Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.
EN
The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.
W artykule jest omówiona konstrukcja oraz wyniki badań stanowiska do monokrystalizacji SiC, które zostało opracowane w ITR. Zbadane zostały możliwości zapewnienia właściwej atmosfery gazowej oraz sterowanie temperaturą procesu. Wykazano spełnienie wysokich wymagań czystości procesu oraz wymagań wysokiej jakości sterowanie programowanym ciśnieniem. Stwierdzono także możliwość kształtowania w dużym zakresie zmiennego gradientu temperatury w tyglu oraz wysoką jakość programowej regulacji temperatury tygla, uzyskane dzięki nowej konstrukcji układu grzejnego.
EN
The paper describes the construction and the results of testing of system for SiC monocrystallization developed in ITR. The tests include the gas atmosphere and the temperature of process tests. The assurance of high purity of the process and high quality pressure control are confirmed. Due to new construction of heating system the possibility of temperature gradient creation of the wide range and high quality temperature programmed control in the crucible were achieved.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.