PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  monokrystalizacja
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Stanowisko do monokrystalizacji SiC
100%
Łobodziński W. , Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Orzechowski Z. , Kozłowski J. , Wiechowski J.
|
|
tom Vol. 49, nr 12
70-74
PL
Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.
EN
The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.
2
Content available Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >
100%
Orłowski W. , Mirowska A. , Hruban A. , Strzelecka S.
|
2010
|
tom T. 38, nr 2
9-19
PL
Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
EN
Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.
3
Content available Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
100%
Mirowska A. , Orłowski W. , Bańkowska A. , Hruban A.
|
2009
|
tom T. 37, nr 2
3-15
PL
Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
EN
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
4
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
100%
Orzyłowski M. , Rudolf Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 7
150-154
PL
W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.
EN
The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.
5
Symulacja procesów monokrystalizacji materiałów półprzewodnikowych metodą VGF
100%
Łobodziński W. , Wesołowski M. , Wiechowski J. , Wolf-Łysiak D. , Orzechowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 7
161-164
PL
W artykule omówiono wybrane aspekty modelowania pól temperatury w procesie produkcji monokryształów za pomocą techniki VGF. Omówiono podstawy, oraz zalety nowoczesnych technik monokrystalizacji. Opracowano algorytm obliczeniowy, pozwalający na precyzyjną symulację zjawisk cieplnych, zachodzących podczas wspomnianych procesów technologicznych. Opracowany algorytm modelowania może być przydatny w procesie projektowania nowoczesnych urządzeń, oraz charakterystyk roboczych, pozwalających na uzyskiwanie monokryształów o pożądanych parametrach.
EN
The article deals with some aspects of thermal field modeling in vertical gradient freeze technique used for crystals growing. The basics and quality of using new methods of crystals growing were discussed. A global two-dimensional model of multi-zone furnace was created for accurate calculations of heat transfer phenomenon in this case. The numerical model and calculating procedure can be used in the designing process of new furnaces.
6
Modelowanie numeryczne w procesie projektowania urządzeń do wytwarzania materiałów półprzewodnikowych
100%
Wesołowski M. , Niedbała R. , Czaplicki A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
tom Vol. 52, nr 2
102-106
PL
Nowoczesne materiały półprzewodnikowe wytwarzane są przy wykorzystaniu różnorodnych metod monokrystalizacji, najczęściej z fazy ciekłej lub gazowej. Stopień złożoności procesów wytwórczych skutkuje w wielu przypadkach niedostateczną jakością uzyskiwanych monokryształów, co wynika między innymi z konstrukcji urządzeń przeznaczonych do monokrystalizacji, jak i niepoprawnie dobranych charakterystyk eksploatacyjnych. W pracy skupiono się na procesach monokrystalizacji węglika krzemu oraz arsenku galu, będących materiałami o szerokim spektrum zastosowań. Zaprezentowane zostały modele numeryczne umożliwiające prowadzenie szeroko rozumianej optymalizacji konstrukcji urządzeń oraz procesów wytwórczych pod kątem minimalizacji defektów wytwarzanych monokryształów.
EN
The article deals with some aspects of thermal field modeling in vertical gradient freeze and physical vapour transport technique used for crystals growing. The basics and quality of using new methods of crystals growing were discussed. A global two-dimensional model of multi - zone furnace was created for accurate calculations of heat transfer phenomenon in that cases. The numerical model and calculating procedure can be used in the designing process of new furnaces.
7
Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC
84%
Grasza K. , Tymicki E. , Orzyłowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
tom Vol. 51, nr 7
193-197
PL
Artykuł zawiera wyniki badań walidacyjnych stanowiska do monokrystalizacji węglika krzemu, Które miały na celu potwierdzenie przydatności stanowiska do prowadzenia badań technologicznych hodowli monokryształów SiC. Badania objęły możliwości otrzymywania kryształów o różnych politypach (4H-SIC, 6H-SiC) i jednorodności politypowej powyżej 90%. Zbadano możliwości uzyskania prędkości wzrostu rzędu 1,5 mm/h, a także możliwości wygrzewania podczas fazy studzenia. Wyniki badań były pozytywne.
EN
The paper describes the results of validation tests of the system for silicon carbide monocrystallization. The goal of the test was the confirmation of this system usefulness for technological research of SiC crystal growth. The tests concern the possibility of various polytypes (4H-SIC, 6H-SiC) of homogeneity larger than 90% growth. The possibility of 1.5 mm/h crystal growth rate and holding crystals at cooling temperature were tested also. The results of the tests are positive.
8
Content available remote The analysis of chosen methods of rapid prototyping of casting models for blades of aircraft engines
84%
Budzik G. , Matysiak H. , Pacana J. , Cygnar M.
Silniki Spalinowe
|
2009
|
tom R. 48, SC1
283--288
EN
The article presents the analysis of chosen methods of rapid prototyping (RP) having application in process of manufacturing of casting models of blades of aircraft engines. The additive methods and also the diminished methods have been analysed. The numeric controlled milling machine (CNC) MDX-40 production of Roland Company has been used to the creation of models by means of diminished methods. Two additive methods have been chosen: method of stereolithography (SLA) and also method of three-dimensional print (3DP). Research prototypes were manufactured by means of stereolitographic SLA-250 appliance production of 3D Systems Company and also three-dimensional print Z510 Spectrum printer production of Z Corporation. Manufactured casting models were researched under the angle of application to manufacturing ceramic casting forms. Analysis of described methods concerned determining of possibilities of application of presented methods for manufacturing of models of aircraft engines’ blades. There was determined also a range of application of presented methods on respective stages of technological process of manufacturing of models and casting forms for manufacturing of blades of aircraft engines’ turbine in process of mono- crystallization and also directional crystallization.
PL
Artykuł przedstawia analizę wybranych metod szybkiego prototypowania mających zastosowanie w procesie wytwarzania modeli odlewniczych łopatek silników lotniczych. Analizie zostały poddane metody przyrostowe oraz metoda ubytkowa. Do wykonania modeli metodą ubytkową została wykorzystana sterowana numerycznie (CNC) frezarka MDX-40 produkcji firmy Roland. Jako metody przyrostowe zostały wybrane: metoda stereolitografii (SLA) oraz metoda druku trójwymiarowego (3DP). Prototypy badawcze zostały wykonane za pomocą urządzenia stereolitograficznego SLA 250 produkcji 3D Systems oraz trójwymiarowej drukarki Z510 Spectrum produkcji Z Corporation. Wytworzone modele odlewnicze były przebadane pod kątem zastosowania do wykonywania ceramicznych form odlewniczych. Analiza opisanych metod polegała na określeniu możliwości zastosowania przedstawionych metod do wykonania modeli łopatek silników lotniczych. Określony został również zakres zastosowania przedstawionych metod na poszczególnych etapach procesu technologicznego wytwarzania modeli i form odlewniczych dla wytwarzania łopatek turbin silników lotniczych w procesie monokrystalizacji oraz krystalizacji kierunkowej.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.