Przedstawiono wyniki badań parametrów krzemowej płytki półprzewodnikowej, takich jak typ przewodności p/n i rezystancję powierzchniową warstwy dyfuzyjnej emitera oraz parametry wytwarzanego ogniwa fotowoltaicznego, takie jak rezystancja kontaktu na styku metal - półprzewodnik z zastosowaniem urządzenia „Sherescan”.
EN
Presented are testing results of a semiconductor silicon wafer parameters such as p/n type conductivity and surface resistance of an emitter diffusion layer as well as the parameters of the produced photovoltaic cell like the contact resistance of a metal - semiconductor junction with the use of Sherescan device.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.