Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: quantum effects

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie wybranych efektów kwantowych w cienkowarstwowej strukturze krzemowego ogniwa słonecznego

100%

Kołodziej A.

2010

tom Vol. 51, nr 5

87-91

W niniejszej pracy analizowane są możliwości zastosowania niektórych efektów kwantowych w celu zwiększenia wydajności i stabilności cienkowarstwowych krzemowych ogniw słonecznych. Szczególnie zwraca się uwagę na nanostrukturyzację elektrody frontowej ogniwa w celu nie tylko zwiększenia ilości pułapkowanego światła ale również wykorzystania zjawiska kreacji wieloekscytonowej przez wysokoenergetyczne kwanty światła. Również podkreśla się istotą rolę zastosowania właściwych luster odbijających w tym lustra Braggowskiego. Analizowana jest metoda wytwarzania warstw nie tylko amorficznych ale także nanokrystalicznych charakteryzujących się zwiększoną absorpcją światła oraz ruchliwością nośników.

In the paper application of selected quantum solutions to the thin silicon solar cell structure for enhancement of their efficiency and stability are analyzed. Nanostructurization of the front electrode may lead not only to the light confinement but also to the multiexciton creations by energetic photon. Important role plays Bragg mirror and Lambertian surface manufacture. Knowledge of silicon transition from amorphous phase to nanocrystaline phase give a possibility to create a material with the higher light absorption.

Characterization of GaN nanostructures by electron field and photo-field emission

100%

Litovchenko V. , Evtukh A. , Grygoriev A.

tom Vol. 25, No. 3

251--262

The electron field and photo-field emission from GaN nanostructures has been analyzed in this review. In order to explain the obtained experimental results, a model was proposed taking into account the change in carrier concentration distribution in the main and the satellite valley during the emission process. The lowering of work function (due to the increased number of carriers in the satellite valley) can explain the decrease in the Fowler-Nordheim plot slope. It was shown that the energy difference between the main and satellite valley in GaN was decreased in the case of quantum confinement, thus increasing the probability of electron transition from Γ to X valley at same electric fields. Investigations of electron photo-field emission demonstrated that the Fowler-Nordheim plots of the emission current have different slopes for nonilluminated and illuminated devices. A model based on the electron emission from valleys having different specific electron affinities is proposed to explain the experimental results. In the absence of illumination the emission takes place only from the lower valley. Upon UV illumination and presence of a high electric field at the emitter tip, the upper valley of the conduction band appears to be occupied by electrons generated at the valence band.