Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Zasilacz dużej mocy do wielkogabarytowej wyrzutni magnetronowej

100%

Marszałek K. , Dziadecki A. , Grzegorski J. , Skotniczny J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

tom Vol. 49, nr 1

41-42

PL

Przedstawiono konstrukcję zasilacza dużej mocy do procesów jonowego rozpylania magnetronowego o regulowanych parametrach wyjściowych: napięcie oraz prąd. Cechą charakterystyczną zasilacza jest moduł sterownika tyrystorowego sterowanego napięciowym sygnałem zadającym, otrzymywanym automatycznie z nadrzędnego układu regulacji (komputer PC, sterownik programowalny PLC, dowolny układ mikroprocesorowy) lub ręcznie z potencjometru zadającego. Zasilacz jest odporny na wyładowania łukowe występujące w plazmie w procesie formowania katody (np. podczas procesów reaktywnych), jak i w awaryjnych stanach pracy.

EN

A high power supply with controlled output parameters: UH - output voltage and I - output current for magnetron sputtering processes is presented in this paper. The most characteristic feature is a tyristor module controlled by voltage signal from higher level control unit (personal computer PC, programmable controller PLC or any other microprocessor controller) or manually from variable resistor. The main feature of this power supply is to prevent any arc discharge occurring during the sputtering process.

2

Warstwy gradientowe Ti:C wytwarzane w plazmie RF PACVD z udziałem rozpylania magnetronowego

100%

Batory D. , Cłapa M. , Mitura S.

Inżynieria Materiałowa

|

2006

|

tom Vol. 27, nr 5

868-870

PL

Gradientowe warstwy Ti:C mogą być wytworzone dzięki połączeniu technik stałoprądowego rozpylania magnetronowego i wspomaganego plazmą chemicznego osadzania z fazy gazowej. Zastosowanie wyposażonego w magnetron reaktora plazmochemicznego RF PACVD umożliwia przeprowadzenie całego procesu bez konieczności otwierania komory. Szeroki zakres mocy generatora częstotliwości radiowej oraz układu zasilania magnetronu, a także system dozowania gazów reaktywnych daje pełną kontrolę nad przebiegiem procesu oraz pozwala wpływać na skład fazowy i właściwości wytwarzanych warstw. Podczas nanoszenia warstw jony argonu biorą bezpośredni udział w procesie rozpylania magnetronowego oraz służą jako medium aktywujące powierzchnię podłoża poprzez jej trawienie w plazmie wyładowania w.cz. Ważnym czynnikiem w procesie osadzania jest napięcie autopolaryzacji podłoża mające wpływ na energię jonów argonu w trakcie trawienia oraz energię jonów materiału rozpylanego w trakcie procesu nanoszenia warstwy. Sterowanie napięciem autopolaryzacji oraz mocą magnetronu daje możliwość otrzymywania warstw o pożądanym składzie i zróżnicowanej strukturze. Skład chemiczny naniesionych warstw oznaczony został metodą EDS na SEM, natomiast gradient zawartości Ti i C metodą GDOES. Wytworzone warstwy poddane zostały badaniom odporności na ścieranie oraz wyznaczony został współczynnik tarcia. Właściwości trybologiczne otrzymanych warstw gradientowych porównano z właściwościami próbki stalowej oraz warstwy węglowej wytworzonej metodą RF PACVD.

EN

Metal containing carbon layers can be deposited by combination of DC magnetron sputtering and plasma assisted chemical vapor deposition. Due to hybrid deposition system made up of a RF PACVD reactor equipped with a magnetron, the deposition process can be obtained without opening the reaction chamber. Wide range of the radio frequency power generator and the magnetron power supply in combination with gas supplying system, makes it possible to have full control over the deposition process. Ar ions taking direct part in DC magnetron sputtering process can be also used for sample surface activation by Ar plasma, generated by rf power. An important factor is also the substrate bias voltage which influences the energy of both the Ar ions during the substrate surface activation process and the target sputtered ions during the deposition process. That means it is possible to obtain layers with different structures depending on the rf power emitted from the cathode. Quantitative analysis of deposited layers was made by EDS on SEM, gradient of chemical composition was obtained by GDOES. Friction coefficient and wear resistance was measured. Results were compared to each other, for gradient layer, DLC layer and pure steel.

