Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Niszczące i nieniszczące metody pomiaru profilu koncentracji domieszek w materiałach półprzewodnikowych

100%

Waczyński K. , Wróbel E. , Drabczyk K.

|

tom z. 87

133-143

PL

W artykule przedstawiono wstępne rezultaty pomiarów profili koncentracji domieszki fosforowej dyfundowanej w krzem. Jako źródło domieszki wykorzystano rozwirowywane roztwory domieszkowe (spin-on), których charakterystyki domieszkowania nie są jeszcze do końca poznane. Głównym celem badań jest określenie pełnej charakterystyki domieszkowej opracowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej rozwirowywanych roztworów domieszkowych. Pomiary profili koncentracji domieszek wykonywano z wykorzystaniem elektrochemicznego profilera w Instytucie Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej. Uzyskane rezultaty pozwolą na zmodyfikowanie technologii wytwarzania rozwirowywanych roztworów domieszkowych.

EN

This paper presents preliminary results obtained from the research on defining phosphorus concentration profiles in silicon. As dopant source a spin-on phosphorus source was used, whose dopant characteristics are not entirely known. The aim of research is to completely define dopant characteristics of silica glasses produced on the surface of silicon by means of the spin-on method. To produce dopant glasses spin-on dopant solutions worked out and produced at the Institute of Electronics of the Silesian Technical University were used. The measurements of dopant concentration profiles were taken by means of the electrochemical profile plotter at the Institute of Microsystems Technology of the Technical University in Wroclaw. The tests allow to gain some essential clues useful in the production of spin-on dopant solutions.

2

Reaktorowa instalacja neutronowego domieszkowania monokryształów krzemu

100%

Jaroszewicz J.

|

2012

|

tom z. 1

16--25

3

Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych

75%

Chrobak Ł. , Maliński M.

|

tom Vol. 53, nr 12

110-113

PL

W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.

EN

This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomenon of the modulated free carriers absorption.

4

Wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych

75%

Suproniuk M. , Wierzbowski M. , Pawłowski M. , Majda-Zdancewicz E. , Paziewski P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

tom R. 93, nr 10

49--52

PL

W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.

EN

The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.

5

Advanced Biomaterials with Semiconductive Properties Based on Fungal Chitosan

63%

Piątkowski M. , Sierakowska A. , Janus Ł. , Radwan-Pragłowska J.

|

tom no. 1, vol. 2

163--167

EN

Tissue engineering is a branch of science that focuses on methods and techniques for the creation of new tissues and organs for the therapeutic reconstruction of the damaged organ by providing support structures, cells, molecular and mechanical signals for regeneration to the desired region. Conventional implants made of inert materials can eliminate only physical and mechanical defects of damaged tissues. The goal of tissue engineering is to restore biological functions, that is regeneration of tissues, and not only to replace it with a substitute made of synthetic material. The most important challenges of tissue engineering include the development of new biomaterials that will be used as three-dimensional scaffolds for cell cultures. Such scaffolding must be characterized by biocompatibility and biodegradability. The aim of the research was to obtain biomaterials based on acylated chitosan. The result of the work was to obtain three-dimensional scaffolding with bioactive properties based on raw materials of natural origin. The biomaterials were modified with ferrimagnetic nanoparticles which are capable of electromagnetic stimulation of proliferation.

PL

Inżynieria tkankowa jest dziedziną nauki, która koncentruje się na metodach i technikach tworzenia nowych tkanek i narządów do terapeutycznej rekonstrukcji uszkodzonego narządu poprzez dostarczanie struktur wspierających, komórek, sygnałów molekularnych i mechanicznych do regeneracji w pożądanym kierunku. Konwencjonalne implanty wykonane z materiałów obojętnych mogą wyeliminować fizyczne i mechaniczne wady uszkodzonych tkanek. Celem inżynierii tkankowej jest przywrócenie funkcji biologicznych, czyli regeneracja tkanek, a nie tylko zastąpienie jej substytutem wykonanym z materiału syntetycznego. Najważniejsze wyzwania inżynierii tkankowej obejmują rozwój nowych biomateriałów, które będą wykorzystywane jako trójwymiarowe rusztowania do hodowli komórkowych. Takie rusztowanie musi charakteryzować się biokompatybilnością i biodegradowalnością. Celem badań było uzyskanie biomateriałów na bazie acylowanego chitozanu. Rezultatem prac było uzyskanie trójwymiarowego rusztowania o właściwościach bioaktywnych na bazie surowców pochodzenia naturalnego. Biomateriały zmodyfikowano nanocząstkami ferrimagnetycznymi, które są zdolne do elektromagnetycznej stymulacji proliferacji.

