In the present work, the investigation of the titanium dioxide (TiO2) thin layer as an antireflection coating for silicon solar cells are presented. The TiO 2 layers were obtained by the chemical vapour deposition method using tetracthylorthotitanat (C2H5 O)Ti at temperatures of the silicon wafers in the range from 150°C to 400°C. It has been established that all of the obtained TiO 2 layers contain anatase phase embedded in the amorphous background. A progress of the crystallization process with the increasing temperature of the substrate during the deposition has been observed. The change in opto-electronic parameters of silicon solar cells as a function of the deposition temperature of the antireflection coating has been discussed, taking into account the evolution of the crystallographic structure.
PL
Praca przedstawia wyniki badań poświęconych zastosowaniu cienkich warstw TiO2 jako powłok antyrefleksyjnych dla krzemowych ogniw słonecznych. Warstwy TiO2 wytwarzano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) ze irOdla ortotytanianutetraetylu (C 2H5 O)Ti w zakresie temperatur płytek krzemowych od 150°C do 400°C. Stwierdzono, że wszystkie otrzymane warstwy TiO2 charakteryzowały się amorficzną strukturą z wbudowaną fazą anatazu. Zaobserwowano zwiększenie udziału fazy krystalicznej ze wzrostem temperatury krzemowego podłoża. Określono i przedyskutowano zmiany wartości parametrów opto-elektronicznych krzemowych ogniw słonecznych w funkcji temperatury osadzania warstw antyrefleksyjnych Ti02.
Pokrycie zwierciadeł diod laserowych o konstrukcji krawędziowej powłokami optycznymi, dpowiednio - refleksyjnymi i antyrefleksyjnymi, jest ważnym elementem technologii tych przyrządów zarówno z punktu widzenia ich trwałości, jak i sprawności kwantowej. W artykule opisano metodę pomiaru współczynnika odbicia powłoki antyrefleksyjnej, którą opracowano pod kątem zastosowania w pomiarach diod laserowych zmontowanych na chłodnicach.
EN
It is essential for reliability and quantum efficiency of the edge emitting diode lasers to protect their mirrors with reflection and antireflection coatings, respectively. In the paper there is described a measurement method that has been developed to measure refractive index of the antireflection coating deposited on the front mirror of a diode laser bonded to a heatsink.
3
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Przedmiotem badań było otrzymywanie warstw antyrefleksyjnych wytwarzanych techniką zol-żel. W szczególności analizowano stabilność długoczasową zolu. Badano również wpływ starzenia na parametry antyrefleksyjne i porowatość powłok. Współczynnik załamania, porowatość i grubość warstw wyznaczono w oparciu o pomiary elipsometryczne. Stwierdzono, że z czasem starzenia współczynnik załamania powłoki maleje co pogarsza jej własności antyrefleksyjne. Porowatość wzrasta z ok. 26%, dla roztworu wyjściowego, do ok. 50% po czasie 185 dni. Badany zol wykazuje technologiczną stabilność w czasie ok. 30 dni.
EN
Preparation of antireflection coatings by a sol-gel method was the subject of this study. In particular, long-term stability was the main concern. The influence of aging on antireflection parameters and porosity was also studied. Refractive index, porosity and thickness of the layers were estimated on the base of ellipsometric measurements. It was found that the refractive index lowers with time of aging making worse antireflection properties of the coatings. Porosity increases from 26% for the freshly prepared sol up to about 50% after 185 days of aging. The sol of studied composition is technologically stabile within 30 days.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.