3

Zastosowanie cienkich warstw Ni-Fe w ekranowaniu pól elektromagnetycznych

100%

Ozimek M. , Wilczyński W.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2009

|

tom Z. 241

39-50

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań tłumienia promieniowania elektromagnetycznego przez cienkie warstwy Ni-Fe naniesione na włókninę polipropylenową 160 (gramatura 160 gm^-2). Magnetyczny target zamocowany na wyrzutni magnetronowej WMK-100 został rozpylony w atmosferze czystego argonu. Zbadano szybkość osadzania warstw w zależności od wybranych parametrów procesu rozpylania magnetronowego (moc wydzielona na targecie oraz ciśnienie gazu roboczego). Wykonano badania morfologii powierzchni i strukturalne za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) oraz dyfrakcji rentgenowskiej X-ray. Tłumienie promieniowania elektromagnetycznego wyznaczono w oparciu o amerykańską normę MIL-STD 285. Zakres częstotliwości roboczej zawierał się w przedziale od 300 do 1000 MHz. Stwierdzono wpływ parametrów rozpylania na skuteczność ekranowania.

EN

In this study the results of measurement of electromagnetic wave attenuation by Ni-Fe thin films deposited on polypropylene nonwoves 160 (basis weight 160 gźm^-2) were presented. Magnetic target fitted on magnetron gun of the WMK-100 type was sputtered in pure argon atmosphere. The rates of the materials depositions were presented in regards to most important physical quantities relevant to pulse magnetron processing (power dissipated into target, flow rates of gas background). The surface morphology and microstructure were analyzed using scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction. Measurements of screening attenuation were made according to the MIL-STD 285 American standard. The measurements were carried out in frequency band of 300 MHz - 1000 MHz. The influence of chosen parameters on shielding effectiveness was noticeable.

4

Termostymulowane prądy w cienkowarstwowych warystorach Zn-Bi-O

100%

Gubański A. , Ziaja J.

Energetyka

|

2008

|

tom nr 3

188-189

PL

Przedstawiono wyniki badań prądów termostymulowanej depolaryzacjii cienkowarstwowych warystorów Zn-Bi-O otrzymanych metodą rozpylania magnetronowego na podłoże miedziane. Badania przeprowadzono w szerokim zakresie temperatur od 100 K do 500 K.

EN

Ceramic varistors based on zinc oxide have exellent properties as protection devices used in power industry. In this article performace of micro-devices having varistor-type current-voltage characteristics with low breakdown voltage is reported. The thermally stimulated depolarization current (TSC) technique was used to study the dielectric relaxation of the Zn-Bi-O thin film arresters. Surface varistors layers were prepared by r.f. magnetron sputtering on Cu support.

5

Technologia magnetronowa do przemysłowego otrzymywania powłok wielowarstwowych na szkle płaskim

100%

Mars K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

tom Vol. 52, nr 11

36-38

PL

Powłoki wielowarstwowe na szkle płaskim pozwalają na istotną modyfikację właściwości fizycznych końcowego produktu. W skali przemysłowej szkło płaskie pokrywa się różnymi rodzajami warstw przy pomocy procesu rozpylania magnetronowego. Specjalne linie produkcyjne wyposażone w wielkogabarytowe komory próżniowe umożliwiają otrzymywanie warstw o precyzyjnie kontrolowanej grubości i składzie chemicznym. Impulsowe magnetrony liniowe stosowane w tych procesach charakteryzują się wysoką stabilnością i odtwarzalnością warunków pracy. Otrzymane powłoki posiadają dobre właściwości adhezyjne i mechaniczne. Pokryte szkło posiada nowe właściwości optyczne przydatne przy produkcji szyb zespolonych o właściwościach niskoemisyjnych lub chroniących przed nadmiernym nagrzewaniem wnętrz na skutek promieniowania słonecznego. Zastosowanie takich rozwiązań pozwala znacząco zredukować zużycie enegii potrzebnej do ogrzewania lub klimatyzacji budynków.

EN

Multilayer glass coating can efficiently change the physical properties of the final product. Large area glass coatings are produced by magnetron sputtering method. Production lines equipped with large scale vacuum chambers are used to receive layers with the precisely controlled thickness and chemical composition. Pulsed magnetron sputtering is a widely used process for depositing metal and ceramic layers due to high stability and reproducibility of working conditions. The obtained layers have good adhesion and mechanical properties. The coated glass plays a major role in a number applications i.e. window panes with low-emissivity coating or solar protection coating. Window panes in cold climatic zones are provided with heat-reflecting coatings to reduce the costs of heating. In coutries with high intensity solar radiation, solar protection coatings are used to decrease the costs of air conditioning.

