Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ln0,53Ga0,47As/lnP

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47As/InP i GaAs/GaAs

100%

Wolkenberg A. , Przesławski T.

tom Vol. 48, nr 6

26-30

Przedstawiono przegląd problemów pomiarowych parametrów transportowych epitaksjalnych warstw MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47As/InP i GaAs/GaAs przy stosowaniu do pomiarów pola magnetycznego. Opisano wpływ temperatury pomiaru na dokładność wyników. Zwrócono uwagę na dobór właściwych wartości natężenia pola magnetycznego. Wnioskowano, że porównywanie mierzonych wartości z obliczanymi teoretycznie przynosiło najlepsze rezultaty w przypadku warstw GaAs.

There were described very broadly the problems connected with measurements of the charge transport parameters of the epitaxially grown in MBE layers of InAs/GaAs, In0.53Ga047As/InP and GaAs/GaAs by galvanomagnetic method. The temperaturę influence on measure accuracy was mentioned. Also the choice of right magnetic field value was presented. The best results of the comparison between theoretically calculated values and that measured were obtained on GaAs samples.