PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  półprzewodnik
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Ab initio calculation of the electron.phonon interaction on semiconductors
100%
Rawinski A. F.
|
|
tom Z. 19
149-156
EN
The density-functional approach is used to investigate the electron-phonon matrix element for transition between selected electronic states in silicon.
PL
W ramach teorii funkcjonału gęstości obliczono prawdopodobieństwo przejść elektronów pomiędzy poszczególnymi stanami w pasmie przewodnictwa krzemu. Przejścia te wynikają z oddziaływania elektron - fonon.
2
Content available Chemiczne i elektrochemiczne wytwarzanie warstw tlenku cynku
75%
Wiliński Z. , Lipińska L. , Batijewski R. , Marcjaniuk A.
|
|
tom T. 37, nr 3
13-20
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań przeprowadzonych w celu wytworzenia warstw tlenku cynku o różnych strukturach, z wodnych roztworów metodą chemicznego osadzania i elektrosyntezy. Do osadzania ZnO wykorzystano następujące podłoża: szkiełka mikroskopowe i płytki szklane pokryte warstwą ITO. Wykonane warstwy poddano badaniom: mikroskopii skaningowej SEM, dyfrakcji rentgenowskiej XRD oraz fotoluminescencji.
EN
Coatings of ZnO with chemical (SILAR) and electrochemical methods were prepared. As substrate microscope glass plates and glass plates ITO layer coated were used. Surface morphology (SEM), photoluminescence (PL) and crystal structure (XRD) were examined.
3
Content available remote Quantum yield enhancement in AlGaN(n)/GaN(p) UV photodetector with position-dependent energy band gap
75%
Małachowski M. J.
|
|
tom Vol. 49, nr 6
31-43
EN
Numerical analysis has been carried out on the spectral dependence of the quantum yield for an AlGaN(n)-GaN(p) photodiode ultraviolet (UV) detector in which the AlGaN layer has position-dependent band gap. The spatial dependence of the material properties, such as energy band-gap and absorption coefficient of the photodiode's n-type layer is considered in the calculation. The band-gap grading with a proper direction, due to a reduced absorption coefficient at the surface region and the built in electric field, results in the increase of the minority carrier generation in the vicinity of the junction resulting the enhancement of carrier collection efficiency. In order to improve the quantum yield, it was found that there is no need to fabricate the structures exhibiting the large gradients. In case of no surface recombination, there is a substantial rise in the detector quantum yield with increasing the grading within the range of small values of the gradient. Much more extended the dependence in quantum yield with the grading has been found when the recombination was present at the illuminated surface. The carried out study enabled to determine the optimal grading and the graded layer thickness with regard to the detector response to the selected UV wavelengths.
PL
Dokonano analizę numeryczną spektralnej zależności wydajności kwantowej w zakresie ultrafioletowym (UF) fotodiody AlGaN(n)/GaN(p), w której warstwa AlGaN(n) jest półprzewodnikiem o zależnej od położenia przerwie energetycznej. W obliczeniach uwzględniono zależność od szerokości przerwy energetycznej współczynnika absorpcji w zakresie UF. Zastosowanie materiału z odpowiednio ukierunkowanym gradiantem przerwy energetycznej, powoduje wzrost wydajności zbierania w obszarze złącza generowanych przez światło nośników mniejszościowych, bowiem gradient wywołuje wytworzenie się w półprzewodniku dodatkowego pola elektrycznego oraz zmniejszenie absorpcji w pobliżu powierzchni. W celu zwiększenia wydajności kwantowej nie zachodzi konieczność wykonywania warstw o dużym gradiencie - co zmniejszyłoby ruchliwość nośników. W przypadku zaniedbywalnej rekombinacji powierzchniowej, stwierdzono że już w zakresie małych gradientów występuje znaczący wzrost wydajności kwantowej ze wzrostem wartości gradientu. W przypadku natomiast obecności rekombinacji powierzchniowej, występuje także wzrost wydajności kwantowej ze wzrostem gradientu lecz ten wzrost jest powolniejszy niż w przypadku poprzednim. Rezultaty wyliczeń umożliwiają określenie optymalnego gradientu oraz grubości warstwy z gradientem przerwy energetycznej ze względu na odpowiedź detektora na promieniowanie UF o dowolnie wybranych zakresach długości fal.
