrite and pyrrhotite have been investigated through continuous monitoring of its inner temperature over a 7-month period (May to December). Variation of external weather parameters such as air temperature, dew point, wind velocity, air humidity and atmospheric pressure are reported. The inner temperature of the stockpile varied from 10.5°C to 44°C. One reason for the maximum temperature to be relatively low is related to lack of reactive surface area since amount of fines in the stockpile is limited. The inner temperatures indicated significant fluctuations due to rapid changes in ambient conditions, particularly the outside temperature, which ranged from -5°C to 32°C. Despite an apparent parallelism between these two types of temperatures, occasional occurrences of rapid decrease in the ambient temperature while the stockpile was still in a self-heating mode were notable. These rapid cooling effects on the stockpile had a retardation effect on trends of increasing inner temperatures. Regular rain showers that the stockpile area received may have also played a role in dissipation of heat, especially when the stockpile experienced a heavy rain. The loss of pentlandite recovery due to stockpile oxidation was about 6.2% compared to 4.0% for chalcopyrite. These losses have been attributed to over-oxidation of these minerals primarily based on development of ferric hydroxy oxide species such as goethite and precipitation of hydroxides of various metal species mobilized as a result of oxidation. Interestingly, floatability of pyrrhotite has been enhanced by stockpile-oxidation. Thus, the flotation selectivity shifts in favour of pyrrhotite for the oxidation case. This behavior was attributed to metal-activation and elemental sulphur/polysulphide formation due to oxidation of the sulphide part of these sulphide minerals. Relative amounts of hydrophilic to hydrophobic species on the surfaces are responsible for observed bench scale behavior.
PL
Właściwości samonagrzewania złożonych siarczków niklu i miedzi na składowisku rud zawierających pentlandyt, chalkopiryt i pirotyn, zostały zbadane poprzez ciągłą obserwację temperatury wnętrza hałdy w ciągu siedmiu miesięcy (od maja do grudnia). Wzięto pod uwagę zmiany w czynnikach pogodowych panujących na zewnątrz hałdy. Uwzględniono zmiany temperatury powietrza, punktu rosy, szybkości wiatru, wilgotności powietrza i ciśnieniu atmosferycznego. Temperatura wewnątrz hałdy wahała się od 10,5°C do 44°C. Jednym z powodów relatywnie niskiej temperatury był brak reaktywnej przestrzeni. Temperatura wewnątrz hałdy wykazała znaczące wahania spowodowane gwałtownymi zmianami warunków otoczenia, w szczególności temperatury zewnętrzną, której zakres zmian sięgnął od -5°C do 32°C. Poza oczywistą zależnością między tymi dwoma temperaturami, udało się odnotować pojedyncze przypadki, gdzie temperatura otoczenia gwałtownie spadła, a proces samoogrzewania wewnątrz hałdy trwał. Gwałtowne spadki temperatur powodowały spowolnienie trendu wzrostu temperatury w hałdzie. Rozproszenie ciepła było również powodowane regularnymi opadami deszczu. Straty odzysku pentlandytu spowodowane oksydacją wyniosły 6,2%, zaś chalkopirytu 4,0%. Straty te można przypisać nadoksydacji minerałów, która jest wynikiem powstawania składników takich jak getyt czy osad wodorotlenków metali. Co ciekawe, flotowalność pirotynu wzrosła dzięki oksydacji. Zatem selektywność flotacji zmienia się korzystnie dla pirotynu w przypadku oksydacji. Sytuacja ta jest wynikiem aktywacji metalu i formy pierwiastkowej siarki poprzez oksydację.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.