Warstwa tlenku indowo-cynowego (ITO) naniesiona na podłoże giętkie lub sztywne znajduje obecnie zastosowanie do wytwarzania organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED) lub organicznych ogniw fotowoltaicznych (OPV). Zazwyczaj przed nałożeniem warstw funkcjonalnych wykonywanej struktury, ITO jest poddawane czyszczeniu. W artykule opisano wyniki badań chropowatości warstwy ITO metodą mikroskopii sił atomowych i profilometrii optycznej. Badane próbki przed pomiarami poddano czyszczeniu alkalicznemu lub czyszczeniu w acetonie i alkoholu etylowym lub alkoholu izopropylowym. Niezależnie od zastosowanej techniki pomiarowej wszystkie metody przygotowania powierzchni ITO powodowały wzrost jej chropowatości w stosunku do próbki w stanie dostawy. Stwierdzono również, że wartości chropowatości zmierzonej profilometrem optycznym były wyższe niż uzyskane mikroskopem sił atomowych.
EN
Indium tin oxide (ITO) layers evaporated on elastic or rigid substrates are currently used for manufacturing organic light-emitting diodes (OLED) or organie photovoltaic cells (OPV). Before functional layers of a fabricated device are deposited on ITO substrate its surface is usually cleaned. In this paper, the results of ITO layer roughness measurements by atomic force microscopy and optical profiler are reported. The specimens were treated with alkaline cleaning or ultrasonic degreasing in acetone and ethyl or isopropyl alcohol. Irrespective of measurement technigue all treatment methods lead to increase of ITO surface roughness when compared to the untreated sample. It was affirmed that the values of ITO roughness measured with optical profilometry were higher than measured with atomic force microscopy.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.