6

System sterowania procesem nanoszenia wielowarstwowych powłok metalicznych metodą jonowego rozpylania

88%

Marszałek K. W. , Stępień J. , Mania R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

tom Vol. 54, nr 11

79-82

PL

W artykule przedstawiono autorski system sterowania urządzeniem próżniowym, przeznaczonym do nanoszenia wielowarstwowych powłok metalicznych metodą impulsowego rozpylania magnetronowego średniej częstotliwości. System kontroluje prędkość obrotową uchwytu podłoży oraz dozuje poprzez zawory membranowe ilość gazu roboczego. Ponadto umożliwia rejestrację parametrów pracy wyrzutni magnetronowych oraz temperaturą i ciśnienie gazu. W drodze eksperymentu opracowano karty procesowe definiujące wszystkie niezbędne do przeprowadzenia procesu parametry. Pozwoliło to na stworzenie swoistej biblioteki procesów, upraszczającej obsługę umożliwiającej pełną automatyzację stanowiska. Oprogramowanie sterujące zrealizowano w oparciu o środowisko graficzne Lab VIEW, dzięki czemu panel operatorski jest prosty i intuicyjny, ułatwiając zarówno odtwarzanie zdefiniowanego procesu jak i opracowywaniu kolejnych jego modyfikacji.

EN

Computer control system for puls MF (Mid Frequency) magnetron sputtering equipment dedicated for metallic multilayers deposition is presented in this paper. The rotation velocity of the sample holder and the gas inlet through membrane valves are the main parameters controlled by the system. Parameters of the magnetron gun power supply, sample temperature and technological gas pressure are registered. The process card which define all process parameters are collected for each dedicated process type. All cards are collected in a process cards library which permits for full automatization of all operations. Software was written in a graphical environment Lab VIEW. It cause very simply usage for operator (operator’s interface is easy to control) and the preparation of the processes modifications is not complicated.

7

Wpływ częstotliwości zasilania na proces rozpylania miedzi za pomocą układu magnetronowego

88%

Wiatrowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 10

55-56

PL

Zaprezentowano wyniki badań wpływu częstotliwości zasilania wyrzutni magnetronowej WMK 50 na proces rozpylania miedzi. Wykorzystywano dwa zasilacze (o maksymalnych prądach wyjściowych 8 i 12 A) oraz zewnętrzny moduł kluczujący zapewniający regulację częstotliwości napięcia zasilającego wyrzutnię w zakresie 12... 70 kHz. Analizowano widma emisyjne plazmy wyładowania w zakresie 400...410 nm oraz szybkości nanoszenia warstw na podłoże oddalone o 130 mm od targetu.

EN

The influence of power supply frequency on the process of magnetron sputtering of copper is presented. In this work two power supplies were used (with maximum output currents 8 and 12 A) and yhe switching module that provided cathode voltage switching in range of 12...70 kHz. The plasma emission spectra (400...410 nm) and the deposition rate (130 mm target to sample distance) were examined.

8

Widma emisyjne Zn-Bi-O w plazmie magnetronowej.

88%

Ziaja J.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

2006

|

tom Vol. 44, nr 18

189-192

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań spektrofotometrycznych plazmy magnetronowej. Wykazano, że względne intensywności badanych widm emisyjnych są różne od wzorców. Stosunek tych intensywności zależy od parametrów procesu rozpylania: gęstość mocy P wydzielonej na targecie, odległość d targ et-podłoże, Określono minimalną gęstość mocy dla której target rozpylany jest stechiometrycznie.

EN

In this paper was shown results of investigation spectrophometric magnetronic plasma. It's been proved, that arbitrary intensity of researchable emission lines are different from standards. The proportion those intensity depends on parameters of process magnetron sputtering, density power, distance d target-substrate. It' been defined minimal density power, for- which target is sputtering stoichiometry.

9

Mikrostruktura i skład fazowy plazmowych warstw Zn-Bi-0.

