Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  połączenia emiter-podłoże
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Przedstawiono wyniki badań parametrów krzemowej płytki półprzewodnikowej, takich jak typ przewodności p/n i rezystancję powierzchniową warstwy dyfuzyjnej emitera oraz parametry wytwarzanego ogniwa fotowoltaicznego, takie jak rezystancja kontaktu na styku metal - półprzewodnik z zastosowaniem urządzenia „Sherescan”.
EN
Presented are testing results of a semiconductor silicon wafer parameters such as p/n type conductivity and surface resistance of an emitter diffusion layer as well as the parameters of the produced photovoltaic cell like the contact resistance of a metal - semiconductor junction with the use of Sherescan device.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.