Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: prąd ciemny

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Optical identification of crystal defects in CCD matrix

100%

Popowicz A.

Przegląd Elektrotechniczny

2013

tom R. 89, nr 3a

79--82

Celem artykułu jest zaprezentowanie oryginalnego pomysłu identyfikacji typów defektów struktury krystalicznej czujników światła jakimi są matryce CCD. Procedura jest nieskomplikowana i możliwa do przeprowadzenia bez specjalistycznej i drogiej aparatury. Metoda ta umożliwia rozróżnienie defektów na: punktowe oraz defekty przestrzenne – dyslokacje. Podczas badań wykazano również, iż typ defektu wpływa na zachowanie generacji prądu ciemnego podczas rejestracji światła.

An original idea of semiconductor defects identification in CCD matrix was presented in the article. The procedure is simple and easy to execute because of no need for special and expensive equipment. The method classifies defects into two groups: the point defects and the spatial defects (dislocations). During the experiments it was proven that the type of defect affects the behavior of the dark current generation during the light gathering .

Aproksymacja czasowych zależności ładunku ciemnego w matrycy CCD

84%

Popowicz A.

tom R. 89, nr 1a

126--128

Celem artykułu jest przedstawienie propozycji aproksymacji zależności prądu ciemnego w matrycach CCD. Jak wcześniej zauważono, gromadzenie ładunku termicznego w pikselu może następować w sposób nieliniowy, wykazując z czasem znaczący spadek tempa generacji. Prezentowana aproksymacja bazuje na fakcie, iż prędkość generacji związana jest z ilością już zgromadzonego ładunku. Metoda została sprawdzona na charakterystykach czasowych prądu ciemnego dla matrycy KAI-11000M firmy Kodak.

In the article a new approximation method for exposure time dependencies of dark current in CCD was presented. As it was reported before, some pixels had nonlinear dark current characteristics with a significant drop of dark charge generation. The novel approximation is based on the fact that the dark current generation ratio depends on the amount of already collected charge. The method was examined on dark current dependencies of Kodak KAI-11000M CCD sensor.

Analiza prądu ciemnego w matrycach CCD

84%

Popowicz A.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

tom R. 87, nr 4

260-263

Celem artykułu jest zaprezentowanie analizy czasowych zależności prądu ciemnego w matrycach CCD. Prezentowane wyniki zostały uzyskane na współczesnej profesjonalnej kamerze CCD SBIG STL 11000M. Udowadniają one, iż stosowana dotychczas korekcja zdjęć o wysokich czasach ekspozycji (np. zdjęcia astronomiczne) jest zbyt uproszczona, gdyż nie uwzględnia procesów zachodzących w obrębie piksela, które to mają wpływ na wielkość wygenerowanego ładunku termicznego. W artykule została również przedstawiona teoria generacji prądu ciemnego dla struktury piksela.

Exposure time dependencies of dark current in CCD were presented in the article. The professional modern CCD camera SBIG STL 11000M was examined. Results proved inefficiently of widely used dark frame subtraction method which doesn't provide for processes of dark current generation in pixel cell. Dark current generation theory for single pixel was also presented.

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

59%

Zborowska-Lindert I. , Boratyński B. , Paszkiewicz B. , Ohly T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

tom Vol. 45, nr 10

41-43

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.