88%

Ziaja J. , Mielcarek W.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

2006

|

tom Vol. 44, nr 18

186-188

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań mikroskopowych i rentgenograficznych cienkich warstw warystorowych otrzymanych metodą, rozpylania magnetronowego. Wykazano, że stosowanie gęstości mocy powyżej 5 Wcm -2 podczas rozpylania metalicznych targetów Zn-Bi-0 powoduje powstawanie kulistych skupisk metalicznego bizmutu. Efekt ten występuje również gdy gazem roboczym jest czysty tlen. Wykazano, że proces rozpylania targetów metalicznych i tlenkowych jest stechiometryczny dla mocy większych od 7 W-2..

EN

In this work the microscopic and X-ray investigations of thin film ZnO varistors are presented. Processing of the thin film varistors proved effective when the power dissipated into the Zn-Bi metallic or ZnO-Bi2O3 oxide target is lower than 5 Wcm-2 . Otherwise in case of Zn-Bi metallic targets the clusters of metallic bismuth occur, even when the sputtering is carried out in atmosphere of pure oxygen. To get stoichiometric ratio Zn:O and Bi:O in the deposited material, the power dissipated into the target shall be higher than 7 Wcm-2.

10

ZnO thin film deposition with pulsed magnetron sputtering

88%

Ziaja J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2007

|

tom R. 83, nr 11

235-239

EN

In this work, the pulse magnetron sputtering was applied to Zn-Bi-O thin films deposition. It was proved that the rate of metal target sputtering with argon model plasma was highest when using DC-M bias, while reactive sputtering of metal or oxide targets was most effective in the case of AC-M mode of biasing. The rates of material depositions were comparable or higher than those achievable with other methods like e.g. radio-frequency RF or DC sputtering. The Zn-Bi-O layers were characterized of varistor property.

PL

W prezentowanej pracy przedstawiono otrzymywanie cienkich warstw ZnO metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Wykazano, że szybkości rozpylania targetów metalicznych w argonie jest większa dla metody DC-M. Natomiast rozpylanie reaktywne lub targetów tlenkowych należy stosować metodę AC-M. Uzyskane wartości szybkości osadzania warstw są porównywalne do wartości uzyskanymi innymi metodami np. RF, DC. Otrzymane warstwy Zn-Bi-O charakteryzowały się efektem warystorowym.

11

The influence of total gas pressure and atmosphere composition during ion cleaning step on S-phase coating formation

75%

Słowik J. , Fryska S. , Baranowska J.

Inżynieria Materiałowa

|

2019

|

tom Vol. 40, nr 1

2--8

EN

Various ion sputtering parameters were applied prior to the deposition of S phase coatings in order to determine their effect on the efficiency of cleaning an austenitic steel surface. For this purpose, two types of atmospheres were used (100% Ar and 5% Ar + 95% H2) at two different pressures (1.33 Pa and 2.67 Pa). In addition, substrates with two different initial states — without polishing and with polishing — were investigated. The thickness of the diffusion layer, obtained in the austenitic substrate after depositing an S-phase coating by magnetron sputtering, was used as a measure of the surface cleaning effectiveness (passive oxide layer removal). The research showed that all the considered parameters had a significant effect on the effectiveness of the cleaning treatment. It was found that the initial state of the substrate has an influence on the thickness of the diffusion layers, with thicker layers obtained on nonpolished substrates. The total gas pressure affects the substrate cleaning effectiveness in different ways depending on the gas composition used. It is possible that a physical sputtering mechanism occurs in the case of argon and a chemical reduction mechanism in the case of hydrogen. In addition, it was found that the degree of surface cleaning determines the texture of the S phase coatings.

PL

Faza S, uznawana za przesycony roztwór azotu w austenicie, może być otrzymywana nie tylko wskutek konwencjonalnego azotowania, lecz także metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego stali austenitycznej w atmosferze azotu. Wytworzenie takiej powłoki na stali austenitycznej poprawia jej twardość i odporność na zużycie tribologiczne. Przed procesem napylania stosuje się zwykle oczyszczanie jonowe, które w przypadku stali austenitycznej może prowadzić do usunięcia warstwy pasywnej tlenków. W ten sposób jest możliwe powstanie warstwy dyfuzyjnej w podłożu w efekcie dyfuzji azotu z powłoki do podłoża. Stanowi ona gradientową międzywarstwę potencjalnie korzystną z punktu widzenia poprawy adhezji. Celem pracy było zbadanie wpływu parametrów oczyszczania jonowego stosowanego przed reaktywnym osadzaniem powłok z fazy S na wytworzenie warstwy dyfuzyjnej w podłożu ze stali austenitycznej.

