Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: photodiode

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Microprocessor-based photometric light intensity sensor for airport lamps quality testing

100%

Podbucki K. , Suder J. , Marciniak T. , Mańczak W. , Dąbrowski A.

tom Vol. 30, No. 4

art. no. e143396

The paper presents a design and performance analysis of a photosensor device enabling the measurement of the visible light illuminance. The sensor is designed for use in the light metering matrix of a mobile measurement platform allowing the correct operation of inpavement airport lamps. This kind of control can be required by regulations and must meet the standards defined by the European Union Aviation Safety Agency (EASA). An important assumption of the solution was to obtain the highest possible speed of a measurement acquisition so that the control process would take place in a relatively short time. The proposed module concept is dedicated to the task of testing the quality of airport lamps, due to the characteristics of the photosensitive elements matching the light beams emitted by luminaries. The device is based on a VTP1220FBH photodiode and an ATmega328P microcontroller, which, in addition to the analogue-to-digital conversion and correction, sends the results back to the master unit via the I²C bus.

Terahertz and infrared photodetectors based on multiple graphene layer and nanoribbon structures

100%

Ryzhii V. , Ryabova N. , Ryzhii M. , Baryshnikov N. M. , Karasik V. E. , Mitin V. , Otsuji T.

tom Vol. 20, No. 1

15-25

We consider new concepts of terahertz and infrared photodetectors based on multiple graphene layer and multiple graphene nanoribbon structures and we evaluate their responsivity and detectivity. The performance of the detectors under consideration is compared with that of photodetectors made of the traditional structures. We show that due to high values of the quantum efficiency and relatively low rates of thermogeneration, the graphene-based detectors can exhibit high responsivity and detectivity at elevated temperatures in a wide radiation spectrum and can substantially surpass other detectors. The detector being discussed can be used in different wide-band and multi-colour terahertz and infrared systems.

Analiza wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła

86%

Domański G. , Konarzewski B.

tom Vol. 58, nr 7

23--27

W artykule przedstawiono analizę układu wzmacniacza transimpedancyjnego współpracującego z fotodiodą i przełączanymi źródłami światła. Wyznaczono błąd sygnału spowodowanego pamiętaniem przez układ sygnału dla poprzedniego źródła światła oraz stosunek sygnału wyjściowego do niepewności pomiarowej. Wnioski z analizy mogą służyć do optymalizacji układów detekcji światła ze wzmacniaczami operacyjnymi i przełączanymi źródłami światła.

In the article the analysis of the cross-talks in trans-impedance amplifier working with a photodiode and swicthed light sources was presented. The error caused by cross-talks and the signal to noise ratio were determined. The conclusions of this analysis may be used for optimization of light detection circuits with operational amplifiers and switched light sources.

Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych

58%

Ptak P. , Gensikowski M. , Kołodziejczyk P. , Górecki K.

tom R. 95, nr 10

138--141

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.

This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.