Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ogniwa CIS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia heterozłącza CIS/CdS do zastosowań fotowoltaicznych

100%

Jankowski H. , Kenig T. , Maksymowicz L. , Pisarkiewicz T. , Warzecha M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

tom Vol. 48, nr 10

32-34

Omówiono w zarysie procesy technologiczne otrzymywania składników cienkowarstwowych ogniwa CIS/CdS. Szczególnie scharakteryzowano proces RTP, kluczowy w wytwarzaniu warstw absorbera CIS, tj. chalkopirytu CulnSe2. Proces RTP umożliwia optymalne przeprowadzenie selenizacji przez szybkie wygrzewanie prekursorów metalicznych. Scharakteryzowano metodę kąpieli chemicznej CBD i omówiono właściwości otrzymywanych tą metodą warstw bufora CdS. Przedstawiono też proces technologiczny otrzymywania warstwy okiennej ZnO o kontrolowanym domieszkowaniu przez rozpylenie RF.

Technological processes leading to the fabrication of thin film constituents of CIS/CdS photovoltaic heterojunction have been described. In particular the RTP process, crucial in obtaining the CIS absorber, i.e. CulnSe2 chalcopyrite, was characterized. The RTP processing enables effective selenisation of metallic precursors by very rapid annealing. The chemical bath deposition method CBD developed for obtaining thin film CdS buffer was also presented. The properties of the window ZnO layers with controlled doping, obtained by RF sputtering, were shortly described.