6

Nowe materiały półprzewodnikowe

63%

Zymmer K. , Berowski P.

|

tom nr 4 (8)

10--11

7

Elektronika wysokotemperaturowa

63%

Lisik Z.

|

tom Vol. 49, z. 2

225-245

PL

Typowy sprzęt elektroniczny jest projektowany do pracy w maksymalnym zakresie temperatur -55C do 125C, nazywany zakresem militarnym (ang. "military range"). W pewnych sytuacjach występuje jednak konieczność wprowadzenia aparatury elektronicznej do otoczenia o znacznie wyższej temperaturze lub też może wystąpić wysoka temperatura wewnątrz przyrządów elektronicznych wywołana efektem samonagrzewania. Stało się to impulsem do zainicjowania badań nad możliwościami konstrukcji takiej aparatury, a ich efektem było wyodrębnienie nowej dziedziny elektroniki, nazwanej "elektroniką wysokotemperaturową" (lub skrótowo HTE od ang "High-temperature electronics"). W pracy skupiono się na przedstawieniu specyfiki tej nowej dziedziny elektroniki. W szczególności, co należy rozumieć pod terminem elektronika wysokotemperaturowa, jakie obszary aplikacji ona obejmuje i jakie jest jej miejsce na rynku. Przedstawiono także jakie nowe problemy są z nią związane i jak one mogą być rozwiązywane, skupiając się w tym przypadku na materiałach półprzewodnikowych, które są kluczowym elementem rozwoju HTE.

EN

The standard electronics equipment is designed to work within the temperature range called the "military range". For some cases, however, one needs to introduce electronics into the environment with higher temperature or the higher inside temperatures caused by the selfheating are required. These needs had became the impulse to start the research how to manufacture such an equipment, which resulted in creation of the new field of electronics called "high temperature electronics" (HTE). The paper is aimed at the introduction of the HTE specifity. In particularly, what this term means, which kinds of application it covers and which place it has on the market. New problems created by the HTE applications and how they can be solved are presented as well, but in this case the interest is limited to the semiconductor materials that are of crucial importance for HTE development.

8

Zintegrowany system pomiarowy jako narzędzie identyfikacji głębokich centrów defektowych półprzewodników

51%

Ćwirko J. , Ćwirko R.

|

tom Vol. 53, nr 5

83-94

EN

In this paper measurement system for electric and photoelectric characterization of semiconductor materials and heterostructures is presented. The unique feature of the presented system is comprehensive approach to characterization of material's electrical properties. System utilizes the powerful techniques such as: High Resolution Photo-Induced Spectroscopy HRPITS, Modulated Photocurrent Technique MPC and Low Frequency Noise LFNS. The samples are measured in temperature range from 10 K to 450 K in temperature-controlled nitrogen cryostat, helium cryostat or high-temperature module, respectively. The measured signals are amplified in low noise current or voltage amplifiers and processed in specialized devices. The sample can be illuminated by calibrated LED or laser diode, if necessary.

PL

W artykule przedstawiono zintegrowany system pomiarowy, umożliwiający diagnostykę materiałów i przyrządów półprzewodnikowych przez analizę struktury głębokich centrów defektowych. System pomiarowy pozwala na wykonywanie badań w zakresie temperatury 10 K - 500 K. Rozbudowany moduł wymuszeń optycznych umożliwia pobudzanie światłem badanej próbki punktowo lub przez skaning jej powierzchni. Najważniejszą zaletą prezentowanego systemu pomiarowego jest możliwość prowadzenia badań trzema metodami (HRPITS, MPC, LFNSW) identyfikacji głębokich centrów defektowych. Poszczególne metody pomiarowe wykorzystują różne algorytmy pomiarowe ale korzystają ze wspólnego modułu stabilizacji temperatury, toru wzmocnień małosygnałowych i wymuszeń optycznych, co pozwala na minimalizację błędów pomiarowych.