Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem morfologii powierzchni warstw epitaksjalnych HgCdTe, uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Przedstawiono wpływ wybranych parametrów na morfologię powierzchni warstw oraz omówiono wpływ jakości powierzchni podłoża GaAs i jego orientacji krystalograficznej. Przedstawiono także wpływ grubości warstwy HgCdTe na wielkość chropowatości powierzchni. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007.
EN
This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues such as its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. This article presents scientific results of works carried out in Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by thePolish Ministry of Science and Higher Education.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.