Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: reaktory wysokotemperaturowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Uwagi do raportu Zespołu Ministerstwa Energii ds. reaktora wysokotemperaturowego

100%

Mikulski A.

tom z. 1

21--25

Raport Zespołu ds. analizy i przygotowania warunków do wdrożenia wysokotemperaturowych reaktorów jądrowych opublikowany przez Ministerstwo Energii w styczniu 2017 r. rekomenduje rozpoczęcie przygotowań do wykorzystania reaktorów wysokotemperaturowych chłodzonych gazem (HTGR) do produkcji ciepła technologicznego w przemyśle. Ten typ reaktora zostały wybrany po analizie wielu innych typów. Przewiduje się wybudowanie najpierw reaktora badawczego o mocy 10 MWt do 2025 r., a następnie pierwszego reaktora produkcyjnego do 2031 r. we współpracy z wybranym kontrahentem zagranicznym.

Report of the Committee for Analysis and Preparation of Conditions for Deployment of High-Temperature Nuclear Reactors (HTGR) was published in January 2017 by the Ministry of Energy. The Committee recommends to begin preparation of HTGR deployment for production of industrial heat. This type of reactor was selected as the best option after having analyzed many other types. It is foreseen that the construction of the first research reactor of 10 MWt power will be carried out until year 2025 and later, of an industrial reactor until 2031 with cooperation of selected foreign company.

Urządzenia cieplno-chemiczne do wytwarzania nowoczesnych związków półprzewodnikowych

84%

Orzyłowski M. , Łobodziński W.

tom Vol. 48, nr 8

74-76

Opisano wybrane urządzenia opracowywane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki na potrzeby przemysłu półprzewodnikowego: urządzenie do syntezy i polikrystalizacji fosforku indu metodą HGF oraz urządzenie do monokrystalizacji węglika krzemu metodą PVT. Procesy te wymagają wysokotemperaturowych pól temperatury o precyzyjnie kontrolowanym rozkładzie w reaktorach o określonej atmosferze gazowej i ciśnieniu. Do syntezy i krystalizacji konieczne jest też wytwarzanie gradientów temperatury, które przesuwają się wraz z frontami krystalizacji. Temperatura pracy reaktorów opisywanych urządzeń wynosi od kilkuset do ok. 2500°C, ciśnienie od próżni do 3 MPa, a ponadto często we wspomnianych procesach stosowane są niebezpieczne materiały, takie jak na przykład fosfor. Wśród najważniejszych podstaw teoretycznych rozwoju urządzeń cieplno-chemicznych są precyzyjne matematyczne modelowanie pól temperatury w reaktorach tych urządzeń i sterowanie tymi polami z zastosowaniem wielokanałowych systemów komputerowych.

The paper describes selected systems worked out in Industrial Institute of Electronics for semiconductor industry purposes: system for indium phosphide synthesis and polycrystallization by HGF method and system for silicon carbide monocrystallization by PVT method. These processes require the high-temperature fields of precise controlled distribution in the reactors of determined gas atmosphere and pressure. For synthesis and crystallization the temperature gradients moving with the crystallization fronts are necessary. Work temperature in the reactors of described systems is in the range of few hundred to 2500°C and pressure from vacuum to 3 MPa. Very often the hazardous chemicals such as phosphorus are used. One of the most important theoretical basics of development of described systems are: precise mathematical modeling of the temperature fields in the reactors and control of these fields by mean of multi-channel computer systems.