12

Mikrostruktura i właściwości powłoki nc-WC/a-C na stali szybkotnącej HS-6-5-2

75%

Cempura G. , Moskalewicz T. , Zimowski S. , Wendler B. , Czyrska-Filemonowicz A.

Inżynieria Materiałowa

|

2011

|

tom Vol. 32, nr 4

359-362

PL

W pracy wykonano badania mikrostruktury powłoki nc-WC/a-C wytworzonej przez rozpylanie magnetronowe na stali szybkotnącej HS?6?5?2. Za pomocąskaningowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej oraz dyfrakcji rentgenowskiej stwierdzono, że w powłoce o grubości 1,8 um występuje faza W3C o strukturze regularnej prymitywnej w amorficznej osnowie. Pomiędzy powłoką a podłożem występowała warstwa przejściowa W. Przeprowadzono badania wybranych właściwości powłoki: przyczepności warstwy do podłoża, mikrotwardości i modułu Younga oraz odporności na zużycie przez tarcie i współczynnika tarcia. Stwierdzono, że powłoka nc-WC/a-C ma dobre właściwości ślizgowe oraz dużą odporność na zużycie w warunkach tarcia suchego.

EN

The nc-WC/a-C coating deposited by magnetron sputtering on high speed H6-5-2 steel was investigated in the paper. The investigations were performer by means of scanning and transmission electron microscopy (SEM, TEM) as well as by X-ray diffraction (XRD). The coating was 1.8 um thick and consisted of a W3C phase (of a regular primitive elementary cell) in an amorphous structure. A thin intermediate W layer between the coating and the substrate was found. Selected coating properties (adhesion to the substrate, Young's modulus, microhardness, friction coefficient and the resistance to adhesive wear) were determined. The nc-WC/a-C coating exhibited a high wear resistance and low friction coefficient.

13

Niereaktywny impulsowy proces rozpylania magnetronowego

75%

Posadowski W. M. , Wiatrowski A. , Kudzia J. , Brudnik A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 10

50-51

PL

Porównywano parametry wyładowania jarzeniowego podczas stałoprądowych i impulsowych procesów rozpylania przy dużych gęstościach mocy wydzielanej w targecie. Rozpylano target Cu średnicy 50 mm i grubości początkowej 8 mm. Parametry wyładowania jarzeniowego badano metodą OES w zakresie długości fal 400...410 nm. Celem badań było określenie roli jonów Cu (404,3 nm) podczas procesu rozpylania magnetronowego. Przy zasilaniu stałoprądowym magnetronu, wraz ze zwiększaniem mocy targetu, obserwowano wzrost relacji Cu⁺/Cu*. Dla wartości Cu⁺/Cu*≥ 0,85 możliwe było prowadzenie procesu tzw. autorozpylania. Podczas rozpylania impulsowego stosunek Cu⁺/Cu* osiągał wartość porównywalną z obserwowaną w procesie rozpylania stałoprądowego dużej mocy. Mimo obecności zjawiska autorozpylania, niemożliwe było otrzymywanie warstw metodą impulsowego autorozpylania.

EN

The medium frequency magnetron plasma characteristics have been studied at relatively high target powers. The results have been compared with continuous dc discharge parameters. Planar magnetron source operated with a Cu target (50 mm in diameter, 8 mm in thickness). Continuous direct current and medium frequency pulsed sputtering discharge was studied by means of Optical Emission Spectroscopy in the 400...410 nm wavelength range. The emission results shown to be dominated by emission from metal ions (Cu⁺ 404.3 nm) at relatively high dc target power densities. Then the self-sustained magnetron-sputtering mode was observed. The emission spectra of the pulsed discharge supplied at all range of target powers showed the relation of copper ion lines' intensity to copper neutral lines' intensity comparable with those ones obtained for dc discharge of magnetron working at high target power densities. There was no possibility to carry out self-sustained sputtering mode using pulsing discharge.

