W oparciu o wyniki wcześniejszych badań mechanizmu powstawania fazy CuO na powierzchni Cu2O, uzyskane metodami markerów i dwuetapowego utleniania oraz kinetyki utleniania Cu2O w funkcji temperatury i prężności tlenu, wykazano, że dominującymi defektami punktowymi w tlenku CuO są podwójnie zjonizowane wakacje kationowe. Przedstawiony w niniejszej pracy model struktury defektów uwzględnia fakt, że w zgodności z wynikami badań eksperymentalnych, stężenie defektów jonowych w omawianym tlenku, będącym samoistnym półprzewodnikiem elektronowym, rośnie z prężnością tlenu w potędze 1/2.
EN
Basing on experimental results reported previously and obtained using marker and two-stage oxidation methods as well as oxidation kinetic rates measurements, the defect structure model of CuO has been presented. It has been demonstrated that the predominant point defects in the discussed oxide, being an intrinsic electronic semiconductor are doubly ionized cation vacancies, the concentration of which increases with oxygen activity with power 1/2.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.