Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

100%

Suproniuk M. , Kamiński P. , Miczuga M. , Pawłowski M. , Kleider J. , Kozłowski R. , Longeaud C.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

tom R. 85, nr 11

93-98

PL

Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych.

EN

An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.

2

Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy

84%

Pawłowski M. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Jankowski S. , Wierzbowski M.

Metrology and Measurement Systems

|

2005

|

tom Vol. 12, nr 2

207-228

EN

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures. The spectral analysis is carried out by two independent methods: the two-dimensional correlation procedure and the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. Parameters of a defect centre are determined using the neural network algorithm which is based on two hidden neurons in the form of two-dimensional sigmoid functions used to obtain a morphological match of the approximating function to the shape of the fold on the spectral surface. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.

PL

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy dedykowany do charakteryzacji centrów defektowych w materiałach półizolujących. Działanie systemu polega na rejestracji relaksacyjnych przebiegów fotoprądu w szerokim zakresie temperatur oraz realizacji dwuwymiarowej analizy temperaturowych zmian stałych czasowych tych przebiegów. Analiza widmowa przeprowadzana jest za pomocą dwóch niezależnych metod: dwuwymiarowej procedury korelacyjnej i procedury wykorzystującej odwrotną transformatę Laplace'a. Parametry centrów defektowych wyznaczane są za pomocą sieci neuronowej, która złożona jest z dwóch neuronów w postaci dwuwymiarowych funkcji tangensa hiperbolicznego i realizuje morfologiczne dopasowanie funkcji aproksymującej do kształtu fałdy na powierzchni widmowej. Wartości parametrów centrów defektowych otrzymywane są jako wartości parametrów aproksymatora po procesie dopasowania. Przedstawiono przykłady zastosowania systemu do badania centrów kompensujących w półizolującym InP oraz centrów radiacyjnych w krzemowych, wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych napromieniowanych protonami o dużej energii. Porównano strukturę defektową SI InP domieszkowanego żelazem w procesie monokrystalizacji oraz strukturę defektową SI InP, którego półizolujące właściwości otrzymano w wyniku długotrwałej obróbki termicznej w atmosferze par fosforu. W krzemowych warstwach epitaksjalnych określono zmiany struktury defektowej w funkcji dawki protonów.

3

Zastosowanie metod inteligencji obliczeniowej do analizy struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych

84%

Jankowski S. , Kamiński P. , Kozłowski R. , Szymański R. , Będkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

tom Vol. 50, nr 8

285-290

PL

Inteligentne algorytmy obliczeniowe, maszynę wektorów nośnych oraz maszynę wektorów istotnych, zaimplementowano w systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii foto-prądowej. Skuteczność działania tych algorytmów sprawdzono poprzez ich zastosowanie do badania centrów defektowych w niedomieszkowanym monokrysztale InP, którego własności półizolujące otrzymane zostały w wyniku długotrwałej obróbki termicznej w atmosferze par fosforu.

EN

Intelligent computational algorithms support vector machine (SVM) and relevance vector machine (RVM) has been implemented in the experimental system dedicated to studies of defect centres in high resistivity semiconductors by photoinduced transient spectroscopy (PITS). Functional effectiveness of these algorithms has been tested through their application to studying defect centres in an undoped InP single crystal whose semi-insulating properties were obtained by a long-term heat treatment in phosphorus vapour atmosphere.

4

Zintegrowany system pomiarowy jako narzędzie identyfikacji głębokich centrów defektowych półprzewodników

67%

Ćwirko J. , Ćwirko R.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2004

|

tom Vol. 53, nr 5

83-94

EN

In this paper measurement system for electric and photoelectric characterization of semiconductor materials and heterostructures is presented. The unique feature of the presented system is comprehensive approach to characterization of material's electrical properties. System utilizes the powerful techniques such as: High Resolution Photo-Induced Spectroscopy HRPITS, Modulated Photocurrent Technique MPC and Low Frequency Noise LFNS. The samples are measured in temperature range from 10 K to 450 K in temperature-controlled nitrogen cryostat, helium cryostat or high-temperature module, respectively. The measured signals are amplified in low noise current or voltage amplifiers and processed in specialized devices. The sample can be illuminated by calibrated LED or laser diode, if necessary.

PL

W artykule przedstawiono zintegrowany system pomiarowy, umożliwiający diagnostykę materiałów i przyrządów półprzewodnikowych przez analizę struktury głębokich centrów defektowych. System pomiarowy pozwala na wykonywanie badań w zakresie temperatury 10 K - 500 K. Rozbudowany moduł wymuszeń optycznych umożliwia pobudzanie światłem badanej próbki punktowo lub przez skaning jej powierzchni. Najważniejszą zaletą prezentowanego systemu pomiarowego jest możliwość prowadzenia badań trzema metodami (HRPITS, MPC, LFNSW) identyfikacji głębokich centrów defektowych. Poszczególne metody pomiarowe wykorzystują różne algorytmy pomiarowe ale korzystają ze wspólnego modułu stabilizacji temperatury, toru wzmocnień małosygnałowych i wymuszeń optycznych, co pozwala na minimalizację błędów pomiarowych.