14

Pomiary sondą Langmuira rozpylania magnetronowego przy zasilaniu impulsowym

75%

Brudnik A. , Czapla A. , Socha M. , Różycki M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

tom Vol. 48, nr 10

29-30

PL

Zastosowanie do zasilania katody magnetronowej zasilaczy impulsowych ze zmiennym współczynnikiem wypełnienia impulsu wyjściowego powoduje, że parametry plazmy w czasie procesu ulegają zmianom, odzwierciedlając chwilowe wartości prądu katody. Do pomiaru parametrów plazmy przy zasilaniu impulsowym wykonano układ pomiarowy synchronizowany impulsami prądowymi w obwodzie katody. Uzyskano możliwość stabilnych pomiarów charakterystyki prądowo-napięciowej sondy Langmuira w celu uzyskania wartości parametrów plazmy.

EN

Application of PWM (pulse width modulation) power supply for magnetron sputtering, results in changing parameters of plasma reflecting present value of discharge current. Application of synchronisation system allowed to record stable current-voltage characteristic of Langmuir probe. Synchronisation pulse was set up by magnetron current signal.

15

Strukturalne i optyczne właściwości cienkich warstw tlenków tytanu modyfikowanych przez domieszkowanie hafnem

75%

Domaradzki J. , Prociów E. L. , Kaczmarek D. , Mulak A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

tom Vol. 46, nr 2-3

24-25

PL

Cienkie warstwy tlenków na bazie Ti-Hf nanoszono na podłoża szklane i szafirowe w procesie rozpylania magnetronowego z reaktywną atmosferą tlenową. Na podstawie badań optycznych wyznaczono zależność szerokości optycznej przerwy zabronionej w funkcji wzajemnej zawartości tytanu i hafnu.

EN

Ti-Hf metal oxide films were deposited on heated glass and sapphire substrates by magnetron sputtering process with reactive atmosphere of oxygen. On the basis of optical measurements the optical band-gap versus Ti/Hf ratio has been estimated.

16

Wpływ trybu zasilania magnetronu na właściwości warstw SnSe

75%

Mars K. , Sałęga-Starzecki M. , Godlewska E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

tom R. 98, nr 9

307--310

PL

Selenek cyny w jest intensywnie badanym pod kątem zastosowań w urządzeniach termoelektrycznych, fotowoltaicznych i optoelektronicznych. Jako materiał półprzewodnikowy charakteryzuje się niskim przewodnictwem cieplnym, co znacząco utrudnia proces jego rozpylania magnetronowego. Celem pracy było zbadanie wpływu trybu zasilania magnetronu (DC lub AC) na właściwości termoelektryczne otrzymywanych warstw. Parametry pracy magnetronu (napięcie katoda-anoda i prąd katody) monitorowano za pomocą oscyloskopu, dla impulsów o częstotliwości od 0,2-1kHz. Mikrostrukturę i skład warstw badano posługując się skaningową mikroskopią elektronową i mikroanalizą rentgenowska (SEM i EDS).

EN

Tin selenide is intensively studied for applications in thermoelectric, photovoltaic and optoelectronic devices. As a semiconductor, it is characterized by low thermal conductivity, which makes the process of magnetron sputtering rather difficult. The aim of this work was to investigate the influence of different modes of magnetron power supply (DC or AC) on thermoelectric properties of the obtained films. The operating parameters (cathode-anode voltage and cathode current) were monitored by an oscilloscope for pulse frequencies 0.2-1kHz. Microstructure and composition of SnSe layers were analyzed by SEM and EDS.

17

Electrical resistivity of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering

75%

Ogwu A. A. , Darma T. H. , Bouquerel E.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2007

|

tom Vol. 24, nr 1

172-177

EN

Purpose: Investigation the effect of varying r.f. power and oxygen flow rates during deposition on the electrical properties of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering. Design/methodology/approach: The films were characterised by AFM, XPS, four point electrical resistivity probe measurements and spectrophotometry. Findings: The electrical sheet resistance of the films was found to vary from greater than 4 x 105 ohms/square for films prepared at 200W r.f. power to as low as 20 ohms/square for films prepared at 800W r.f. power. The variation in the electrical resistivity of the films with deposition conditions has been explained in terms of stoichiometric changes induced by copper or oxygen ion vacancies and neutral defects. Practical implications: The formation of these defects depends on the sticking coefficient, nucleation rates and the migration of impinging copper and oxygen species on the substrate during deposition. Originality/value: This information is expected to underlie the successful development of copper oxide films for solar windows and other semi-conductor applications including gas sensors.

18

Characterisation of TiB2 nanocrystalline coating on the Cr-Ni-Mo austenitic steel

75%

Moskalewicz T. , Cempura G. , Kot M. , Lofaj F. , Czyrska-Filemonowicz A.

