Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

100%

Kopyt P. , Wojtasiak W. , Gryglewski D. , Gwarek W.

|

tom Vol. 54, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.

EN

In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.

2

The influence of assembly technology on exploitation parameters of power SSL-LEDs

84%

Grzesiak W. , Cież M. , Koprowski J.

|

tom T. 36, nr 4

124-132

EN

The SSL-LEDs (Solid State Lighting LEDs), often of several watts consumed unit power are generally fixed to a cooling substrate to increase the on LEDs' durability, reliability and light efficiency. The size, shape, cooling area and ventilating properties of the substrate, made mainly of aluminum or copper, have to be taken into account. The next problem is the thermal resistance minimizing between the LEDs body and the substrate. Here the out growth is the choice of a LEDs fixing method. The work deals with six fixing methods and reports their properties, achieved by reducing the thermal resistance between LED and the radiator's substrate. The first method consists in purely mechanical fixing by screws. The second is completed by a silicon film. The third one utilizes a foil of excellent thermal resistivity, covered on both sides with an acrylic glue. The fourth simple method bases solely on of an acrylic glue. The fifth method consists in using a resin with aluminum powder and cured at room temperature. The last method makes use of a special silicon CAF-1 type glue. In all cases identical LEDs, radiators and applied powers were used and results compared.

PL

Półprzewodnikowe diody mocy LED bywają mocowane zwykle do chłodzącego podłoża celem zwiększenia ich trwałości, niezawodności i sprawności. Rozmiary, kształt, powierzchnia chłodzenia i własności chłodzące podłoża, wykonanego zwykle z aluminium lub miedzi winny być starannie analizowane. Dalszym problemem jest rezystancja termiczna pomiędzy korpusem diody, a podłożem. Wiąże się ona ze sposobem jej mocowania. Praca omawia sześć metod mocowania i relacjonuje ich wpływ na rezystancję termiczną pomiędzy diodą a podłożem radiatorowym. Metoda pierwsza polega na czysto mechanicznym mocowaniu wkrętami. Druga wprowadza cienką warstewkę silikonu. Metoda trzecia stosuje folię o dobrej przewodności cieplnej, pokrytą obustronnie klejem akrylowym. Czwarta, prosta metoda bazuje wyłącznie na spoiwie akrylowym. Piąta metoda polega na sklejaniu żywicą zmieszaną z pyłem aluminiowym i utwardzaną w temperaturze pokojowej. Metoda szósta wykorzystuje specjalny klej silikonowy typu CAF-1. We wszystkich przypadkach użyto identycznych diod LED, radiatorów i aplikowanych mocy świecenia, a rezultaty prób przedstawiono i skomentowano.

3

Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych

84%

Dąbrowska E. , Maląg A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

tom R. 87, nr 4

232-238

PL

Przedstawiono pięć różnych sposobów pomiarów rezystancji termicznej diod laserowych. Przeanalizowano ich przydatność do charakteryzacji praktycznie wytwarzanych przyrządów różnej jakości, także takich, których charakterystyki są nietypowe. Porównano dokładności przedstawionych metod.

EN

Five different measurement methods of the laser diodes thermal resistance have been presented. Usability of these methods to characterize practical devices of different quality including those of untypical characteristics is analyzed. Also the exactness of the methods is compared.

4

Parametry cieplne wybranych paneli fotowoltaicznych

84%

Krac E. , Górecki K.

|

tom nr 95

92--98

PL

W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej paneli fotowoltaicznych. Omówiono sposób realizacji wymienionej metody oraz zaprezentowano uzyskane wyniki pomiarów parametrów cieplnych wybranych paneli fotowoltaicznych. Przedyskutowano również wpływ wybranych czynników na przebiegi przejściowej impedancji termicznej rozważanych paneli fotowoltaicznych.

EN

The article presents the method of measuring the transient thermal impedance and thermal resistance of photovoltaic panels. Implementation of said method has been discussed as same as the results of measurements of thermal parameters of selected photovoltaic panels. Moreover, the impact of selected factors on transient thermal impedance of mentioned photovoltaic panels is also discussed.

5

Analiza przydatności metody histerezowej do wyznaczania strat mocy w rdzeniu ferromagnetycznym

84%

Detka K. , Górecki K.

|

tom R. 98, nr 9

139--142

PL

W pracy przeanalizowano przydatność metody wyznaczania strat mocy w materiałach magnetycznych bazującej na pomiarze pola powierzchni pętli histerezy. Dodatkowo zastosowano model Steinmetza w celu weryfikacji zakresu częstotliwości i amplitudy indukcji, dla których model ten pozwala na poprawne wyznaczenie strat mocy w materiale magnetycznym. Wykorzystując straty mocy w rdzeniu wyznaczone przy zastosowaniu metody histerezowej zbadano wpływ amplitudy indukcji magnetycznej na rezystancję termiczną rdzeni ferromagnetycznych. Do badań wykorzystano 2 rdzenie toroidalne o podobnych rozmiarach wykonane z różnych materiałów ferromagnetycznych, tj. sproszkowanego żelaza (-26) oraz ferrytu SM-100. Z przeprowadzonych badań wynika, że zastosowanie metody histerezowej powoduje nawet siedmiokrotne zawyżenie wartości strat mocy w rdzeniu. Obliczenia przy zastosowaniu modelu Steinmetza pozostają w dobrej zgodności z danymi katalogowymi dla rdzenia wykonanego ze sproszkowanego żelaza.

EN

The paper analyzes the usefulness of the method of determining power losses in magnetic materials based on the measurement of the hysteresis loop surface area. Additionally, the Steinmetz model was used to verify the range of frequency and the induction amplitude, for which this model allows for the correct determination of power losses in the magnetic material. Using the power losses in the core determined with the hysteresis method, the influence of the magnetic flux density on the thermal resistance of ferromagnetic cores was investigated. Two similar-sized toroidal cores made of different ferromagnetic materials (powdered iron (-26) and SM-100 ferrite) were used for the investigation. The obtained results show that the application of the hysteresis method causes even a sevenfold increase in the value of the power dissipated in the core. Calculations using the Steinmetz model are in good agreement with the catalog data for a core made of powdered iron.

6

System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy

84%

Bisewski D. , Zarębski J.

|

tom R. 60, nr 12

1150--1153

PL

W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.

EN

Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.