4
Content available remote Numerical simulations of epitaxial growth in MOVPE reactor as a tool for aluminum nitride growth optimization
63%
Skibinski J. , Caban P. , Wejrzanowski T. , Grybczuk M. , Kurzydlowski K. J.
|
|
tom Vol. 96, nr 2
110--114
EN
The present study concerns numerical simulations and experimental measurements on the influence of inlet gas mass flow rate on the growth rate of aluminum nitride crystals in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy reactor model AIX-200/4RF-S. The aim of this study was to design the optimal process conditions for obtaining the most homogeneous product. Since there are many agents influencing reactions relating to crystal growth such as temperature, pressure, gas composition and reactor geometry, it is difficult to design an optimal process. Variations of process pressure and hydrogen mass flow rates have been considered. Since it is impossible to experimentally determine the exact distribution of heat and mass transfer inside the reactor during crystal growth, detailed 3D modeling has been used to gain insight into the process conditions. Numerical simulations increase the understanding of the epitaxial process by calculating heat and mass transfer distribution during the growth of aluminum nitride crystals. Including chemical reactions in the numerical model enables the growth rate of the substrate to be calculated. The present approach has been applied to optimize homogeneity of AlN film thickness and its growth rate.
5
Content available remote Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+
63%
Pyszniak K. , Żuk J. , Droździel A. , Wójtowicz A. , Prucnal S. , Turek M.
|
|
tom R. 89, nr 5
281-283
PL
Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.
EN
Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.
6
Content available remote Spintronics in semiconductors
63%
Wilamowski Z. , Werpachowska A. M.
Materials Science Poland
|
2006
|
tom Vol. 24, No. 3
803--808
EN
For the last years spin effects in semiconductors have been of great interest not only in the context of solid state physics, but also for their potential usage in technology. In this paper we give a short review of spintronic materials, in which electron spin as an additional degree of freedom is exploited. Afterwards, we discuss the properties of classic, non-magnetic semiconductors, where the efforts are put on enriching the traditional semiconductor technology engaging the electrical effects of spin effects. Various phenomena and scientific state of the art is highlighte
7
Content available remote Sb-contained thin films: structural and electric properties
63%
Bilozertseva V. I. , Khlyap H. M. , Shkumbatyuk P. S. , Dyakonenko N. L. , Krivonos S. S.
Materials Science Poland
|
2006
|
tom Vol. 24, No. 4
929--934
EN
First results of experimental study of the structure of Sb 2Se3 and NaSbSe2 thin films by means of transmission electron microscopy and electron diffraction methods are reported. Structural and morphological peculiarities of crystal growth in films are discussed. Some electrical properties, in particular, current-voltage characteristics in metal-semiconductor (MS) structures: In/Sb2Se 3 and In/NaSbSe2, are presented.
8
Nadprzewodnictwo w półprzewodnikach
63%
Sosnowski J.
|
|
tom nr 7-8
18--22
PL
W pracy omówiono odkrycia z zakresu występowania nadprzewodnictwa w półprzewodnikach. Materiały te łącząc specyficzne właściwości tych dwóch klas – nadprzewodników i półprzewodników – stwarzają nowe możliwości ich zastosowania, w tym przy konstrukcji przyrządów elektronicznych. Przedstawiono pierwsze, wcześniejsze rezultaty badań półprzewodników nadprzewodzących, w tym przeprowadzone przez autora na selenku lantanu oraz wyniki nowych badań prowadzących do odkrycia nadprzewodników żelazowych, które także oparte są na lantanie i selenie.
EN
In the paper are discussed discoveries from range of occurrence superconductivity in semiconductors. These materials connecting peculiar specificities in these two classes – superconductors and semiconductors bring new capabilities of their applications at construction of electronic instruments. In paper are presented first, earlier results of research of superconducting semiconductors, including carried by author of publication on lanthanum selenide and then results of new research leading to discovery of iron-superconductors, which are also based on lanthanum and selenide.
9
Microwave-enhanced exciton delocalisation in low-dimensional CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures
51%
Godlewski M. , Ivanov V. Y. , Khachapuridze A.
|
|
tom Vol. 48, No. 4
346-354
EN
In this work we descrjbe new application of the technique of optically detected cyclotron resonance (ODCR) to the studies of localisation processes in quantum well structures of CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgrre. Interaction between rnicrowave-eated free carriers, at cyclotron. resonance conditions, and either site- or impurity-localised excitons results in modificatjon of photoluminescence from the sample. In consequence, cyclotron resonance of free carriers can be detected optically. We show here that the tech-nique of ODCR allows us to monitor processes of carrier/exciton localisation and also to evaluate their influence on radiative recombination processes in quantum well structures. We conclude that localisation effects are crucial to explain operation of CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe structures as light modulators.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.