Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: oxygen adsorption

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electrical Characteristics of Tin Oxide Films Grown by Thermal Atomic Layer Deposition

100%

Yoon S. Y. , Choi B. J.

tom Vol. 65, iss. 3

1041--1044

Tin dioxide (SnO2 ) is an n-type semiconductor and has useful characteristics of high transmittance, excellent electrical properties, and chemical stability. Accordingly, it is widely used in a variety of fields, such as a gas sensor, photocatalyst, optoelectronics, and solar cell. In this study, SnO2 films are deposited by thermal atomic layer deposition (ALD) at 180°C using Tetrakis(dimethylamino)tin and water. A couple of 5.9, 7.4 and 10.1nm-thick SnO2 films are grown on SiO2 /Si substrate and then each film is annealed at 400°C in oxygen atmosphere. Current transport of SnO2 films are analyzed by measuring current – voltage characteristics from room temperature to 150°C. It is concluded that electrical property of SnO2 film is concurrently affected by its semiconducting nature and oxidative adsorption on the surface.

Electrical Characteristics of Tin Oxide Films Grown by Thermal Atomic Layer Deposition

88%

Yoon S. Y. , Choi B. J. , Yoon S. Y. , Choi B. J.

Modified Bohm’s theory for abstruse measurements: application to layer depth profiling using auger spectroscopy

75%

Rówiński E. , Pietruszka M.

nr 1

Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO₂ o powierzchni płaskiej

63%

Izydorczyk W.

2009

tom Vol. 50, nr 10

45-48

W pracy przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wpływu adsorpcji tlenu na przewodnictwo nanowarstw SnO₂. W wyniku analitycznego rozwiązania jednowymiarowego równania Poissona-Boltzmanna dla próbki o skończonych wymiarach i płaskiej geometrii ziarna, otrzymano potencjał powierzchniowy dla całkowicie zubożonych warstw o grubości w zakresie 30..,500 nm. Na tej podstawie obliczono zależność energetycznej bariery potencjału od grubości warstwy. Zbadano wpływ ruchliwości oraz stopnia jonizacji donorów na stopień pokrycia powierzchni różnymi jonami tlenu. Obliczono profile głębokościowe koncentracji nośników, rozkład ruchliwych donorów oraz zbadano wpływ temperatury oraz ciśnienia cząstkowego tlenu na konduktancję nanowarstw SnO₂.

In this work, the results of theoretical analysis of the influence of surface oxidation on the conductance of SnO₂ nanofilms were presented. From the one-dimensional analytical solution of the Poisson-Boltzmann equation in the case of finite grains with slab geometry, the in-depth profiles of the potential V(r) were obtained for full depleted layers. On this basis, the surface energy barrier dependence on grain size (30...500 nm) was obtained. The effect of the donor mobility (oxygen vacancies in the bulk) and degree of donor ionization on coverages by oxygen ions was discussed. The in-depth profiles of carrier concentrations and distribution of donors were obtained. Furthermore, the influence of temperature and partial oxygen pressure on the SnO₂ nano-film per-square conductance was studied.