Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  koszt wytwarzania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
A function of manufacturing costs involved in used numerically controlled lathes was derived. The variety of costs involved in performing machining operations was analysed for a typical Polish manufacturing plant, i.e. only widely used types with average machining abilities were accounted for. The cost analysis was further extended to more advanced tool-machine combination allowing for succesively higher cutting parameters up tu such machining processes that require tools with machining abilities not yet available today.
PL
Przedstawiono funkcję kosztów wytwarzania na tokarkach sterowanych numerycznie. Przeanalizowano strukturę kosztów operacji w typowych warunkach polskiego zakładu produkcyjnego i obróbki narzędziami z ostrzami powszechnie stosowanymi, o przeciętnych możliwościach skrawnych. Następnie przeprowadzono analizę kosztów wytwarzania dla obróbki narzędziami i na obrabiarkach zezwalających na stosowanie coraz to większych parametrów skrawania, aż do obróbki narzędziami o przyjętych hipotetycznie dużych możliwościach skrawnych, które obecnie nie są jeszcze do osiągnięcia.
PL
Przedstawione zostały rezultaty komputerowego modelowania wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych otrzymywanych z roztworu. Obliczenia szybkości wzrostu interfejsu warstwy prowadzone były w oparciu o strumienie dyfuzyjne składnika Si rozpuszczonego w roztworze binarnym Si-Sn. Cienkie warstwy epitaksjalne otrzymywane metodą LPE mogą prowadzić do obniżenia kosztów produkcji ogniw fotowoltaicznych, co ma fundamentalne znaczenie w badaniach nad technologią otrzymywania energii ze źródeł odnawialnych.
EN
This work presents results of calculation of the concentration profiles of Si in the Si-Sn rich solution. Influence of the stream of silicon on concentration gradients near the interface and growth rate in normal and lateral direction has been presented. Aspect ration of the grown layer has been calculated. Technology of the obtaining thin epitaxial layer can lead to decrease the total cost of silicon solar cells production. It is a great of importance for obtaining energy form renewable sources.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.