Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Przemysł Chemiczny

1 2024

1 Wrzesiński Z.

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pasma energetyczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Termodynamika półprzewodnikowego złącza p-n w stanie spolaryzowanym

100%

Wrzesiński Z.

tom T. 103, nr 12

1491--1493

Rozkład potencjału w spolaryzowanym złączu p-n uzależniony jest od bieguna napięcia przyłożonego do półprzewodników typu p oraz typu n. Przedstawiono termodynamikę dla dwóch możliwych przypadków. Pierwszy, gdy źródło napięcia zewnętrznego podłączone jest ujemnym biegunem do półprzewodnika typu p, a dodatnim do półprzewodnika typu n. Polaryzacja złącza p-n w tym kierunku nazwana jest polaryzacją zaporową dla przepływu prądu. Pokazano, że w przypadku polaryzacji zaporowej złącza p-n, w obszarze złącza wzrasta wysokość bariery potencjału na złączu oraz rozszerza się warstwa zubożona. W drugim przypadku źródło napięcia zewnętrznego podłączone jest biegunem dodatnim do półprzewodnika typu p, zaś ujemnym do półprzewodnika typ n. Polaryzacja złącza w tym kierunku nazwana jest polaryzacją złącza w kierunku przewodzenia. Pokazano, że polaryzacja złącza p-n w kierunku przewodzenia obniża wysokość bariery potencjału na złączu oraz zwęża warstwę zubożoną. Określone zostały również zmiany szerokości warstwy zubożonej od strony donorowej i akceptorowej.

A thermodynamic description of the potential distribution in a polarized p-n junction of semiconductors, depending on the pole of the applied voltage, was presented. In the case of reverse bias of the p-n junction, the height of the potential barrier at the junction increases in the junction region and the depletion layer expands, while the polarization of the p-n junction in the conduction direction lowers the height of the potential barrier at the junction and narrows the depletion layer. The changes in the width of the depletion layer on the donor and acceptor sides were also detd.