Inżynieria Materiałowa

|

2011

|

tom Vol. 32, nr 4

600-603

EN

Micro/nanostructure of 1.1 um thick TiB2 coating deposited on a model Cr-Ni-Mo austenitic steel by magnetron sputtering was characterised by scanning and transmission electron microscopy as well as by X-ray diffractometry. The 50 nm thick amorphous interlayer was applied for increasing a coating adhesion to the substrate. High-resolution transmission electron microscopy revealed a presence of fine TiB2 nanocrystals with size in the range of 2÷7 nm in the coating. The compressive residual stresses (-396 MPa) were present within the coating, while tensile residual stresses (598 MPa) were present within the substrate. The coating showed much higher hardness than the substrate, 30.3 GPa and 3.7 GPa, respectively. The applied surface processing enhanced alloy wear resistance and decreased its friction of coefficient.

PL

Nanokrystaliczną powlokę TiB2 wytworzono na modelowej stali austenitycznej Cr-Ni-Mo metodą rozpylania magnetronowego. Grubość powłoki wynosiła 1,1 um. W celu poprawy przyczepności powłoki do podłoża osadzono amorficzną warstwę przejściową o grubości 50 nm. Badania mikro/nanostruktury powłoki za pomocą skaningowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej oraz dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego wykazały, że powłoka zbudowana jest z fazy TiB2. Metodą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskopii elektronowej stwierdzono występowanie w powłoce nanokrystalitów TiB2 o średnicy w zakresie 2÷7 nm. W powłoce występowały naprężenia ściskające o wartości -396 MPa, natomiast w podłożu naprężenia rozciągające o wartości 598 MPa. Powłoka charakteryzuje się dużo większą twardością od podłoża, odpowiednio 30,3 GPa i 3,7 GPa. Stwierdzono, że zastosowana obróbka powierzchniowa poprawia odporność stali na zużycie przez tarcie i zmniejsza jej współczynnik tarcia.

19

Wpływ wygrzewania na konduktywność nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu

75%

Kołtunowicz T. N.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 9

95-97

PL

W pracy opisano wpływ wygrzewania na konduktywność nanokompozytów (CoFeZr)x + (AI₂O₃)1-x wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu. Wykorzystano nanomateriały o strukturze metal-dielektryk o zawartości frakcji metalicznej x₁ = 31,2%, x₂ = 42,2% oraz x₃ = 64,1 % (odpowiednio przed na i powyżej progu perkolacji). Ustalono, że wygrzewanie powoduje przesunięcie progu perkolacji (przejścia od przewodności typu półprzewodnikowego do przewodnictwa metalicznego) w obszar wyższych zawartości fazy metalicznej.

EN

The effect of annealing on conductivity of (CoFeZr)x (Al₂O₃)1+x nanocomposites produced by magnetron sputtering In the at mo sphere of argon has been carried out. Nanomaterials of metal-insulator structure with content of metallic phase x₁ = 1.2% (beneath the percolation threshold), x₂ = 42.2% (on the percolation threshold) and x₃ = 64.1 % (above the percolation threshold) were used. Establish that annealing caused shift of percolation threshold (transition from semiconductor type conductivity to metallic conductivity) into area of higher content of metallic phase.

20

Symulacja komputerowa magnetronowego układu rozpylającego WMK-50

75%

Posadowski W. M. , Czarczvński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 9

82-84

PL

Wykonano komputerowe symulacje ruchu naładowanych cząstek w wyładowaniu jarzeniowym magnetronu kołowego WMK-50. Symulowano warunki pracy magnetronu za pomocą pakietu programów obliczających tory cząstek naładowanych poruszających się w polach elektrycznym i magnetycznym. Otrzymane wyniki porównano z obserwowanymi zjawiskami występującymi podczas procesów rozpylania. Przewiduje się wykorzystanie wyników badań do uzupełnienia opisu zjawisk zachodzących podczas rozpylania magnetronowego, a w szczególności podczas reaktywnych procesów osadzania warstw.

EN

Computer simulations of charged particles movement in a glow discharge of WMK-50 circular magnetron have been done. The magnetron working conditions were simulated using codes for charged particles trajectories in electric and magnetic fields. The obtained results were compared with the phenomena observed during sputtering processes. The results will be used to improve the description of magnetron sputtering, in particular the reactive deposition of layers.