Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: płytki krzemowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie organizacji połączeń tytanu i krzemu w technologii krzemowej

100%

Krompiec S. , Majewski J. , Matysek-Majewska D. , Waczyński K.

1998

tom z. 137

227-234

Przedstawiono badania z zastosowaniem organicznych kompleksów tytanu oraz wybranych związków fosforu, boru, arsenu i antymonu do modyfikacji powierzchni płytek krzemowych, stosowanych w elektronice. Z szeregu przetestowanych kompleksów tytanu najlepsze właściwości dla otrzymania antyrefleksyjnych powłok tlenku tytanu (IV) wykazał diizopropoxy-bis(2,4-pentanodioniano)tytan(IV). Do wytwarzania szkliw domieszkowych wytypowano tetraetoksysilan, kwas borowy(III), kwas fosforowy(V), chlorek antymonu(III) i kwas arsenowy(V).

The investigations on the application of complexes of titanium and selected phosphorus, boron, arsenic and antimony compounds for the modification of the obtaining thesurface of silicone plates for electronic purposes have been presented. The best properties for obtaining the titanium dioxide antireflective coatings performs, among number of examined titanium complexes, diizopropoxobis(2,4-pentanedionato)titanium. Tetraethoxysilane, boric acidphosphoric acid, antimonium (III) chloride and arsenic acid were chosen for the preparation of doping glazes.

Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych

100%

Piątkowski B. , Szymański S.

2012

tom T. 40, nr 2

28-33

W pracy przedstawiono wyniki badań nad uzyskaniem powierzchni polerowanych płytek krzemowych (silicon polished wafers) o mikrochropowatości micro-roughness) mniejszej od 4 Å. Dla osiągnięcia odpowiedniej gładkości konieczne było wykonanie badań nad procesami polerowania na tkaninach polerskich (polishing pads) nowej generacji z zastosowaniem nowych środków polerskich (polishing slurries). Do badań wytypowano tkaniny (polishing pads) firm Rodel o symbolach regular, SPM 1300, firmy TK o symbolu poretex oraz firmy Fujimi Surfin 000. Do polerowania stosowano środki polerskie Firmy Nalco o symbolach LS, 8020 oraz 2354. W wyniku badań przeprowadzonych przy zastosowaniu nowych materiałów opracowano technologię zapewniającą odpowiednią gładkość powierzchni polerowanych płytek krzemowych.

This paper presents the results of research directed toward achieving a polished surface of silicon wafers that would have micro-roughness lower than 4 Å. In order to obtain the required smoothness it was necessary to carry out research on the process of polishing on new generation polishing pads with the use of new polishing slurries. The polishing pads chosen for the research were produced by Rodel ("regular", SPM 1300), TK ("poretex") and Fujimi (Surfin 000). The polishing slurries were made by Nalco (LS, 8020 and 2354). As a result of the research, for the purpose of which the above mentioned new generation materials were used, we have worked out a technology that ensures the required surface smoothness of the polished silicon wafers.

Technologie połączeń w czujnikach pomiarowych

63%

Szczepański Z.

tom Vol. 39, nr 6

3-1

W ostatnim okresie został dokonany duży postęp zarówno w konstrukcji, jak i technologii czujników pomiarowych. Wiele z nich opartych jest na strukturach krzemowych wykonywanych przy wykorzystaniu mikromechaniki objętościowej w krzemie. Jedną z głównych operacji procesu wytwarzania czujników jest dołączanie struktury czujnika do obudowy. Proces ten jest szczególnie istotny w przypadku krzemowych czujników ciśnienia. W artykule przedstawiono różne metody montażu struktur czujników, podając ich zalety i ograniczenia, jak również pewne problemy technologiczne. Specjalna uwaga została zwrócona na proces elektrostatycznego dołączania, który jest powszechnie stosowaną metodą dla czujników opartych na strukturach krzemowych.

During the last years a great progress in sensor design and technology has been made. Many of new sensors are produced using silicon micromachining, which enables various precise three dimensional silicon sensor microstructures to fabricate. One of the main process step of the sensor manufacturing is die attachment process. This especially concerns silicon pressure sensors. This paper presents alternative assembly methods, giving their advantages and limitations, likewise same technological problems. Special attention is facused on anodic bonding process which is widely used method for the sensors based on silicon micromachining.