Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: neural approximation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Evaluating the influence of generation methods on the quality of the smart designs of experiment

100%

Skowronek A.

Czasopismo Techniczne. Mechanika

2013

tom R. 110, z. 1-M

357--364

This paper presents results of computer simulation made to evaluate how the quality of the smart designs of experiment depends on the methods of generating. The quality of smart designs was evaluated by comparing the known values of special testing functions simulating the real research object and approximated values predicted by neural networks trained with the sets based on smart designs of experiment. The results suggest the possibility of significant reducing the number of experiments runs using studied smart designs.

Artykuł przedstawia wyniki symulacji komputerowej, której celem było dokonanie oceny wpływu metody generowania elastycznych planów eksperymentu na ich jakość. Jakość planów oceniana była na podstawie porównania znanych wartości funkcji testowych symulujących rzeczywisty obiekt badań i wartości aproksymowanych zwracanych przez sieć neuronową uczoną z wykorzystaniem zbiorów danych opartych na analizowanych planach. Wyniki sugerują możliwość znacznej redukcji rozmiaru potencjalnych badań eksperymentalnych planowanych z wykorzystaniem analizowanych planów elastycznych.

Inteligentny system pomiarowy do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych

84%

Pawłowski M. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Wierzbowski M. , Jankowski S. , Miczuga M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

tom Vol. 46, nr 2-3

46-45

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do badania centrów detektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych w zastosowaniu do półizolującego GaAs. Do tworzenia obrazu struktury defektowej na podstawie pomiaru zaników fotoprądu w szerokim zakresie temperatury wykorzystano procedurę korelacyjną oraz procedurę opartą na odwrotnej transformacji Laplace 'a.

In this paper we present the experimental system for characterisation of defect structure of high-resistivity semiconductors with implementation of intelligent procedures. A new approach is exemplified by studies of defect centres in semi-insulating (SI) GaAs. The defect structure images are created from the photocurrent decay measurements in a wide range of temperatures using the correlation procedure and inverse Laplace transformation algorithms.

Sieci neuronowe i eksperyment. Cz. 1

84%

Polański Z.

LAB Laboratoria, Aparatura, Badania

2000

tom R. 5, nr 4

46-47

Sieci neuronowe i eksperyment. Cz. 2

84%

Polański Z.

LAB Laboratoria, Aparatura, Badania

2000

tom R. 5, nr 5

39-42