Podczas gdy pierwsza połowa dwudziestego wieku zdominowana była przez dwie kolejne wojny światowe, rewolucje, zmiany granic i tworzenie nowego ładu politycznego - druga połowa stanowiła okres niesłychanie intensywnego rozwoju technologicznego w tym mikroelektroniki. Produkcja światowego przemysłu półprzewodnikowego startując od zera w połowie wieku dwudziestego osiągnęła w roku 2004 poziom 250 mld euro. W Polsce okres ten zbiegł się z kryzysem ekonomiczno-politycznym zakończonym bezkrwawą rewolucją roku 1989. W efekcie, podejmowane w kraju próby rozwijania nowoczesnych technologii mikro- a później nanoelektronicznych okazały się bezskuteczne. W artykule, na tle historycznym oraz w oparciu o realia dnia dzisiejszego, podjęta została analiza znaczenia i uwarunkowania rozwoju technologii mikro- i nanoelektronicznych w Polsce. Wymienione są zaistniałe bariery i zagrożenia wynikające z niskiego poziomu finansowania sfery B+R, ze zbiurokratyzowania instytucji państwowych odpowiedzialnych za finansowanie badań a także z braku rozsądnej strategii.
EN
While the first half of the 20 th century was dominated by two world wars, revolutions, changes of borders, and the creation of a new political order - the second half was a period of extremely intensive development of microelectronics. The global market of semiconductor industry, starting from scratch in the fifties, reached in 2004 level of 250 billion euros. In Poland, this period coincided with the economic and political crisis ended a blood - less revolution in 1989. As a result, the attempts to develop new technologies in Poland proved to be ineffective. In this paper, an analysis of the importance and determinants of technological development of micro-and nano-electronics in Poland is performed based on the realities of today shown in the wide historical background. The author identifies barriers and risks as linked with low levels of R&D funding together with the bureaucracy of state institutions responsible for research funding and the absence of a reasonable strategy of development.
Postęp w technologii elektronowej pozwala obecnie na realizacją przyrządów półprzewodnikowych i innych elementów elektronowych o wymiarach rządu kilkudziesięciu nanometrów, wymiarach zbliżonych do stałych sieci krystalicznej półprzewodników. Przy tak małych wymiarach konieczne jest uwzględnienie zjawisk kwantowych i falowych poszczególnych elektronów. W artykule omówiono zasadnicze trzy kierunki rozwoju przyrządów elektronowych skali nanometrowej: skalowane struktury CMOS o specjalnych rozwiązaniach, przyrządy półprzewodnikowe typu RTD (ang.Resonant Tunneling Devices) oraz przyrządy molekularne.
EN
This paper gives some glimpses on the research developments toward nanometer-scale electronics. The possible extensions and applications of CMOS technology in the nanometer regime is first discussed. CMOS technology is the predominant over the last 25 years in the microelectronics industry. The concept of scaling the MOS device has been applied over many technology generations, resulting in both density and performance. However, the lows of quantum mechanics and the limitations of fabrication techniques may soon prevent farther reduction in the size of today's conventional MOS structure. In order to continue the miniaturisation of circuit elements down to the nanometer scale new classes of nanometer-scale devices are investigated. The main classes are: a) resonant tunnelling devices and 2) molecular electronics devices. Both are briefly discussed and final conclusions are given..
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.