Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: organic field effect transistor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Comparative study on different annealing methods and choice of solvent in organic field effect transistors based on Poly(3-hexylthiophene)

100%

Chua C. L.

tom Vol. 31, No. 3

325--330

A simple approach to study the effect of processing on the charge carrier mobility in an organic field effect transistor (OFET) based on regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR P3HT) is investigated in this paper. It is found that different processing conditions can induce different degrees of hysteresis, which is well correlated with the charge mobility where lower hysteresis represents higher stability and hence higher charge mobility. Solvent annealing tends to create large nano-scale pinholes in P3HT which degrade the mobility.

Ambipolar injection into pentacene field effect transistor observed by time-resolved optical second harmonic generation imaging

100%

Manaka T. , Nakao M. , Lim E. , Iwamoto M.

tom Vol. 27, No. 3

709--717

Ambipolar carrier injection from gold electrode into pentacene was investigated by time-resolved optical second harmonic generation (TRM-SHG) imaging. Smooth hole injection is verified by rapid decrease of the SHG intensity at the electrode edge, indicating the absence of an injection barrier. In contrast, TRM-SHG results clearly indicated the presence of electron injection from the high-work function metal into the electrode, though after injection electrons were trapped in the channel and could not contribute to the conduction. Transient electric field distribution due to the injected holes and electrons were evaluated based on the SHG intensity distribution.

Organic field effect transistor with zinc phthalocyanine

75%

Metel E. , Jarosz G.

tom Vol. 26

67-71

Output characteristics of an organic field effect transistor with zinc phthalocyanine are presented. As a substrate highly conductive silicon wafers with an insulation layer of silicon dioxide (SiO2) on the top and gold source-drain electrodes on the SiO2 have been used. The field effect mobility of holes estimated from the lower range of source-drain voltage (linear regime) was 9x10-4 cm2/(Vs).

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoża zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 µm (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 µm. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Å/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktację kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyjaniny cynku.