Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: light detection

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Photoresistor based on ZnO nanorods grown on a p-type silicon substrate

100%

Witkowski B. S. , Pietruszka R. , Gieraltowska S. , Wachnicki L. , Przybylinska H. , Godlewski M.

2017

tom Vol. 25, No. 1

15--18

In this work we discuss a method of preparation of a highly sensitive light detector based on ZnO nanorods. A photoresistor constructed by us is based on a heterojunction between high quality ZnO nanorods and high resistivity p-type Si used as a substrate for nanorods’ deposition. ZnO nanorods are grown by a modified version of a microwave assisted hydrothermal method which allows for growth of high quality ZnO nanorods in a few minutes. The obtained photoresistor responds to a wide spectral range of light starting from near infrared (IR) to ultraviolet (UV). Properties of the detector are evaluated. We propose the use of the detector as an optical switch.

Różnicowy układ pracy fotodetektora promieniowania optycznego

72%

Gilewski M.

tom R. 85, nr 11

249-252

W publikacji przedstawiono koncepcję różnicowego układu pracy fotodetektora półprzewodnikowego. Zaproponowano nową strukturę układu zawierającą: jeden lub dwa fotodetektory, dwa wzmacniacze transimpedancyjne oraz różnicowy wzmacniacz wyjściowy. Proponowane rozwiązanie układu detekcji promieniowania jest bardziej czułe i mniej wrażliwe na zakłócenia niż pojedyńczy konwerter prąd - napięcie. W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych oraz wskazówki dotyczące rozwiązań aplikacyjnych.

This paper describes a differential detection circuit of optical radiation. The circuit contains: one or two silicon photodetectors, two transimpedance amplifiers and output differential amplifier. This solution of light detection is more sensitive and less susceptible to EMD than single transimpedance amplifier. The measurement results of the circuit are presented. At the final part the design recommendations are included.